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    Investigation of Multicarrier Transport in LPE-Grown Hg1−x Cd x Te Layers
    Phillips, V. ; Umana-Membreno, Gilberto A. ; et al.
    In: Journal of Electronic Materials, Jg. 39 (2010-02-11), S. 1023-1029
    Online unknown
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    Volltext (PDF)
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    Defects in LPE-grown β-barium borate (β-BaB2O4) thin films
    Liu, J.P. ; Yao, Wu ; et al.
    In: Optik, Jg. 118 (2007-10-01), S. 487-490
    Online unknown
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    Effect of substrates on superconductivity and composition of the IR-LPE La2−xSrxCuO4 single crystalline films
    Islam, A. T. M. N. ; Tanaka, Isao ; et al.
    In: Physica C: Superconductivity, 2003-10-01, S. 1302-1305
    Online unknown
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  4. Detailansicht für Treffer 4 öffnen
    Fabrication of RE123 coated conductor using LPE process
    Shiohara, Y. ; Asada, S. ; et al.
    In: Physica C: Superconductivity, 2003-10-01, S. 946-950
    Online unknown
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    The effect of high-frequency sonication on charge carrier transport in LPE and MBE HgCdTe layers
    Savkina, R. K. ; Smirnov, A. B. ; et al.
    In: Semiconductor Science and Technology, Jg. 22 (2006-12-19), S. 97-102
    Online unknown
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    LPE growth of crack-free PbSe layers on Si(100) using MBE-Grown PbSe/BaF2CaF2 buffer layers
    Johnson, M. B. ; O’Steen, M. L. ; et al.
    In: Journal of Electronic Materials, Jg. 26 (1997-05-01), S. 444-448
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    The effect of post-annealing process in NdGaO3 new seed layer for LPE
    Yoo, Sang-Im ; Yamada, Yasuji ; et al.
    In: Physica C: Superconductivity, 2003-10-01, S. 951-955
    Online unknown
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    Fabrication by LPE and characterization of YBa/sub 2/Cu/sub 3/O/sub 7- delta / thin films on NdGaO/sub 3/ substrates
    Zhigunov, D.I. ; Olekhnovich, N.M. ; et al.
    In: IEEE Transactions on Applied Superconductivity, Jg. 3 (1993-03-01), S. 1074-1077
    Online unknown
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    X-ray diffraction characterization of LPE HgCdTe heterojunction photodiode material
    Tobin, S. P. ; Kestigian, M. ; et al.
    In: Journal of Electronic Materials, Jg. 22 (1993-08-01), S. 959-966
    Online unknown
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  10. Detailansicht für Treffer 10 öffnen
    A new LPE growth method of semiconductor heterostructures with thickness profile variation of epitaxial layers
    Mishurnyi, V. A. ; F. De Anda ; et al.
    In: Journal of Electronic Materials, Jg. 27 (1998-08-01), S. 1003-1004
    Online unknown
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  11. Detailansicht für Treffer 11 öffnen
    Supercooling studies and LPE growth of Hg1−xCdxTe from Te-Rich solutions
    E G Bylander ; Korenstein, R ; et al.
    In: Journal of Electronic Materials, Jg. 15 (1986-05-01), S. 151-157
    Online unknown
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  12. Detailansicht für Treffer 12 öffnen
    Effects of In and Sb doping in LPE growth thermodynamics and in GaAs layer qualities
    Chen, J. F. ; Wie, C. R.
    In: Journal of Electronic Materials, Jg. 18 (1989-05-01), S. 399-406
    Online unknown
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  13. Detailansicht für Treffer 13 öffnen
    Selective area LPE growth and open tube diffusion in InGaAs/InP
    Houston, Peter A. ; Chand, N.
    In: Journal of Electronic Materials, Jg. 14 (1985), S. 9-24
    Online unknown
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  14. Detailansicht für Treffer 14 öffnen
    Surface treatment of GaSb substrate and extremely low temperature LPE growth of AlGaSb
    Sasaki, Akio ; Nakashima, K. ; et al.
    In: Journal of Electronic Materials, Jg. 13 (1984-11-01), S. 855-866
    Online unknown
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  15. Detailansicht für Treffer 15 öffnen
    High-temperature electron mobilities in LPE-Grown GaP
    Fritz, I. J. ; Dawson, L. R. ; et al.
    In: Journal of Electronic Materials, Jg. 14 (1985), S. 73-84
    Online unknown
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  16. Detailansicht für Treffer 16 öffnen
    Lpe highly perfect ingaasp/lnp structure characterization by x-ray double crystal diffractometry
    Bocchi, C. ; Ferrari, C. ; et al.
    In: Journal of Electronic Materials, Jg. 16 (1987-07-01), S. 245-250
    Online unknown
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  17. Detailansicht für Treffer 17 öffnen
    LPE films of bismuth-substituted bubble garnet
    Mikami, I. ; Taniguchi, S. ; et al.
    In: IEEE Transactions on Magnetics, Jg. 9 (1973-09-01), S. 460-463
    Online unknown
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  18. Detailansicht für Treffer 18 öffnen
    Selective LPE-growth of ln0.53Ga0.47As on semi-insulating InP
    Schilling, M ; F J Tegude ; et al.
    In: Journal of Electronic Materials, Jg. 15 (1986-09-01), S. 259-262
    Online unknown
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  19. Detailansicht für Treffer 19 öffnen
    Deep levels in InxGa1-xAsyP1-ygrown on (100) GaAs by LPE
    Tanaka, Shigeyasu ; Hiramatsu, K. ; et al.
    In: Semiconductor Science and Technology, Jg. 4 (1989-09-01), S. 729-738
    Online unknown
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    Lattice mismatch and the nature of dissolution in the LPE of Pb-Salt compounds
    Rotter, S
    In: Journal of Electronic Materials, Jg. 15 (1986-05-01), S. 141-143
    Online unknown
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