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    Self-aligned PtSi fully silicided (FUSI) metal gates for 45 nm CMOS applications
    VAN DAL, M. J. H ; LAUWERS, A ; et al.
    In: Advanced gate stack, source/drain and channel engineering for Si-based CMOS : naw materials, processes, 2005, S. 233-240
    Konferenz
    Wie komme ich dran?
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    Improving cmos performance by AVD® grown high-k dielectrics and advanced metal electrodes
    WEBER, U ; BOISSIERE, O ; et al.
    In: Advanced gate stack, source/drain and channel engineering for Si-based CMOS : naw materials, processes, 2005, S. 293-300
    Konferenz
    Wie komme ich dran?
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    Thin HfxTiySixO films with varying Hf to Ti contents as candidates for high-k dielectrics
    BAUER, A. J ; PASKALEVA, A ; et al.
    In: Advanced gate stack, source/drain and channel engineering for Si-based CMOS : naw materials, processes, 2005, S. 125-132
    Konferenz
    Wie komme ich dran?
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    Structural and electrical properties of CVD-WNx thin films deposited on high-k materials
    ALLEGRET, S ; ROLLAND, G ; et al.
    In: Advanced gate stack, source/drain and channel engineering for Si-based CMOS : naw materials, processes, 2005, S. 324-330
    Konferenz
    Wie komme ich dran?
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    Structural and electrical characterization of zirconium oxide thin films deposited by MOCVD
    LISKER, M ; SILINSKAS, M ; et al.
    In: Advanced gate stack, source/drain and channel engineering for Si-based CMOS : naw materials, processes, 2005, S. 418-425
    Konferenz
    Wie komme ich dran?
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    Reactive diffusion in the Ni-Si system : Influence of Ni thickness on the phase formation sequence
    COÏA, C ; LAVOIE, C ; et al.
    In: Advanced gate stack, source/drain and channel engineering for Si-based CMOS : naw materials, processes, 2005, S. 585-596
    Konferenz
    Wie komme ich dran?
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    Nickel thin film deposition using Ni (PF3)4 for LSI electrode
    ISHIKAWA, Masato ; MACHIDA, Hideaki ; et al.
    In: Advanced gate stack, source/drain and channel engineering for Si-based CMOS : naw materials, processes, 2005, S. 612-619
    Konferenz
    Wie komme ich dran?
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    Initial oxidation of sige alloy materials : The use of sub- bonded states as an indicator of the interfacial processes
    JACCODINE, R. J ; KILPATRICK, S. J
    In: Advanced gate stack, source/drain and channel engineering for Si-based CMOS : naw materials, processes, 2005, S. 542-553
    Konferenz
    Wie komme ich dran?
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    In-situ observation of meta-induced crystallization of amorphous Si0.8Ge0.2 thin films
    YU, C. H ; WU, W. W ; et al.
    In: Advanced gate stack, source/drain and channel engineering for Si-based CMOS : naw materials, processes, 2005, S. 569-574
    Konferenz
    Wie komme ich dran?
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    High purity iridium thin films depositions using the inorganic IrF6
    DUSSARRA, Christian ; GATINEAU, Julien
    In: Advanced gate stack, source/drain and channel engineering for Si-based CMOS : naw materials, processes, 2005, S. 354-359
    Konferenz
    Wie komme ich dran?
  11. Detailansicht für Treffer 11 öffnen
    Evaluation of ruthenium precursors for thin-film applications
    HOOVER, Cynthia A ; THOMPSON, David M ; et al.
    In: Advanced gate stack, source/drain and channel engineering for Si-based CMOS : naw materials, processes, 2005, S. 389-396
    Konferenz
    Wie komme ich dran?
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    Effect of thin metal layers on the work function of polysilicon-metal electrode stacks
    ALSHAREEF, H. N ; WEN, H.-C ; et al.
    In: Advanced gate stack, source/drain and channel engineering for Si-based CMOS : naw materials, processes, 2005, S. 198-206
    Konferenz
    Wie komme ich dran?
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    Characterization of laminated CeO2-HfO2 high-k gate dielectrics deposited by pulsed laser deposition
    KARAKAYA, K ; ZININE, A ; et al.
    In: Advanced gate stack, source/drain and channel engineering for Si-based CMOS : naw materials, processes, 2005, S. 331-338
    Konferenz
    Wie komme ich dran?
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    CVD of hafnium silicate thin films for advanced gate applications
    SHARANGPANI, Rahul ; MUTHUKRISHNAN, Shankar ; et al.
    In: Advanced gate stack, source/drain and channel engineering for Si-based CMOS : naw materials, processes, 2005, S. 146-150
    Konferenz
    Wie komme ich dran?
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    Atomic vapor deposition of Ru and RuO2 thin film layers for metal gate applications
    MANKE, C ; BOISSIEE, O ; et al.
    In: Advanced gate stack, source/drain and channel engineering for Si-based CMOS : naw materials, processes, 2005, S. 207-214
    Konferenz
    Wie komme ich dran?
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