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    Gate Stack Optimisation for Advanced CMOS Process
    Kubicek, S. ; Vandenberghe, G. ; et al.
    In: 29th European Solid-State Device Research Conference, Jg. 1 (1999), S. 412-415
    Konferenz
    Wie komme ich dran?
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    Optimization of Critical Ion Implantation Steps in 0.18 um CMOS Technology
    Bourenkov, A. ; Wittl, J. ; et al.
    In: 28th European Solid-State Device Research Conference, 1998, S. 92-95
    Konferenz
    Wie komme ich dran?
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    Transport Properties of the SiO(2)/Ta(2)O(5) stack as Gate Dielectric in CMOS Processes
    Devoivre, T. ; Papadas, C. ; et al.
    In: 28th European Solid-State Device Research Conference, 1998, S. 152-155
    Konferenz
    Wie komme ich dran?
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    Optimization of Gate Oxide Recipes for 0.18 um CMOS Technology
    van Brandenburg, A.C.M.C. ; Stolk, P.A. ; et al.
    In: 28th European Solid-State Device Research Conference, 1998, S. 356-359
    Konferenz
    Wie komme ich dran?
  5. Detailansicht für Treffer 5 öffnen
    Active Area Oxidation During the Densification of Shallow Trench Isolation for sub-0.25 micron CMOS
    Bazley, D.J. ; Jones, S.K. ; et al.
    In: 28th European Solid-State Device Research Conference, 1998, S. 124-127
    Konferenz
    Wie komme ich dran?
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    Water-Assisted Positive Ion Contamination Resulting in Charge Loss in Nonvolatile Memories
    Gassot, P. ; Iline, A. ; et al.
    In: 30th European Solid-State Device Research Conference, 2000, S. 268-271
    Konferenz
    Wie komme ich dran?
  7. Detailansicht für Treffer 7 öffnen
    Critical Study of the Saturation Drain Voltage and the Multiplication Current in MOSFETs at Liquid Helium Temperature
    Simoen, E. ; Claeys, C.
    In: 31st European Solid-State Device Research Conference, 2001, S. 195-198
    Konferenz
    Wie komme ich dran?
  8. Detailansicht für Treffer 8 öffnen
    Experimental and Numerical Study of Shallow Trench Isolation Processes
    Erlebach, A. ; Yun, C.S. ; et al.
    In: 31st European Solid-State Device Research Conference, 2001, S. 223-226
    Konferenz
    Wie komme ich dran?
  9. Detailansicht für Treffer 9 öffnen
    Gate polysilicon optimization for deep-submicron MOSFETs
    Schmitz, J. ; Tuinhout, H.P. ; et al.
    In: 29th European Solid-State Device Research Conference, Jg. 1 (1999), S. 156-159
    Konferenz
    Wie komme ich dran?
  10. Detailansicht für Treffer 10 öffnen
    Silicon Nitridation by Nitric Oxide (NO) for Ta2O5 Gate Dielectric Application in MOS Devices
    Devoivre, T. ; Martin, F. ; et al.
    In: 29th European Solid-State Device Research Conference, Jg. 1 (1999), S. 420-423
    Konferenz
    Wie komme ich dran?
  11. Detailansicht für Treffer 11 öffnen
    Effects of Ge Preamorphization on the Specific Contact Resistance of TiSi2 to Silicon
    van Melick, N.G.H. ; Kaiser, M. ; et al.
    In: 29th European Solid-State Device Research Conference, Jg. 1 (1999), S. 640-643
    Konferenz
    Wie komme ich dran?
  12. Detailansicht für Treffer 12 öffnen
    Ultra-Thin Elevated Channel Low Temperature Poly-Si TFTs for Fully-Integrated AMLCD Systems on Glass
    Zhu, C. ; Zhang, S. ; et al.
    In: 29th European Solid-State Device Research Conference, Jg. 1 (1999), S. 708-711
    Konferenz
    Wie komme ich dran?
  13. Detailansicht für Treffer 13 öffnen
    Device Reliability and Repeatability of a High Performance Si/SiGe HBT BiCMOS Technology
    Ahlgren, D.C. ; Hueckel, G. ; et al.
    In: 28th European Solid-State Device Research Conference, 1998, S. 452-455
    Konferenz
    Wie komme ich dran?
  14. Detailansicht für Treffer 14 öffnen
    Prediction of MOS Matching in Weak and Moderate Inversion from Threshold Matching in Strong Inversion
    Denison, M. ; Pergoot, A. ; et al.
    In: 28th European Solid-State Device Research Conference, 1998, S. 648-651
    Konferenz
    Wie komme ich dran?
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