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704 Treffer

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    Comparative study of LPE and VPE silicon thin film on porous sacrificial layer
    FAVE, A ; QUOIZOLA, S ; et al.
    In: Proceedings of Symposium D on Thin Film and Nano-Structured Materials for Photovoltaics, Jg. 451-52 (2004), S. 308-311
    Konferenz
    Wie komme ich dran?
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    InGaP lattice-mismatched LPE growth on GaAs substrates by epitaxial lateral overgrowth technique
    NAKAYAMA, S ; KANEKO, M ; et al.
    In: Journal of crystal growth, Jg. 236 (2002), Heft 1-3, S. 132-136
    academicJournal
    Wie komme ich dran?
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    K-nonconserving transition in heavily doped LPE grown n-type In0.5Gao.5P
    JEONG, B. S ; CHOI, J. S ; et al.
    In: Solid state communications, Jg. 82 (1992), Heft 1, S. 7-12
    academicJournal
    Wie komme ich dran?
  4. Detailansicht für Treffer 4 öffnen
    The back-side morphology of LPE-grown AlGaAs/GaAs/AlGaAs heterostructures after the complete removal of the GaAs substrate by selective etching
    BOLKHOVITYANOV, Y. B ; HAIRI, E. H ; et al.
    In: Crystal research and technology (1979), Jg. 27 (1992), Heft 4, S. 471-475
    academicJournal
    Wie komme ich dran?
  5. Detailansicht für Treffer 5 öffnen
    Simulation of the growth rate and layer thickness for liquid phase epitaxy (LPE) under slider-induced convection
    LAI-JUH, CHEN ; CHI-CHAO, WAN ; et al.
    In: Journal of crystal growth, Jg. 121 (1992), Heft 3, S. 322-334
    academicJournal
    Wie komme ich dran?
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    Origin and evolution of background impurity content of materials used in the preparation of (Hg, Cd)Te LPE layers on CdTe substrates
    RUDOLPH, P ; MÜHLBERG, M ; et al.
    In: Journal of crystal growth, Jg. 118 (1992), Heft 1-2, S. 204-212
    academicJournal
    Wie komme ich dran?
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    LPE growth of undoped n-type GaAs at 636°C with extremely low compensation
    OHSAWA, J ; TOMITA, A ; et al.
    In: Journal of crystal growth, Jg. 116 (1992), Heft 3-4, S. 351-356
    academicJournal
    Wie komme ich dran?
  8. Detailansicht für Treffer 8 öffnen
    On the peculiarities of the short-time (tg < 10 ms) solid solution LPE growth onto the moving substrate
    GARBUZOV, D. Z ; ZHURAVKEVICH, E. V ; et al.
    In: Journal of crystal growth, Jg. 110 (1991), Heft 4, S. 955-959
    academicJournal
    Wie komme ich dran?
  9. Detailansicht für Treffer 9 öffnen
    Gettering properties of PrO2 in In0.5.Ga0.47As LPE growth
    NOVAK, J ; HASENOHRL, S ; et al.
    In: Journal of crystal growth, Jg. 110 (1991), Heft 4, S. 862-866
    academicJournal
    Wie komme ich dran?
  10. Detailansicht für Treffer 10 öffnen
    Structural characterization of HgO.78Cd0.22Te/CdTe LPE heterostructures grown from Te solutions
    BERNARDI, S ; BOCCHI, C ; et al.
    In: Journal of crystal growth, Jg. 113 (1991), Heft 1-2, S. 53-60
    academicJournal
    Wie komme ich dran?
  11. Detailansicht für Treffer 11 öffnen
    Solute transport mechanims during liquid phase epitaxial (LPE) growth with an applied current
    TAKENAKA, C ; KUSUNOKI, T ; et al.
    In: Journal of crystal growth, Jg. 114 (1991), Heft 3, S. 293-298
    academicJournal
    Wie komme ich dran?
  12. Detailansicht für Treffer 12 öffnen
    Real-time measurement of LPE growth rate in GaP
    INATOMI, Y ; KURIBAYASHI, K
    In: Journal of crystal growth, Jg. 114 (1991), Heft 3, S. 380-388
    academicJournal
    Wie komme ich dran?
  13. Detailansicht für Treffer 13 öffnen
    Novel surface preservation technique for large area growth of (100) InP substrate by LPE
    TRAN, D ; LEE, H. C ; et al.
    In: Journal of crystal growth, Jg. 113 (1991), Heft 1-2, S. 16-20
    academicJournal
    Wie komme ich dran?
  14. Detailansicht für Treffer 14 öffnen
    Investigation of LPE Ga1-xAlxAs/GaAs laser structures by double crystal diffractometry
    BOCCHI, C ; FERRARI, C ; et al.
    In: Journal of crystal growth, Jg. 113 (1991), Heft 3-4, S. 540-548
    academicJournal
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  15. Detailansicht für Treffer 15 öffnen
    Diffusion limited LPE growth of GaxIni1-xP on (100) GaAs
    DOBOSZ, D ; ZYTKIEWICZ, Z. R
    In: Physica status solidi. A. Applied research, Jg. 128 (1991), Heft 1, S. 123-127
    Online academicJournal
    Zugriff:
    Full Text Finder (Volltext)
    Wie komme ich dran?
  16. Detailansicht für Treffer 16 öffnen
    Dislocation evolution along the growth direction of 2-inch GaN crystal grown by Na-flux LPE
    Ma, Ming ; Yang, Chen ; et al.
    In: Materials Science in Semiconductor Processing, Jg. 126 (2021-05-01), S. 105684-105684
    Online unknown
    Zugriff:
    View record in OpenAIRE (Volltext)
    Wie komme ich dran?
  17. Detailansicht für Treffer 17 öffnen
    LPE growth and characterization of InP/InGaAsP ridge-waveguide lasers at 1.3 μm- wavelength
    GOTTSCHALCH, V ; RHEINLÄNDER, B ; et al.
    In: Crystal research and technology (1979), Jg. 25 (1990), Heft 6, S. 637-652
    academicJournal
    Wie komme ich dran?
  18. Detailansicht für Treffer 18 öffnen
    Si LPE lateral overgrowth from a ridge seed
    SUZUKI, Y ; NISHINAGA, T
    In: Japanese journal of applied physics, Jg. 29 (1990), Heft 12, S. 2685-2689
    academicJournal
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  19. Detailansicht für Treffer 19 öffnen
    Electrochemical Liquid Phase Epitaxy (ec-LPE): A New Methodology for the Synthesis of Crystalline Group IV Semiconductor Epifilms
    Maldonado, Stephen ; Fahrenkrug, Eli ; et al.
    In: Journal of the American Chemical Society, Jg. 139 (2017-05-09), S. 6960-6968
    Online unknown
    Zugriff:
    View record in OpenAIRE (Volltext)
    Wie komme ich dran?
  20. Detailansicht für Treffer 20 öffnen
    LPE growth of Bi2Sr2CaCu2Oy from KCl solution
    YASUI, K ; IDO, T ; et al.
    In: Journal of crystal growth, Jg. 125 (1992), Heft 3-4, S. 653-655
    academicJournal
    Wie komme ich dran?
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