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    Effect of process parameters on dislocation density in thick 4H-SiC epitaxial layers grown by chloride-based CVD on 4 degrees off-axis substrates
    Yazdanfar, Milan ; Pedersen, Henrik ; et al.
    In: SILICON CARBIDE AND RELATED MATERIALS 2013, PTS 1 AND 2 Materials Science Forum, 2014, S. 159-162
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    Low Temperature CVD of Thin, Amorphous Boron-Carbon Films for Neutron Detectors
    Pedersen, Henrik ; Höglund, Carina ; et al.
    In: Chemical Vapor Deposition, Jg. 18 (2012), Heft 7-9, S. 221-224
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    Simulations of SiC CVD - Perspectives on the need for surface reaction model improvements
    Danielsson, Örjan ; Kordina, Olle ; et al.
    In: SILICON CARBIDE AND RELATED MATERIALS 2013, PTS 1 AND 2 Magisteruppsats från Affärsjuridiska programmet Materials Science Forum, 2014, S. 218-221
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    Numerical Parameterization of Chemical-Vapor-Deposited (CVD) Single-Crystal Diamond for Device Simulation and Analysis
    Rashid, S. J. ; Tajani, A. ; et al.
    In: IEEE Transactions on Electron Devices, Jg. 55 (2008), Heft 10, S. 2744-2756
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    SiC epitaxy growth using chloride-based CVD
    Henry, Anne ; Leone, Stefano ; et al.
    In: Physica. B, Condensed matter, Jg. 407 (2012), Heft 10, S. 1467-1471
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    Revisiting the Thermochemical Database of Si-C-H System Related to SiC CVD Modeling
    Sukkaew, Pitsiri ; Ojamäe, Lars ; et al.
    In: SILICON CARBIDE AND RELATED MATERIALS 2013, PTS 1 AND 2 Materials Science Forum, 2014, S. 175-178
    Online unknown
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    Process stability and morphology optimization of very thick 4H-SiC epitaxial layers grown by chloride-based CVD
    Yazdanfar, Milan ; Stenberg, Pontus ; et al.
    In: Journal of Crystal Growth, Jg. 380 (2013), S. 55-60
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    Electronic Characterization of CVD Diamond
    Majdi, Saman ; Hemmingsson, Carl, Dr
    In: UURIE / Uppsala universitet, Institutitionen för teknikvetenskaper, 2010
    Online unknown
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    The Influence of Dopants on the Growth of Diamond by CVD
    Van Regemorter, Tanguy ; Larsson, Karin, Pr. ; et al.
    In: Digital Comprehensive Summaries of Uppsala Dissertations from the Faculty of Science and Technology, 2009
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    Chloride-Based CVD of 4H-SiC at High Growth Rates on Substrates with Different Off-Angles
    Leone, Stefano ; Pedersen, Henrik ; et al.
    In: Materials Science Forum Vols, 2012, S. 113-116
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    CVD Heteroepitaxial Growth of 3C-SiC on 4H-SiC (0001) Substrates
    Li, Xun ; Leone, Stefano ; et al.
    In: Materials Science Forum Vols, 2012, S. 189-192
    Online unknown
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    Characterization by Internal Photoemission Spectroscopy of Single-Crystal CVD Diamond Schottky Barrier Diodes
    Majdi, Saman ; Gabrysch, Markus ; et al.
    In: Journal of Electronic Materials, Jg. 39 (2010), Heft 8, S. 1203-1208
    Online unknown
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    CVD Growth of Silicon Carbide for High Frequency Applications
    Forsberg, Urban ; Janzén, Erik, Professor ; et al.
    In: Linköping Studies in Science and Technology. Dissertations, 2001
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    Carrot defect control in chloride-based CVD through optimized ramp up conditions
    Yazdanfar, Milan ; Leone, Stefano ; et al.
    In: Materials Science Forum Vols, 2012, S. 109-112
    Online unknown
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    Growth of AlN films by hot-wall CVD and sublimation techniques: Effect of growth cell pressure
    Kakanakova-Georgieva, Anelia ; Forsberg, Urban ; et al.
    In: Materials Science Forum,, 2002, S. 1469-1472
    Online unknown
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  16. Detailansicht für Treffer 16 öffnen
    Enlarging the usable growth area in a hot-wall silicon carbide CVD reader by using simulation
    Danielsson, Ö ; Forsberg, Urban ; et al.
    In: Materials Science Forum,, 2001, S. 99-102
    Online unknown
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    Fast SiC epitaxial growth in a chimney CVD reactor and HTCVD crystal growth developments
    Ellison, A ; Zhang, J ; et al.
    In: Materials science Forum, Vols. Materials Science Forum, 2000, S. 131-136
    Online unknown
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  18. Detailansicht für Treffer 18 öffnen
    Laser-assisted CVD Fabrication and Characterization of Carbon and Tungsten Microhelices for Microthrusters
    Williams, Kirk L. ; Köhler, Johan, Dr. ; et al.
    In: Digital Comprehensive Summaries of Uppsala Dissertations from the Faculty of Science and Technology, 2006
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    Aluminum doping of epitaxial silicon carbide grown by hot-wall CVD, Effect of process parameters
    Forsberg, Urban ; Danielsson, Örjan ; et al.
    In: Proceedings of the International Conference on Silicon Carbide and Related Materials, Tsukuba, 2001 Materials Science Forum, 2002, S. 203-206
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    Growth characteristics of SiC in a hot-wall CVD reactor with rotation
    Zhang, J ; Forsberg, Urban ; et al.
    In: Materials Science Forum(ISSN ) Volume, 2002, S. 191-194
    Online unknown
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    Wie komme ich dran?
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