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    Negative Bias Temperature Instability in CMOS Devices
    MAHAPATRA, S ; ALAM, M. A ; et al.
    In: Infos 2005: Proceedings of the 14th Biennal Conference on Insulating Films on Semiconductors, June 22-24, Jg. 80 (2005), S. 114-121
    Konferenz
    Wie komme ich dran?
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    Voltage Ramp Stress for Hot-Carrier Screening of Scaled CMOS Devices
    KERBER, A ; MCMAHON, W ; et al.
    In: IEEE electron device letters, Jg. 33 (2012), Heft 6, S. 749-751
    Online academicJournal
    Zugriff:
    Volltext
    Wie komme ich dran?
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    Some issues of hot-carrier degradation and negative bias temperature instability of advanced SOI CMOS transistors
    IOANNOU, D. P ; IOANNOU, D. E
    In: EUROSOI'06 Conference. Selected papers, Jg. 51 (2007), Heft 2, S. 268-277
    Konferenz
    Wie komme ich dran?
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    HKMG CMOS technology qualification: The PBTI reliability challenge
    IOANNOU, Dimitris P
    In: Microelectronics and reliability, Jg. 54 (2014), Heft 8, S. 1489-1499
    academicJournal
    Wie komme ich dran?
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    High performance and highly reliable novel CMOS devices using accumulation mode multi-gate and fully depleted SOI MOSFETs
    CHENG, W ; TERAMOTO, A ; et al.
    In: INFOS 2007: Proceedings of the 15th Biennial Conference on Insulating Films on Semiconductors, June 20-23, Jg. 84 (2007), Heft 9-10, S. 2105-2108
    Konferenz
    Wie komme ich dran?
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    Reliability control monitor guideline of negative bias temperature instability for 0.13 μm CMOS technology
    WANG, C. S ; CHANG, W. C ; et al.
    In: Proceedings of the 11th International Symposium on the Physical & Failure Analysis of Integrated Circuits (IPFA 2004), 2004, S. 315-318
    Konferenz
    Wie komme ich dran?
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    Extended scaling of ultrathin gate oxynitride toward sub-65nm CMOS by optimization of UV photo-oxidation, soft plasma/thermal nitridation & stress enhancement
    CHEN, Chi-Chun ; CHANG, V. S ; et al.
    In: 2004 Symposium on VLSI Technology (digest of technical papers), , S. 176-177
    Konferenz
    Wie komme ich dran?
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    Negative bias temperature instability in strain-engineered p-MOSFETs: a simulation study
    TAPAS KUMAR, MAITI ; SATYA SOPAN, MAHATO ; et al.
    In: Journal of computational electronics (Print), Jg. 9 (2010), Heft 1, S. 1-7
    Online academicJournal
    Zugriff:
    Full Text Finder (Volltext)
    Wie komme ich dran?
  9. Detailansicht für Treffer 9 öffnen
    Positive Bias Temperature Instability in nMOSFETs with ultra-thin Hf-silicate gate dielectrics
    CRUPI, F ; PACE, C ; et al.
    In: Infos 2005: Proceedings of the 14th Biennal Conference on Insulating Films on Semiconductors, June 22-24, Jg. 80 (2005), S. 130-133
    Konferenz
    Wie komme ich dran?
  10. Detailansicht für Treffer 10 öffnen
    Impact of Off-State Stress and Negative Bias Temperature Instability on Degradation of Nanoscale pMOSFET
    LEE, Nam-Hyun ; KIM, Hyungwook ; et al.
    In: IEEE electron device letters, Jg. 33 (2012), Heft 2, S. 137-139
    Online academicJournal
    Zugriff:
    Volltext
    Wie komme ich dran?
  11. Detailansicht für Treffer 11 öffnen
    The Relation Between Degradation Under DC and RF Stress Conditions
    SCHOLTEN, Andries J ; STEPHENS, Daniel ; et al.
    In: I.E.E.E. transactions on electron devices, Jg. 58 (2011), Heft 8, S. 2721-2728
    Online academicJournal
    Zugriff:
    Volltext
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  12. Detailansicht für Treffer 12 öffnen
    MOSFET Degradation Under RF Stress
    SASSE, Guido T ; KUPER, Fred G ; et al.
    In: I.E.E.E. transactions on electron devices, Jg. 55 (2008), Heft 11, S. 3167-3174
    Online academicJournal
    Zugriff:
    Volltext
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  13. Detailansicht für Treffer 13 öffnen
    A comprehensive study of channel hot-carrier degradation in short channel MOSFETs with high-k dielectrics
    AMAT, E ; KAUERAUF, T ; et al.
    In: Microelectronic engineering, Jg. 103 (2013), S. 144-149
    academicJournal
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  14. Detailansicht für Treffer 14 öffnen
    Effect of nitrogen profile and fluorine incorporation on negative-bias temperature instability of ultrathin plasma-nitrided SiON MOSFETs
    TERAI, Masayuki ; WATANABE, Koji ; et al.
    In: I.E.E.E. transactions on electron devices, Jg. 54 (2007), Heft 7, S. 1658-1665
    Online academicJournal
    Zugriff:
    Volltext
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  15. Detailansicht für Treffer 15 öffnen
    Theory of interface-trap-induced NBTI degradation for reduced cross section MOSFETs
    KÜFLÜOGLU, Haldun ; ALAM, Muhammad Ashraful
    In: I.E.E.E. transactions on electron devices, Jg. 53 (2006), Heft 5, S. 1120-1130
    Online academicJournal
    Zugriff:
    Volltext
    Wie komme ich dran?
  16. Detailansicht für Treffer 16 öffnen
    Statistical Interactions of Multiple Oxide Traps Under BTI Stress of Nanoscale MOSFETs
    MARKOV, Stanislav ; AMOROSO, Salvatore Maria ; et al.
    In: IEEE electron device letters, Jg. 34 (2013), Heft 5, S. 686-688
    Online academicJournal
    Zugriff:
    Volltext
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  17. Detailansicht für Treffer 17 öffnen
    3-D Statistical Simulation Comparison of Oxide Reliability of Planar MOSFETs and FinFET
    GERRER, Louis ; AMOROSO, Salvatore Maria ; et al.
    In: I.E.E.E. transactions on electron devices, Jg. 60 (2013), Heft 12, S. 4008-4013
    Online academicJournal
    Zugriff:
    Volltext
    Wie komme ich dran?
  18. Detailansicht für Treffer 18 öffnen
    VLSI MOSFETs lifetime reduction caused by impedance mismatch
    LIVSHITS, Pavel ; GURFINKEL, Moshe ; et al.
    In: Microelectronic engineering, Jg. 88 (2011), Heft 1, S. 28-31
    academicJournal
    Wie komme ich dran?
  19. Detailansicht für Treffer 19 öffnen
    A comparison of plasma-induced damage on the reliability between high-k/metal-gate and SiO2/poly-gate complementary metal oxide semiconductor technology
    WENG, Wu-Te ; LEE, Yao-Jen ; et al.
    In: Solid-state electronics, Jg. 54 (2010), Heft 4, S. 368-377
    academicJournal
    Wie komme ich dran?
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    Effect of plasma process-induced damage on bias temperature instability of MOSFETs
    JANG, T. S ; HA, M. H ; et al.
    In: Microelectronic engineering, Jg. 83 (2006), Heft 3, S. 415-422
    academicJournal
    Wie komme ich dran?
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