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    Recent Findings in Solid State Electronics Described by Researchers from International Business Machines Corporation - IBM T.J. Watson Research Center (Multi-mode 60-ghz Radar Transmitter Soc In 45-nm Soi Cmos)
    In: Information Technology Newsweekly, 2020-06-02, S. 803
    Zeitungsartikel
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    Data on Materials Science Detailed by Researchers at School of Computing and Electrical Engineering (Alternate lanthanum oxide/silicon oxynitride-based gate stack performance enhancement due to ultrathin oxynitride interfacial layer for CMOS ...)
    In: Technology News Focus, 2020-03-18, S. 413
    Zeitungsartikel
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    'Porous Silicon Relaxation Medium For Dislocation Free Cmos Devices' in Patent Application Approval Process (USPTO 20200043811)
    In: Technology Business Journal, 2020-02-25, S. 1707
    Zeitungsartikel
    Wie komme ich dran?
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    Reports Outline Microwave Research Study Findings from University of California San Diego (UCSD) (Design of E- and W-band Low-noise Amplifiers In 22-nm Cmos Fd-soi)
    In: Journal of Technology, 2020-02-11, S. 2386
    Zeitungsartikel
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    New Findings from National Chiao-Tung University Update Understanding of Electron Devices (Design of High-voltage-tolerant Power-rail Esd Protection Circuit for Power Pin of Negative Voltage In Low-voltage Cmos Processes)
    In: Technology News Focus, 2020-02-05, S. 324
    Zeitungsartikel
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    Research Conducted at International Business Machines Corporation (IBM) Has Updated Our Knowledge about Electron Devices (InGaAs FinFETs 3-D Sequentially Integrated on FDSOI Si CMOS With Record Performance)
    In: Information Technology Newsweekly, 2020-02-04, S. 525
    Zeitungsartikel
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    Researchers Submit Patent Application, 'CMOS Based Devices For Harsh Media', for Approval (USPTO 20190385923)
    In: Journal of Technology, 2020-01-07, S. 6705
    Zeitungsartikel
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    New Electron Devices Findings from Hiroshima University Described (Single-Crystalline Si-CMOS Circuit Fabrication on Polyethylene Terephthalate Substrate by Meniscus Force-Mediated Layer Transfer)
    In: Journal of Technology, 2019-12-03, S. 2485
    Zeitungsartikel
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    Investigators from University of California - Santa Barbara Target Quantum Dots (High-performance O-band Quantum-dot Semiconductor Optical Amplifiers Directly Grown On a Cmos Compatible Silicon Substrate)
    In: Technology News Focus, 2019-11-13, S. 331
    Zeitungsartikel
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    Findings in the Area of Sensor Research Reported from International Business Machines Corporation (Cmos-compatible Wearable Sensors Fabricated Using Controlled Spalling)
    In: Information Technology Newsweekly, 2019-09-17, S. 140
    Zeitungsartikel
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    Recent Findings in Chemical Sensors and Actuators Described by Researchers from Bruno Kessler Foundation (Development of MEMS MOS gas sensors with CMOS compatible PECVD inter-metal passivation)
    In: Journal of Technology, 2019-08-06, S. 3106
    Zeitungsartikel
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    Researchers at National Cheng Kung University Report New Data on Sensor Research (The Effect of In-plane Thermocouple Dimension On the Performance of Cmos and Bicmos Thermoelectric Generators)
    In: Journal of Technology, 2019-07-09, S. 2835
    Zeitungsartikel
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    Investigators at University of California - Riverside Describe Findings in Microwave Research (Blocking Flying Crosstalk In Beol Validated In Antenna Switches In 45-nm Soi Cmos)
    In: Journal of Technology, 2019-07-02, S. 1506
    Zeitungsartikel
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    Researchers from University of Electronic Science and Technology of China Discuss Findings in Electron Devices (An Injection Enhanced Ligbt On Thin Soi Layer Compatible With Cmos Process)
    In: Technology News Focus, 2019-06-19, S. 3962
    Zeitungsartikel
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    New Data from ZheJiang University Illuminate Findings in Materials Science (CMOS-Compatible Antimony-Doped Germanium Epilayers for Mid-Infrared Low-Loss High-Plasma-Frequency Plasmonics)
    In: Journal of Technology, 2019-06-04, S. 2453
    Zeitungsartikel
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    Patent Application Titled 'Porous Silicon Relaxation Medium For Dislocation Free Cmos Devices' Published Online (USPTO 20190109056)
    In: Technology Business Journal, 2019-04-30, S. 2777
    Zeitungsartikel
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    Studies from Ghent University in the Area of Photonics Reported (Low-power 56gb/s Nrz Microring Modulator Driver In 28nm Fdsoi Cmos)
    In: Journal of Technology, 2019-04-23, S. 3794
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    Investigators at Lund University Report Findings in Microwave Research (An Injection-locked Power Up-converter In 65-nm Cmos for Cellular Applications)
    In: Journal of Technology, 2019-04-16, S. 1872
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    Patent Issued for Porous Silicon Relaxation Medium For Dislocation Free CMOS Devices (USPTO 10,204,836)
    In: Technology Business Journal, 2019-02-26, S. 1706
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    Patent Issued for Enhancing Robustness Of SOI Substrate Containing A Buried N.Sup.+ Silicon Layer For CMOS Processing (USPTO 10,204,823)
    In: Technology Business Journal, 2019-02-26, S. 1439
    Zeitungsartikel
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