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    Patent Issued for Multiple deep trench isolation (MDTI) structure for CMOS image sensor (USPTO 11984465).
    In: Technology Business Journal, 2024-06-04, S. 2989
    Zeitungsartikel
    Wie komme ich dran?
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    Patent Issued for CMOS FinFET structures including work-function materials having different proportions of crystalline orientations and methods of forming the same (USPTO 11961768).
    In: Technology Business Journal, 2024-05-07, S. 1957
    Zeitungsartikel
    Wie komme ich dran?
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    Patent Issued for CMOS image sensor having indented photodiode structure (USPTO 11843007).
    In: Technology Business Journal, 2024-01-02, S. 1783
    Zeitungsartikel
    Wie komme ich dran?
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    Patent Issued for Strained nanowire CMOS device and method of forming (USPTO 11798989).
    In: Investment Weekly News, 2023-11-18, S. 3986
    Zeitungsartikel
    Wie komme ich dran?
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    Patent Issued for Dipole patterning for CMOS devices (USPTO 11791218).
    In: Technology Business Journal, 2023-11-07, S. 2492
    Zeitungsartikel
    Wie komme ich dran?
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    Patent Issued for Seal method to integrate non-volatile memory (NVM) into logic or bipolar CMOS DMOS (BCD) technology (USPTO 11711917).
    In: Technology Business Journal, 2023-08-15, S. 2996
    Zeitungsartikel
    Wie komme ich dran?
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    Patent Issued for CMOS finFET structures including work-function materials having different proportions of crystalline orientations and methods of forming the same (USPTO 11682589).
    In: Technology Business Journal, 2023-07-11, S. 2028
    Zeitungsartikel
    Wie komme ich dran?
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    Patent Issued for High voltage CMOS with co-planar upper gate surfaces for embedded non-volatile memory (USPTO 11672124).
    In: Technology Business Journal, 2023-06-27, S. 2452
    Zeitungsartikel
    Wie komme ich dran?
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    Patent Issued for Strained nanowire CMOS device and method of forming (USPTO 11652141).
    In: Investment Weekly News, 2023-06-10, S. 3543
    Zeitungsartikel
    Wie komme ich dran?
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    Patent Issued for Multiple deep trench isolation (MDTI) structure for CMOS image sensor (USPTO 11495630).
    In: Technology Business Journal, 2022-11-29, S. 2886
    Zeitungsartikel
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    Patent Issued for CMOS compatible BioFET (USPTO 11486854).
    In: Technology Business Journal, 2022-11-22, S. 1677
    Zeitungsartikel
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    Patent Issued for Metal gate structure of a CMOS semiconductor device and method of forming the same (USPTO 11393726).
    In: Technology Business Journal, 2022-08-09, S. 2888
    Zeitungsartikel
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    Patent Issued for Method for integrating complementary metal-oxide-semiconductor (CMOS) devices with microelectromechanical systems (MEMS) devices using a flat surface above a sacrificial layer (USPTO 11342266).
    In: Technology Business Journal, 2022-06-14, S. 2816
    Zeitungsartikel
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    Patent Issued for Strained nanowire CMOS device and method of forming (USPTO 11309385).
    In: Technology Business Journal, 2022-05-10, S. 3856
    Zeitungsartikel
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    Patent Issued for Method for manufacturing a MEMS device by first hybrid bonding a CMOS wafer to a MEMS wafer (USPTO 11279615).
    In: Technology Business Journal, 2022-04-12, S. 3273
    Zeitungsartikel
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    Patent Issued for CMOS-MEMS integration with through-chip via process (USPTO 11235969).
    In: Technology Business Journal, 2022-02-22, S. 1921
    Zeitungsartikel
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    Taiwan Semiconductor Manufacturing Co Ltd Granted United States Patent for Method for Integrating Complementary Metal-Oxide-Semiconductor (CMOS) Devices with Microelectromechanical Systems (MEMS) Devices Using a Flat Surface Above a Sacrificial Layer.
    In: Global IP News: Semiconductor Patent News, 2022-05-25
    Zeitungsartikel
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    United States Patent for Strained Nanowire CMOS Device and Method of Forming Issued to Taiwan Semiconductor Manufacturing Co Ltd.
    In: Global IP News: Nanotech Patent News, 2022-04-20
    Zeitungsartikel
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  19. Detailansicht für Treffer 19 öffnen
    Taiwan Semiconductor Manufacturing Co Ltd Gets Patent for Method and Apparatus for CMOS Sensor Packaging.
    In: Global IP News: Semiconductor Patent News, 2022-04-06
    Zeitungsartikel
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  20. Detailansicht für Treffer 20 öffnen
    U.S. Patent and Trademark Office Receives Taiwan Semiconductor Manufacturing Co Ltd's Patent Application for CMOS Image Sensor Having Indented Photodiode Structure.
    In: Global IP News: Optics & Imaging Patent News, 2022-03-11
    Zeitungsartikel
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