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    Strain relaxation and mosaic structure in relaxed SiGe layers
    MOONEY, P. M ; LEGOUES, F. K ; et al.
    In: Applied physics letters, Jg. 62 (1993), Heft 26, S. 3464-3466
    Online academicJournal
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    Spatially resolved Raman spectroscopy of a step graded GexSi1-x strain relief structure
    TSANG, J. C ; DACOL, F. H ; et al.
    In: Applied physics letters, Jg. 62 (1993), Heft 10, S. 1146-1148
    Online academicJournal
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    Hydrogen plasma removal of AlGaAs oxides before molecular beam epitaxy
    CHOQUETTE, K. D ; HONG, M ; et al.
    In: Applied physics letters, Jg. 62 (1993), Heft 7, S. 735-737
    Online academicJournal
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  4. Detailansicht für Treffer 4 öffnen
    Crystallographic tilting resulting from nucleation limited relaxation
    LEGOUES, F. K ; MOONEY, P. M ; et al.
    In: Applied physics letters, Jg. 62 (1993), Heft 2, S. 140-142
    Online academicJournal
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    Nanometer-scale morphology of homoepitaxial diamond films by atomic force microscopy
    SUTCU, L. F ; THOMPSON, M. S ; et al.
    In: Applied physics letters, Jg. 60 (1992), Heft 14, S. 1685-1687
    Online academicJournal
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    Laser-driven boron diffusion into a Si epitaxial layer from a p+ boron-doped Si substrate
    KIM, K. M ; MEI, S. N ; et al.
    In: Applied physics letters, Jg. 61 (1992), Heft 9, S. 1066-1068
    Online academicJournal
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    Growth kinetics of (100), (110), and (111) homoepitaxial diamond films
    CHU, C. J ; HAUGE, R. H ; et al.
    In: Applied physics letters, Jg. 61 (1992), Heft 12, S. 1393-1395
    Online academicJournal
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    Elimination of dark line defects in GaAs-on-Si by post-growth patterning and thermal annealing
    NARESH, CHAND ; CHU, S. N. G
    In: Applied physics letters, Jg. 58 (1991), Heft 1, S. 74-76
    Online academicJournal
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    Reduced photoinduced degradation in chemical vapor deposited hydrogenated amorphous silicon films
    CHU, T. L ; CHU, S. S ; et al.
    In: Applied physics letters, Jg. 52 (1988), Heft 10, S. 807-809
    Online academicJournal
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    Plasma enhanced chemical vapor deposition of epitaxial mercury telluride
    WILLIAMS, L. M ; LU, P.-Y ; et al.
    In: Applied physics letters, Jg. 51 (1987), Heft 21, S. 1738-1740
    Online academicJournal
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    Polarity determination of CdTe(111) orientation grown on GaAs(100) by molecular beam epitaxy
    HSU, C ; SIVANANTHAN, S ; et al.
    In: Applied physics letters, Jg. 48 (1986), Heft 14, S. 908-910
    Online academicJournal
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  12. Detailansicht für Treffer 12 öffnen
    High-resolution x-ray diffraction and transmission electron microscopy studies of InGaAs/InP superlattices grown by gas-source molecular beam epitaxy
    VANDENBERG, J. M ; CHU, S. N. G ; et al.
    In: Applied physics letters, Jg. 49 (1986), Heft 19, S. 1302-1304
    Online academicJournal
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    Epitaxial Hg1-xCdxTe growth by low-temperature metalorganic chemical vapor deposition
    LU, P.-Y ; WANG, C.-H ; et al.
    In: Applied physics letters, Jg. 49 (1986), Heft 20, S. 1372-1374
    Online academicJournal
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    Growth of Hg1-xZnxTe by molecular beam epitaxy on a GaAs(100) substrate
    SIVANANTHAN, S ; CHU, X ; et al.
    In: Applied physics letters, Jg. 47 (1985), Heft 12, S. 1291-1293
    Online academicJournal
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    Chemical etching for the evaluation of hydrogenated amorphous silicon films
    CHU, T. L ; CHU, S. S
    In: Applied physics letters, Jg. 48 (1986), Heft 26, S. 1783-1784
    Online academicJournal
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  16. Detailansicht für Treffer 16 öffnen
    Stimulated emission from a Hg1-xCdxTe epilayer grown by molecular beam epitaxy
    MAHAVADI, K. K ; BLEUSE, J ; et al.
    In: Applied physics letters, Jg. 55 (1989), Heft 13, S. 1285-1286
    Online academicJournal
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    Superior characteristics of thermal oxide layers grown on amorphous silicon films
    CHING-YUAN, WU ; CHIOU-FENG, CHEN
    In: Applied physics letters, Jg. 50 (1987), Heft 17, S. 1167-1169
    Online academicJournal
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