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284 Treffer

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    Structural and electrical characteristics of InGaAsN layers grown by LPE
    MILANOVA, M ; VITANOV, P ; et al.
    In: Journal of crystal growth, Jg. 346 (2012), Heft 1, S. 79-82
    academicJournal
    Wie komme ich dran?
  2. Detailansicht für Treffer 2 öffnen
    Defect distribution and morphology development of SiGe layers grown on Si(100) substrates by LPE
    SEMBIAN, A. M ; KONUMA, M ; et al.
    In: E-MRS Spring Conference, Symposium D: Thin Films Epitaxial Growth and Nanostructures, Jg. 336 (1998), Heft 1-2, S. 116-119
    Konferenz
    Wie komme ich dran?
  3. Detailansicht für Treffer 3 öffnen
    Modified LPE system used to diffuse Cd to obtain InSb infrared detectors
    GUIMARAES, Sonia ; TAVARES DE LIMA, Joaquim ; et al.
    In: Journal of crystal growth, Jg. 310 (2008), Heft 7-9, S. 1657-1663
    academicJournal
    Wie komme ich dran?
  4. Detailansicht für Treffer 4 öffnen
    Thickness and mosaic morphology of InAs films grown by LPE supercooling technique
    DENG, H. Y ; WANG, Q. W ; et al.
    In: Journal of materials science. Materials in electronics, Jg. 22 (2011), Heft 7, S. 811-814
    Online academicJournal
    Zugriff:
    Volltext (PDF)
    Wie komme ich dran?
  5. Detailansicht für Treffer 5 öffnen
    A systematic study on the growth of PZNT films by LPE method
    XINHUA, ZENG ; FEN, QIN ; et al.
    In: Journal of materials science, Jg. 41 (2006), Heft 13, S. 4267-4272
    Online academicJournal
    Zugriff:
    Volltext (PDF)
    Wie komme ich dran?
  6. Detailansicht für Treffer 6 öffnen
    Influence of cooling rate on the dislocations and related luminescence in LPE SiGe layers grown on Si(100) substrates
    SEMBIAN, A. M ; BANHART, F ; et al.
    In: Thin solid films, Jg. 372 (2000), Heft 1-2, S. 1-5
    academicJournal
    Wie komme ich dran?
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    Structural characterisation of remelt liquid phase epitaxy (LPE) grown AlGaAs heteroepitaxial layer
    JEGANATHAN, K ; FERRARI, C ; et al.
    In: Journal of crystal growth, Jg. 203 (1999), Heft 3, S. 327-332
    academicJournal
    Wie komme ich dran?
  8. Detailansicht für Treffer 8 öffnen
    Isoperiodical heterostructures GaInAsSb/GaSb grown by LPE from Sb-rich melts in spinodal decomposition area
    VASIL'EV, V. I ; NIKITINA, I. P ; et al.
    In: Fourth International Workshop on Expert Evaluation and Control of Semiconductor Materials and Technologies, June 22-24, 1998, Cardiff, Wales, Jg. 66 (1999), Heft 1-3, S. 67-69
    Online Konferenz
    Zugriff:
    Full Text Finder (Volltext)
    Wie komme ich dran?
  9. Detailansicht für Treffer 9 öffnen
    Preferential growth mechanism of YBCO film on MgO substrate in initial stage of LPE growth
    IZUMI, Teruo ; KAKIMOTO, Kazuomi ; et al.
    In: Journal of crystal growth, Jg. 219 (2000), Heft 3, S. 228-236
    academicJournal
    Wie komme ich dran?
  10. Detailansicht für Treffer 10 öffnen
    High purity GaSb grown by LPE in a sapphire boat
    OLVERA-HERNANDEZ, J ; DE ANDA, F ; et al.
    In: Journal of crystal growth, Jg. 208 (2000), Heft 1-4, S. 27-32
    academicJournal
    Wie komme ich dran?
  11. Detailansicht für Treffer 11 öffnen
    Influence of indium on the morphology of LPE grown InxGa1-xAs (x= 0-0.06) epilayers on patterned GaAs(100) substrates
    BALAKRISHNAN, K ; IIDA, S ; et al.
    In: Journal of materials science letters, Jg. 21 (2002), Heft 17, S. 1355-1358
    Online academicJournal
    Zugriff:
    Full Text Finder (Volltext)
    Wie komme ich dran?
  12. Detailansicht für Treffer 12 öffnen
    Interface-supersaturation estimated from the shape of steps on the surface of InP MCE by LPE
    NARITSUKA, Shigeya ; NISHINAGA, Tatau
    In: Journal of crystal growth, Jg. 222 (2001), Heft 1-2, S. 14-19
    academicJournal
    Wie komme ich dran?
  13. Detailansicht für Treffer 13 öffnen
    Elastically strained InGaAsP films grown by LPE and conception of stress-induced supercooling
    BOLKHOVITYANOV, YU. B
    In: Physica status solidi. A. Applied research, Jg. 151 (1995), Heft 2, S. 363-370
    Online academicJournal
    Zugriff:
    Full Text Finder (Volltext)
    Wie komme ich dran?
  14. Detailansicht für Treffer 14 öffnen
    Crystal structure of LPE-grown LiNbO3 epitaxial films
    KAIGAWA, K ; KAWAGUCHI, T ; et al.
    In: Journal of crystal growth, Jg. 177 (1997), Heft 3-4, S. 217-225
    academicJournal
    Wie komme ich dran?
  15. Detailansicht für Treffer 15 öffnen
    Non-abruptness of heterointerfaces during LPE growth of (Hg,Cd)Te on (Cd,Zn)Te and Cd(Te,Se) substrates
    UTKE, I ; FRENTRUP, W ; et al.
    In: Journal of crystal growth, Jg. 162 (1996), Heft 3-4, S. 126-134
    academicJournal
    Wie komme ich dran?
  16. Detailansicht für Treffer 16 öffnen
    A theorical approach to the In1-xGaxP LPE growth by computer simulation technique
    DIZAJI, H. R ; DHANASEKARAN, R
    In: Physica status solidi. A. Applied research, Jg. 156 (1996), Heft 1, S. 71-79
    Online academicJournal
    Zugriff:
    Full Text Finder (Volltext)
    Wie komme ich dran?
  17. Detailansicht für Treffer 17 öffnen
    On the bismuth composition dependent concentration of arsenic atoms during LPE growth of GaAs layers from Ga-As-Bi solution
    JEGANATHAN, K ; SARAVANAN, S ; et al.
    In: Physica status solidi. A. Applied research, Jg. 165 (1998), Heft 2, S. 437-443
    Online academicJournal
    Zugriff:
    Full Text Finder (Volltext)
    Wie komme ich dran?
  18. Detailansicht für Treffer 18 öffnen
    Crystal structure of LPE-grown LiNb1-xTaxO3 epitaxial films
    KAIGAWA, K ; KAWAGUCHI, T ; et al.
    In: Journal of crystal growth, Jg. 191 (1998), Heft 1-2, S. 119-124
    academicJournal
    Wie komme ich dran?
  19. Detailansicht für Treffer 19 öffnen
    Growth of alloy GaInP crystals by compositional conversion of InP layers grown on GaP substrates in an LPE system
    MOTOGAITO, A ; KIMURA, M ; et al.
    In: Journal of crystal growth, Jg. 182 (1997), Heft 3-4, S. 275-280
    academicJournal
    Wie komme ich dran?
  20. Detailansicht für Treffer 20 öffnen
    Low-temperature LPE overgrowth of InGaAs/InP mesa heterostructure
    PROCHAZKOVA, O ; NOVOTNY, J
    In: Crystal research and technology (1979), Jg. 28 (1993), Heft 7, S. 891-898
    academicJournal
    Wie komme ich dran?
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