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    Ge instability and the growth of Ge epitaxial layers in nanochannels on patterned Si (001) substrates.
    Wang, G. ; Rosseel, E. ; et al.
    In: Journal of Applied Physics, Jg. 108 (2010-12-15), Heft 12, S. 123517-1- (8S.)
    Online academicJournal
    Zugriff:
    Full Text Finder (Volltext)
    Wie komme ich dran?
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    Growth of high Ge content SiGe on (110) oriented Si wafers
    Hikavyy, A. ; Vanherle, W. ; et al.
    In: Thin Solid Films, Jg. 520 (2012-02-01), Heft 8, S. 3179-3184
    academicJournal
    Wie komme ich dran?
xs 0 - 576
sm 576 - 768
md 768 - 992
lg 992 - 1200
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