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    InGaP lattice-mismatched LPE growth on GaAs substrates by epitaxial lateral overgrowth technique
    NAKAYAMA, S ; KANEKO, M ; et al.
    In: Journal of crystal growth, Jg. 236 (2002), Heft 1-3, S. 132-136
    academicJournal
    Wie komme ich dran?
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    Si LPE lateral overgrowth from a ridge seed
    SUZUKI, Y ; NISHINAGA, T
    In: Japanese journal of applied physics, Jg. 29 (1990), Heft 12, S. 2685-2689
    academicJournal
    Wie komme ich dran?
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    Direct-write e-beam sub-micron domain engineering in liquid phase epitaxy (LPE) LiNbO3 thin films and single crystal LiNbO3
    Hesselink, Lambertus ; Son, Ji-Won ; et al.
    In: Journal of Crystal Growth, Jg. 280 (2005-06-01), S. 135-144
    Online unknown
    Zugriff:
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    Wie komme ich dran?
  4. Detailansicht für Treffer 4 öffnen
    Growth of silicon thin film by LPE on porous silicon bilayers
    Begrger, S. ; Ould-Abbas, A. ; et al.
    In: Journal of Thermal Analysis and Calorimetry, Jg. 76 (2004), S. 685-691
    Online unknown
    Zugriff:
    Volltext (PDF)
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    Defects in LPE-grown β-barium borate (β-BaB2O4) thin films
    Liu, J.P. ; Yao, Wu ; et al.
    In: Optik, Jg. 118 (2007-10-01), S. 487-490
    Online unknown
    Zugriff:
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    Wie komme ich dran?
  6. Detailansicht für Treffer 6 öffnen
    The effect of high-frequency sonication on charge carrier transport in LPE and MBE HgCdTe layers
    Savkina, R. K. ; Smirnov, A. B. ; et al.
    In: Semiconductor Science and Technology, Jg. 22 (2006-12-19), S. 97-102
    Online unknown
    Zugriff:
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    Wie komme ich dran?
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    Structural and electrical properties of silicon epitaxial layers grown by LPE on highly resistive monocrystalline substrates
    Bucher, Ernst ; Peter, K ; et al.
    In: Journal of Crystal Growth, Jg. 208 (2000), S. 289-296
    Online unknown
    Zugriff:
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    Wie komme ich dran?
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    Characterization of interface instability in InGaAsP LPE growth on GaAs by Fourier analysis
    HIRAMATSU, K ; TANAKA, S ; et al.
    In: Japanese journal of applied physics, Jg. 24 (1985), Heft 7, S. 822-827
    academicJournal
    Wie komme ich dran?
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    LPE growth of yttrium–lutetium, indium–gallium garnet films for optical waveguide formation on a GGG substrate
    Kubota, Eishi ; Shimokozono, Makoto ; et al.
    In: Journal of Crystal Growth, Jg. 191 (1998-07-01), S. 501-511
    Online unknown
    Zugriff:
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  10. Detailansicht für Treffer 10 öffnen
    Growth of Bi and Ga Substituted YIG and LuIG Layers by LPE Method
    Keszei, Béla ; Vértesy, Zofia ; et al.
    In: Crystal Research and Technology, Jg. 36 (2001-10-01), S. 953-959
    Online unknown
    Zugriff:
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    Wie komme ich dran?
  11. Detailansicht für Treffer 11 öffnen
    LPE-Like Growth of YIG Ferrimagnetic Thin Films by Pulsed Laser Ablation with Molten Droplets
    Shimizu, Tatsuo ; Minamikawa, Toshiharu ; et al.
    In: Applied Physics A: Materials Science and Processing, Jg. 69 (1999-12-01), Heft supplement issue 1, S. S703- (4S.)
    Online unknown
    Zugriff:
    Volltext (PDF)
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    Wie komme ich dran?
  12. Detailansicht für Treffer 12 öffnen
    Preparation of high-Tc Bi-Sr-Ca-Cu-O films on MgO substrates by the liquid phase epitaxial (LPE) method
    TAKEYA, H ; TAKEI, H
    In: Japanese journal of applied physics, Jg. 28 (1989), Heft 2, S. L229- (4S.)
    academicJournal
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    High-purity LPE growth of InP by Co addition to an In-P melt
    KONDO, S ; AMAMO, T ; et al.
    In: Japanese journal of applied physics, Jg. 26 (1987), Heft 12, S. 1997-2001
    academicJournal
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    Epitaxial lateral overgrowth of GaAs by LPE
    NISHINAGA, T ; NAKANO, T ; et al.
    In: Japanese journal of applied physics, Jg. 27 (1988), Heft 6, S. L964- (4S.)
    academicJournal
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  15. Detailansicht für Treffer 15 öffnen
    Photoluminescence of InGaP/GaAs (111) LPE layers with elastic strain due to lattice mismatch
    KATO, T ; MATSUMOTO, T ; et al.
    In: Japanese journal of applied physics, Jg. 26 (1987), Heft 6, S. 893-896
    academicJournal
    Wie komme ich dran?
  16. Detailansicht für Treffer 16 öffnen
    Crosshatch pattern on InGaAsP layers grown on GaAs0.7P0.3 substrate by LPE
    FUJII, S ; SUSAWA, H ; et al.
    In: Japanese journal of applied physics, Jg. 26 (1987), Heft 1, S. 112-116
    academicJournal
    Wie komme ich dran?
  17. Detailansicht für Treffer 17 öffnen
    LPE growth of In1-xGaxAs1-yPy on GaAs0.7P0.3
    FUJII, S ; SAKAI, S ; et al.
    In: Japanese journal of applied physics, Jg. 25 (1986), Heft 1, S. 75-78
    academicJournal
    Wie komme ich dran?
  18. Detailansicht für Treffer 18 öffnen
    LPE growth of In1-xGaxP0,96As0,04 on GaAs substrate by two-phase melt method
    SHIRAKATA, S ; KONDO, M ; et al.
    In: Japanese journal of applied physics, Jg. 24 (1985), Heft 5, S. 524-529
    academicJournal
    Wie komme ich dran?
  19. Detailansicht für Treffer 19 öffnen
    Analysis of compositional variation at initial transient time in LPE growth of InGaAsP/GaAs system
    HIRAMATSU, K ; TANAKA, S ; et al.
    In: Japanese journal of applied physics, Jg. 24 (1985), Heft 8, S. 1030-1035
    academicJournal
    Wie komme ich dran?
  20. Detailansicht für Treffer 20 öffnen
    A study on LPE growth of In1-xGaxP1-yAsy(y~0) on (100)GaAs substrate
    KONDO, M ; SHIRAKATA, S ; et al.
    In: Japanese journal of applied physics, Jg. 24 (1985), Heft 7, S. 806-811
    academicJournal
    Wie komme ich dran?
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