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    Detailed investigation of active CMOS mixers noise in submicron technology
    BENQING, GUO ; JIANGUO, MA ; et al.
    In: Microelectronics journal, Jg. 42 (2011), Heft 1, S. 196-203
    academicJournal
    Wie komme ich dran?
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    High-voltage LDMOS transistors fully compatible with a deep-submicron 0.35 μm CMOS process
    SANTOS, P. M ; COSTA, Vitor ; et al.
    In: Microelectronics journal, Jg. 38 (2007), Heft 1, S. 35-40
    academicJournal
    Wie komme ich dran?
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    Design of a tunable frequency CMOS fully differential fourth-order Chebyshev filter
    JINGUANG, JIANG ; YAONAN, WANG
    In: Microelectronics journal, Jg. 37 (2006), Heft 1, S. 84-90
    academicJournal
    Wie komme ich dran?
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    TCAD study on gate-all-around cylindrical (GAAC) transistor for CMOS scaling to the end of the roadmap
    DEYUAN, XIAO ; XI, WANG ; et al.
    In: Microelectronics journal, Jg. 40 (2009), Heft 12, S. 1766-1771
    academicJournal
    Wie komme ich dran?
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    Gated hybrid Hall effect device on silicon
    DAS KANUNGO, Pratyush ; IMRE, Alexandra ; et al.
    In: Low Dimensional Structures and Devices Conference, Jg. 36 (2005), Heft 3-6, S. 294-297
    Konferenz
    Wie komme ich dran?
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    Multi-objective genetic algorithms based approach to optimize the electrical performances of the gate stack double gate (GSDG) MOSFET
    DJEFFAL, F ; BENDIB, T
    In: Microelectronics journal, Jg. 42 (2011), Heft 5, S. 661-666
    academicJournal
    Wie komme ich dran?
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    Design and performance analysis of double-gate MOSFET over single-gate MOSFET for RF switch
    SRIVASTAVA, Viranjay M ; YADAV, K. S ; et al.
    In: Microelectronics journal, Jg. 42 (2011), Heft 3, S. 527-534
    academicJournal
    Wie komme ich dran?
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    Impact of technology scaling on thermal behavior of leakage current in sub-quarter micron MOSFETs: perspective of low temperature current testing
    SEMENOV, Oleg ; VASSIGHI, Arman ; et al.
    In: 10th SASIMI workshop, Nara, Japan, 2001, Jg. 33 (2002), Heft 11, S. 985-994
    Konferenz
    Wie komme ich dran?
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    A novel current reference based on subthreshold MOSFETs with high PSRR
    YU, GUOYI ; ZOU, XUECHENG
    In: Microelectronics journal, Jg. 39 (2008), Heft 12, S. 1874-1879
    academicJournal
    Wie komme ich dran?
  10. Detailansicht für Treffer 10 öffnen
    A monolithic based NIRS front-end wireless sensor
    ACHIGUI, Hervé F ; SAWAN, Mohamad ; et al.
    In: Microelectronics journal, Jg. 39 (2008), Heft 10, S. 1209-1217
    academicJournal
    Wie komme ich dran?
  11. Detailansicht für Treffer 11 öffnen
    Modelling of through silicon via and devices electromagnetic coupling
    ABOUELATTA-EBRAHIM, Mohamed ; DAHMANI, Rabah ; et al.
    In: Microelectronics journal, Jg. 42 (2011), Heft 2, S. 316-324
    academicJournal
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  12. Detailansicht für Treffer 12 öffnen
    Perspectives and challenges in nanoscale device modeling
    IANNACCONE, Giuseppe
    In: European Micro and Nano Systems, Jg. 36 (2005), Heft 7, S. 614-618
    Konferenz
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  13. Detailansicht für Treffer 13 öffnen
    A high-efficiency DC-DC buck converter for sub-2 x VDD power supply
    WANG, Chua-Chin ; CHEN, Chih-Lin ; et al.
    In: Microelectronics journal, Jg. 42 (2011), Heft 5, S. 709-717
    academicJournal
    Wie komme ich dran?
  14. Detailansicht für Treffer 14 öffnen
    Design of adaptive supply voltage for sub-threshold logic based on sub-1 V bandgap reference circuit
    TEH, Y. K ; MOHD-YASIN, F ; et al.
    In: Microelectronics journal, Jg. 39 (2008), Heft 1, S. 24-29
    academicJournal
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  15. Detailansicht für Treffer 15 öffnen
    The temperature mobility degradation influence on the zero temperature coefficient of partially and fully depleted SOI MOSFETs
    CAMILLO, L. M ; MARTINO, J. A ; et al.
    In: Microelectronics journal, Jg. 37 (2006), Heft 9, S. 952-957
    academicJournal
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    Silicon-on-insulator power integrated circuits
    GARNER, D. M ; UDREA, F ; et al.
    In: 5th International Seminar on Power Semiconductors, Jg. 32 (2001), Heft 5-6, S. 517-526
    academicJournal
    Wie komme ich dran?
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