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    Interplay between various active regions and the interband transition for AlGaN-based deep-ultraviolet light-emitting diodes to enable a reduced TM-polarized emission
    Chu, Chunshuang ; Shao, Hua ; et al.
    In: Journal of Applied Physics, Jg. 126 (2019-12-28), S. 245702-245702
    Online unknown
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    Electronic structure robustness and design rules for 2D colloidal heterostructures
    Lhuillier, Emmanuel ; Livache, Clément ; et al.
    In: Journal of Applied Physics, 2018
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    Preparation of GaN thin film and Ga2O3 nanoribbons by plasma immersion ion implantation of N into GaAs
    King Fai Li ; Lo, K. C. ; et al.
    In: Journal of Applied Physics, Jg. 95 (2004-06-15), S. 8178-8184
    Online unknown
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    Thermally induced optical effects in optical fibers by inverse methodology
    Chu, Shao-Shu ; Yang, Yu-Ching ; et al.
    In: Journal of Applied Physics, Jg. 95 (2004-05-01), S. 5159-5165
    Online unknown
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    Effects of magnetic field on pulse wave forms in plasma immersion ion implantation in a radio-frequency, inductively coupled plasma
    Chu, Paul K. ; Zeng, Xuchu ; et al.
    In: Journal of Applied Physics, Jg. 92 (2002-09-01), S. 2284-2289
    Online unknown
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    Modeling of incident particle energy distribution in plasma immersion ion implantation
    Kwok, Dixon T. K. ; Chu, Paul K. ; et al.
    In: Journal of Applied Physics, Jg. 88 (2000-11-01), S. 4961-4966
    Online unknown
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    Efficacy of high-frequency, low-voltage plasma immersion ion implantation of a bar-shaped target
    Zeng, Xuchu ; Zeng, Z.M. ; et al.
    In: Journal of Applied Physics, Jg. 88 (2000-09-01), S. 2221-2225
    Online unknown
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    Particle-in-cell and Monte Carlo simulation of the hydrogen plasma immersion ion implantation process
    Wood, Blake P. ; Chan, Chung ; et al.
    In: Journal of Applied Physics, Jg. 86 (1999-08-15), S. 1817-1821
    Online unknown
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    Carbon and group II acceptor coimplantation in GaAs
    Lau, S. S. ; Kwok Kwong Fung ; et al.
    In: Journal of Applied Physics, Jg. 84 (1998-11-01), S. 4929-4934
    Online unknown
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    Plasma immersion ion implantation of the interior surface of a large cylindrical bore using an auxiliary electrode
    Tang, Baoyin ; Chu, Paul K. ; et al.
    In: Journal of Applied Physics, Jg. 83 (1998), S. 44-49
    Online unknown
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  11. Detailansicht für Treffer 11 öffnen
    Mechanism of anomalous photoinduced transient current peak in amorphous silicon thin-film transistor
    Chu, M. H. ; Wu, Cheng-Hsiao
    In: Journal of Applied Physics, Jg. 81 (1997-05-01), S. 6461-6467
    Online unknown
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  12. Detailansicht für Treffer 12 öffnen
    Optical properties of nanoscale, one‐dimensional silicon grating structures
    Brueck, Steven R. J. ; Zaidi, Saleem H. ; et al.
    In: Journal of Applied Physics, Jg. 80 (1996-12-15), S. 6997-7008
    Online unknown
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    Spatially resolved atomic hydrogen concentrations and molecular hydrogen temperature profiles in the chemical‐vapor deposition of diamond
    Vestyck, D. J. ; Connell, L. L. ; et al.
    In: Journal of Applied Physics, Jg. 78 (1995-09-15), S. 3622-3634
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    Orbital control of Rashba spin orbit coupling in noble metal surfaces
    Gong, Shi-Jing ; Duan, Chun-Gang ; et al.
    In: Journal of Applied Physics, Jg. 119 (2016-03-28), S. 125310-125310
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    Fiber‐matrix interphase characterization in composites using ultrasonic velocity data
    Chu, Y. C. ; Rokhlin, S. I.
    In: Journal of Applied Physics, Jg. 76 (1994-10-01), S. 4121-4129
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    B‐site order and infrared reflectivity inA(B’B‘)O3complex perovskite ceramics
    Voitsekhovskii, V. V. ; Reaney, Ian M. ; et al.
    In: Journal of Applied Physics, Jg. 76 (1994-08-15), S. 2086-2092
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  17. Detailansicht für Treffer 17 öffnen
    Measurements of alloy composition and strain in thin GexSi1−xlayers
    Dacol, F. H. ; Tsang, J. C. ; et al.
    In: Journal of Applied Physics, Jg. 75 (1994-06-15), S. 8098-8108
    Online unknown
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    Properties of amorphous silicon/amorphous silicon‐germanium multilayers
    Shen, Dashen ; Wagner, Sigurd ; et al.
    In: Journal of Applied Physics, Jg. 75 (1994-02-01), S. 1638-1655
    Online unknown
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    Defects and ion redistribution in implant‐isolated GaAs‐based device structures
    Abernathy, C. R. ; Ren, Fan ; et al.
    In: Journal of Applied Physics, Jg. 74 (1993-12-01), S. 6580-6586
    Online unknown
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    Annealing kinetics ofa‐Si:H deposited by concentric‐electrode rf glow discharge at room temperature
    Wyrsh, N. ; Arienzo, M. ; et al.
    In: Journal of Applied Physics, Jg. 73 (1993-02-15), S. 1826-1831
    Online unknown
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