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55 Treffer

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    Three-dimensional predictions of silicon deposition in a barrel type CVD reactor
    YANG, L ; FAROUK, B ; et al.
    In: Journal of the Electrochemical Society, Jg. 139 (1992), Heft 9, S. 2666-2673
    academicJournal
    Wie komme ich dran?
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    A mechanism for selectivity loss during tungsten CVD / Mécanisme de la perte de sélectivité lors du dépôt chimique en phase vapeur du tungstène
    CREIGHTON, J. R
    In: Journal of the Electrochemical Society, Jg. 136 (1989), Heft 1, S. 271-276
    academicJournal
    Wie komme ich dran?
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    Selective CVD tungsten on silicon implanted SiO2
    HENNESSY, W. A ; GHEZZO, M ; et al.
    In: Journal of the Electrochemical Society, Jg. 135 (1988), Heft 7, S. 1730-1734
    academicJournal
    Wie komme ich dran?
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    On three-dimensional transport phenomena in CVD processes
    RHEE, S ; SZEKELY, J ; et al.
    In: Journal of the Electrochemical Society, Jg. 134 (1987), Heft 10, S. 2552-2559
    academicJournal
    Wie komme ich dran?
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    Low pressure CVD of silicon nitride
    ROENIGK, K. F ; JENSEN, K. F
    In: Journal of the Electrochemical Society, Jg. 134 (1987), Heft 7, S. 1777-1785
    academicJournal
    Wie komme ich dran?
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    CVD in stagnation point flow: an evaluation of the classical 1D treatment
    HOUTMAN, C ; GRAVES, D. B ; et al.
    In: Journal of the Electrochemical Society, Jg. 133 (1986), Heft 5, S. 961-970
    academicJournal
    Wie komme ich dran?
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    Evaluation of one-dimensional solutions for CVD reactors
    VRENTAS, J. S ; VRENTAS, C. M
    In: Journal of the Electrochemical Society, Jg. 135 (1988), Heft 12, S. 3167-3169
    academicJournal
    Wie komme ich dran?
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    Effects of small amount of water on physical and electrical properties of TiO2 films deposited by CVD method
    FUYUKI, T ; KOBAYASHI, T ; et al.
    In: Journal of the Electrochemical Society, Jg. 135 (1988), Heft 1, S. 248-250
    academicJournal
    Wie komme ich dran?
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    Barrier capabilities of selective chemical vapor deposited W films and WSiN/WSix/W stacked layers against Cu diffusion
    WANG, M. T ; CHEN, L. J ; et al.
    In: Journal of the Electrochemical Society, Jg. 146 (1999), Heft 2, S. 728-734
    academicJournal
    Wie komme ich dran?
  10. Detailansicht für Treffer 10 öffnen
    Characterization of carbon-doped SiO2 low k thin films : Preparation by plasma-enhanced chemical vapor deposition from tetramethylsilane
    HAN, Licheng M ; PAN, Ji-Sheng ; et al.
    In: Journal of the Electrochemical Society, Jg. 148 (2001), Heft 7, S. F148- (6S.)
    academicJournal
    Wie komme ich dran?
  11. Detailansicht für Treffer 11 öffnen
    Electrochromic properties of cobalt oxide thin films prepared by chemical vapor deposition
    MARUYAMA, T ; ARAI, S
    In: Journal of the Electrochemical Society, Jg. 143 (1996), Heft 4, S. 1383-1386
    academicJournal
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  12. Detailansicht für Treffer 12 öffnen
    A Monte Carlo simulation study of radiation heat transfer in the multiwafer LPCVD reactor
    CORONELL, D. G ; JENSEN, K. F
    In: Journal of the Electrochemical Society, Jg. 141 (1994), Heft 2, S. 496-501
    academicJournal
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  13. Detailansicht für Treffer 13 öffnen
    Thin TiO2 films prepared by low pressure chemical vapor deposition
    RAUSCH, N ; BURTE, E. P
    In: Journal of the Electrochemical Society, Jg. 140 (1993), Heft 1, S. 145-149
    academicJournal
    Wie komme ich dran?
  14. Detailansicht für Treffer 14 öffnen
    Surface treatment effect on the grain size and surface roughness of as-deposited LPCVD polysilicon films
    VOUTSAS, A. T ; HATALIS, M. K
    In: Journal of the Electrochemical Society, Jg. 140 (1993), Heft 1, S. 282-288
    academicJournal
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    Chemical vapor deposited copper from alkyne stabilized copper(I) hexafluoroacetylacetonate complexes
    BAUM, T. H ; LARSON, C. E
    In: Journal of the Electrochemical Society, Jg. 140 (1993), Heft 1, S. 154-159
    academicJournal
    Wie komme ich dran?
  16. Detailansicht für Treffer 16 öffnen
    Characterization of encroachment of selective chemical vapor deposition of tungsten at the edge of contacts
    COLGAN, E. G ; GAMBINO, J. P ; et al.
    In: Journal of the Electrochemical Society, Jg. 140 (1993), Heft 1, S. 159-166
    academicJournal
    Wie komme ich dran?
  17. Detailansicht für Treffer 17 öffnen
    The low temperature catalyzed chemical vapor deposition and characterization of silicon nitride thin films
    DUPUIE, J. L ; GULARI, E ; et al.
    In: Journal of the Electrochemical Society, Jg. 139 (1992), Heft 4, S. 1151-1159
    academicJournal
    Wie komme ich dran?
  18. Detailansicht für Treffer 18 öffnen
    The effects of growth pressure and substrate temperature upon InxGa1-xSb epilayer quality grown by MOCVD
    SU, Y. K ; JUANG, F. S
    In: Journal of the Electrochemical Society, Jg. 139 (1992), Heft 2, S. 629-632
    academicJournal
    Wie komme ich dran?
  19. Detailansicht für Treffer 19 öffnen
    Study of PECVD silicon oxynitride thin layers as ISFET sensitive insulator surface for pH detection
    CROS, Y ; JAFFREZEIC-RENAULT, N ; et al.
    In: Journal of the Electrochemical Society, Jg. 139 (1992), Heft 2, S. 507-511
    academicJournal
    Wie komme ich dran?
  20. Detailansicht für Treffer 20 öffnen
    Reactive ion etching of PECVD n+ a-Si:H : plasma damage to PECVD silicon nitride film and application to thin film transistor preparation
    KUO, Y ; CROWDER, M. S
    In: Journal of the Electrochemical Society, Jg. 139 (1992), Heft 2, S. 548-552
    academicJournal
    Wie komme ich dran?
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xl 1200 - 1366
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