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    United States : MaxLinear Showcases Industrys First 5nm CMOS 800G PAM4 DSP on TSMC Advanced Process at OFC 2021.
    In: Mena Report, 2021-06-03
    Online Zeitungsartikel
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    Full Text Finder (Volltext)
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    MaxLinear Showcases Industry's First 5nm CMOS 800G PAM4 DSP on TSMC Advanced Process at OFC 2021.
    In: Business Wire, 2021-06-01
    Zeitungsartikel
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    United States Patent for CMOS FinFET Structures Including Work-Function Materials Having Different Proportions of Crystalline Orientations and Methods of Forming the Same Issued to Taiwan Semiconductor Manufacturing Co Ltd.
    In: Global IP News: Semiconductor Patent News, 2020-10-13
    Zeitungsartikel
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    Taiwan Semiconductor Manufacturing Co Ltd Awarded Patent for Strained Nanowire CMOS Device and Method of Forming.
    In: Global IP News: Semiconductor Patent News, 2020-07-28
    Zeitungsartikel
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    U.S. Patent and Trademark Office Awards Patent for Method and Structure for CMOS-MEMS Thin Film Encapsulation.
    In: Global IP News: Semiconductor Patent News, 2020-06-24
    Zeitungsartikel
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    Taiwan Semiconductor Manufacturing Co Ltd Seeks Patent for CMOS-MEMS Structure and Method of Forming the Same.
    In: Global IP News: Semiconductor Patent News, 2020-05-08
    Zeitungsartikel
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    Taiwan Semiconductor Manufacturing Co Ltd Submits United States Patent Application for Complimentary Metal-Oxide-Semiconductor (CMOS) with Low Contact Resistivity and Method of Forming Same.
    In: Global IP News: Semiconductor Patent News, 2020-04-16
    Zeitungsartikel
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    Reports on Electron Devices from Taiwan Semiconductor Manufacturing Company Limited Provide New Insights (Random Telegraph Noises In Cmos Image Sensors Caused By Variable Gate-induced Sense Node Leakage Due To X-ray Irradiation).
    In: Asia Business Newsweekly, 2019-04-16, S. 295
    Zeitungsartikel
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    ProMos to Open CMOS Sensor Fabless House in U.STaipei, Jan. 11, 2007 (CENS)--ProMos Technologies Inc. plans to build a US$10 million fabless house in the United States to design CMOS censor chips, the market demand for which has been recently fueled by.
    In: Taiwan Economic News, 2007-01-11
    serialPeriodical
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    Reducing COGS could double mammalian CMO use to 50%.
    In: Global Data Point, 2017-07-26
    Zeitungsartikel
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    Synthesizer Serves MB-OFDM UWB; This silicon CMOS frequency synthesizer achieves high sideband suppression for use in 14-band ultrawideband communications transceivers employing MB-OFDM techniques.
    In: Microwaves & RF, Jg. 51 (2012-03-01), Heft 3
    Online serialPeriodical
    Zugriff:
    Full Text Finder (Volltext)
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    ASIC Protyping Service covers CMOS, high-voltage, Flash, and RF.
    In: Product News Network, 2010-11-29
    serialPeriodical
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    CMOS Chip Contracts Ramp Up at TSMC.
    In: Taiwan Economic News, 2005-12-14
    serialPeriodical
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    Patent Issued for CMOS Devices with Schottky Source and Drain Regions (USPTO 9673105).
    In: China Weekly News, 2017-06-20, S. 804
    Zeitungsartikel
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    Patent Issued for Method for Manufacturing Germanium-Based CMOS Comprising Forming Silicon Cap over PMOS Region Having a Thickness Less than That over NMOS Region (USPTO 9666487).
    In: China Weekly News, 2017-06-13, S. 1121
    Zeitungsartikel
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    Patent Issued for Cascode CMOS Structure (USPTO 9607121).
    In: China Weekly News, 2017-04-11, S. 1406
    Zeitungsartikel
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    Patent Issued for Relaxed Silicon Germanium Platform for High Speed CMOS Electronics and High Speed Analog Circuits (USPTO 9515196).
    In: China Weekly News, 2016-12-20, S. 1435
    Zeitungsartikel
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    Aura Communications Selects TSMC Pure-Play Foundry; Aura's LibertyLink Enables Wireless Communication; Targeted for 0.25 Micron CMOS Process.
    In: Business Wire, 2001-08-21, S. 2057
    Zeitungsartikel
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    Patent Issued for Method for Forming Structure for Reducing Noise in CMOS Image Sensors (USPTO 9263486).
    In: China Weekly News, 2016-03-01, S. 1566
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    Patent Issued for CMOS Devices Having Dual High-Mobility Channels (USPTO 9257506).
    In: China Weekly News, 2016-02-23, S. 1094
    Zeitungsartikel
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