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    Thin epitaxial Si films as a passivation method for Ge(100): Influence of deposition temperature on Ge surface segregation and the high-k/Ge interface quality
    Martens, Koen ; B. De Jaeger ; et al.
    In: Materials Science in Semiconductor Processing, Jg. 9 (2006-08-01), S. 679-684
    Online unknown
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    Wie komme ich dran?
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    Cross-sectional time-resolved high-resolution electron microscopy of epitaxial growth of Au on MgO
    Kizuka, T. ; Tanaka, N.
    In: Proceedings, annual meeting, Electron Microscopy Society of America, Jg. 54 (1996-08-11), S. 982-983
    Online unknown
    Zugriff:
    View record in OpenAIRE (Volltext)
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    Deposition of CeO2 Films on Si(100) Substrates by Electron Beam Evaporation
    Beshkova, Milena ; Vutova, Katia ; et al.
    In: Plasma Processes and Polymers, Jg. 3 (2006-02-17), S. 197-200
    Online unknown
    Zugriff:
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  4. Detailansicht für Treffer 4 öffnen
    Reactive Growth and Properties of Epitaxial Fe-Mg-O Spinel Films on (100) MgO
    De, S. K. ; Hans Peter Oepen ; et al.
    In: MRS Proceedings, Jg. 474 (1997)
    Online unknown
    Zugriff:
    View record in OpenAIRE (Volltext)
    Wie komme ich dran?
xs 0 - 576
sm 576 - 768
md 768 - 992
lg 992 - 1200
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