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    Terahertz detectors from Be-doped low-temperature grown InGaAs/InAlAs: Interplay of annealing and terahertz performance.
    Globisch, B. ; Dietz, R. J. B. ; et al.
    In: AIP Advances, Jg. 6 (2016-12-01), Heft 12, S. 1-9
    Online academicJournal
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    Improved sensitivity of terahertz detection by GaAs photoconductive antennas excited at 1560 nm.
    Kataoka, T. ; Kajikawa, K. ; et al.
    In: Applied Physics Letters, Jg. 97 (2010-11-15), Heft 20, S. 201110-201112
    Online academicJournal
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    Detection of terahertz waves using low-temperature-grown InGaAs with 1.56 μm pulse excitation.
    Takazato, A. ; Kamakura, M. ; et al.
    In: Applied Physics Letters, Jg. 90 (2007-03-05), Heft 10, S. 101119-101121
    Online academicJournal
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    Optical and terahertz power limits in the low-temperature-grown GaAs photomixers.
    Verghese, S. ; McIntosh, K. A. ; et al.
    In: Applied Physics Letters, Jg. 71 (1997-11-10), S. 2743-2745
    Online academicJournal
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    Terahertz Generation (0.3-0.8THz) Achieved by Photomixer Based on Low-temperature Grown InGaAs Emitter.
    Kim, J. O. ; Lee, S. J. ; et al.
    In: AIP Conference Proceedings, Jg. 1399 (2011-12-22), Heft 1, S. 921-922
    Konferenz
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