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    ミストCVD法によるGaSnO薄膜を用いたデバイス
    雄太, 滝下 ; 澄夫, 杉崎 ; et al.
    In: 電子情報通信学会技術研究報告 = IEICE technical report : 信学技報, Jg. 118 (2018-12-25), Heft 379, S. 13-16
    academicJournal
    Wie komme ich dran?
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    ミストCVD法によるGaSnO薄膜を用いたデバイス
    雄太, 滝下 ; 澄夫, 杉崎 ; et al.
    In: 電子情報通信学会技術研究報告 = IEICE technical report : 信学技報, Jg. 118 (2018-12-25), Heft 380, S. 13-16
    academicJournal
    Wie komme ich dran?
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    ミストCVD法によるGaSnO薄膜を用いたデバイス
    雄太, 滝下 ; 澄夫, 杉崎 ; et al.
    In: 電子情報通信学会技術研究報告 = IEICE technical report : 信学技報, Jg. 118 (2018-12-25), Heft 380, S. 13-16
    academicJournal
    Wie komme ich dran?
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    ミストCVD法によるGaSnO薄膜を用いたデバイス
    雄太, 滝下 ; 澄夫, 杉崎 ; et al.
    In: 電子情報通信学会技術研究報告 = IEICE technical report : 信学技報, Jg. 118 (2018-12-25), Heft 379, S. 13-16
    academicJournal
    Wie komme ich dran?
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    ミストCVD法によるGaSnO薄膜を用いたデバイス
    雄太, 滝下 ; 澄夫, 杉崎 ; et al.
    In: 映像情報メディア学会技術報告 = ITE technical report, Jg. 42 (2018-12-01), Heft 45, S. 13-16
    academicJournal
    Wie komme ich dran?
  6. Detailansicht für Treffer 6 öffnen
    ミストCVD法によるGaSnO薄膜を用いたデバイス
    雄太, 滝下 ; 澄夫, 杉崎 ; et al.
    In: 映像情報メディア学会技術報告 = ITE technical report, Jg. 42 (2018-12-01), Heft 45, S. 13-16
    academicJournal
    Wie komme ich dran?
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    低温形成表示デバイス向け絶縁膜の新規対向電極CVD法による形成
    時宜, 松田 ; 守, 古田 ; et al.
    In: 映像情報メディア学会技術報告 = ITE technical report, Jg. 35 (2011), Heft 4, S. 87-90
    academicJournal
    Wie komme ich dran?
  8. Detailansicht für Treffer 8 öffnen
    低温形成表示デバイス向け絶縁膜の新規対向電極CVD法による形成
    時宜, 松田 ; 守, 古田 ; et al.
    In: 電子情報通信学会技術研究報告 = IEICE technical report : 信学技報, Jg. 110 (2011), Heft 404, S. 87-90
    academicJournal
    Wie komme ich dran?
  9. Detailansicht für Treffer 9 öffnen
    低温形成表示デバイス向け絶縁膜の新規対向電極CVD法による形成
    時宜, 松田 ; 守, 古田 ; et al.
    In: 映像情報メディア学会技術報告 = ITE technical report, Jg. 35 (2011), Heft 4, S. 87-90
    academicJournal
    Wie komme ich dran?
  10. Detailansicht für Treffer 10 öffnen
    低温形成表示デバイス向け絶縁膜の新規対向電極CVD法による形成
    時宜, 松田 ; 守, 古田 ; et al.
    In: 電子情報通信学会技術研究報告 = IEICE technical report : 信学技報, Jg. 110 (2011), Heft 404, S. 87-90
    academicJournal
    Wie komme ich dran?
  11. Detailansicht für Treffer 11 öffnen
    プラズマCVD a-Si膜の金属誘起横方向固相結晶化とTFT特性
    慎太郎, 過能 ; 翔, 永田 ; et al.
    In: 電子情報通信学会技術研究報告 = IEICE technical report : 信学技報, Jg. 109 (2009-04-24), Heft 20, S. 29-34
    academicJournal
    Wie komme ich dran?
  12. Detailansicht für Treffer 12 öffnen
    プラズマCVD a-Si膜の金属誘起横方向固相結晶化とTFT特性
    慎太郎, 過能 ; 翔, 永田 ; et al.
    In: 電子情報通信学会技術研究報告 = IEICE technical report : 信学技報, Jg. 109 (2009-04-24), Heft 19, S. 29-34
    academicJournal
    Wie komme ich dran?
  13. Detailansicht für Treffer 13 öffnen
    プラズマCVD a-Si膜の金属誘起横方向固相結晶化とTFT特性
    慎太郎, 過能 ; 翔, 永田 ; et al.
    In: 電子情報通信学会技術研究報告 = IEICE technical report : 信学技報, Jg. 109 (2009-04-24), Heft 19, S. 29-34
    academicJournal
    Wie komme ich dran?
  14. Detailansicht für Treffer 14 öffnen
    プラズマCVD a-Si膜の金属誘起横方向固相結晶化とTFT特性
    慎太郎, 過能 ; 翔, 永田 ; et al.
    In: 電子情報通信学会技術研究報告 = IEICE technical report : 信学技報, Jg. 109 (2009-04-24), Heft 20, S. 29-34
    academicJournal
    Wie komme ich dran?
  15. Detailansicht für Treffer 15 öffnen
    触媒CVD法による高移動度poly-Si TFTの作製
    弘人, 河西 ; 典煕, 久須本 ; et al.
    In: 電子情報通信学会技術研究報告 = IEICE technical report : 信学技報, Jg. 101 (2001-04-19), Heft 16, S. 19-25
    academicJournal
    Wie komme ich dran?
  16. Detailansicht für Treffer 16 öffnen
    触媒CVD法による高移動度poly-Si TFTの作製
    弘人, 河西 ; 典煕, 久須本 ; et al.
    In: 電子情報通信学会技術研究報告 = IEICE technical report : 信学技報, Jg. 101 (2001-04-19), Heft 14, S. 19-25
    academicJournal
    Wie komme ich dran?
  17. Detailansicht für Treffer 17 öffnen
    触媒CVD法による高移動度poly-Si TFTの作製
    弘人, 河西 ; 典煕, 久須本 ; et al.
    In: 電子情報通信学会技術研究報告 = IEICE technical report : 信学技報, Jg. 101 (2001-04-19), Heft 16, S. 19-25
    academicJournal
    Wie komme ich dran?
  18. Detailansicht für Treffer 18 öffnen
    触媒CVD法による高移動度poly-Si TFTの作製
    弘人, 河西 ; 典煕, 久須本 ; et al.
    In: 電子情報通信学会技術研究報告 = IEICE technical report : 信学技報, Jg. 101 (2001-04-19), Heft 14, S. 19-25
    academicJournal
    Wie komme ich dran?
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