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    CMOS radiation sensor with binary output
    MORENO, E. G ; INIGUEZ, B ; et al.
    In: IEEE transactions on nuclear science, Jg. 42 (1995), Heft 3, S. 174-178
    Online academicJournal
    Zugriff:
    Volltext
    Wie komme ich dran?
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    Simulated SEU hardened scaled CMOS SRAM cell design using gated resistors
    ROCKETT, L. R
    In: IEEE transactions on nuclear science, Jg. 39 (1992), Heft 5, S. 1532-1541
    Online academicJournal
    Zugriff:
    Volltext
    Wie komme ich dran?
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    A circuit design for the improvement of radiation hardness in CMOS digital circuits
    CHAO-CHENG, CHEN ; SOW-CHANG, LIU ; et al.
    In: IEEE transactions on nuclear science, Jg. 39 (1992), Heft 2, S. 272-277
    Online academicJournal
    Zugriff:
    Volltext
    Wie komme ich dran?
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    Numerical simulation of single event latchup in the temperature range of 77-450 K
    IWATA, H ; OHZONE, T
    In: IEEE transactions on nuclear science, Jg. 42 (1995), Heft 3, S. 148-154
    Online academicJournal
    Zugriff:
    Volltext
    Wie komme ich dran?
xs 0 - 576
sm 576 - 768
md 768 - 992
lg 992 - 1200
xl 1200 - 1366
xxl 1366 -