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    P-8: Investigating the Degradation Behaviors for Bottom/Top Gate Sweep under Negative Bias Illumination Stress in Dual Gate InGaZnO Thin Film Transistors.
    Tsai, Ming‐Yen ; Chang, Ting‐Chang ; et al.
    In: SID Symposium Digest of Technical Papers, Jg. 46 (2015-06-01), Heft 1, S. 1147-1150
    Online academicJournal
    Zugriff:
    Volltext (PDF)
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    Investigating the degradation behavior under hot carrier stress for InGaZnO TFTs with symmetric and asymmetric structures
    Tsai, Ming-Yen ; Chang, Ting-Chang ; et al.
    In: Thin Solid Films, Jg. 528 (2013-01-15), S. 57-60
    academicJournal
    Wie komme ich dran?
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    Positive gate bias stress instability of carbon nanotube thin film transistors.
    Lee, Sang Won ; Lee, Si Young ; et al.
    In: Applied Physics Letters, Jg. 101 (2012-07-30), Heft 5, S. 53504-53507
    Online academicJournal
    Zugriff:
    Full Text Finder (Volltext)
    Wie komme ich dran?
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    Low-temperature characteristics of a-Si:H thin-film transistor under mechanical strain
    Tsao, S.W. ; Chang, T.C. ; et al.
    In: Solid-State Electronics, Jg. 54 (2010-12-01), Heft 12, S. 1632-1636
    academicJournal
    Wie komme ich dran?
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    Trend transformation of drain-current degradation under drain-avalanche hot-carrier stress for CLC n-TFTs
    Hsieh, Zhen-Ying ; Wang, Mu-Chun ; et al.
    In: Microelectronics Reliability, Jg. 49 (2009-08-01), Heft 8, S. 892-896
    academicJournal
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    Application of fluorine doped oxide (SiOF) spacers for improving reliability in low temperature polycrystalline thin film transistors
    Feng, Li-Wei ; Chang, Ting-Chang ; et al.
    In: Thin Solid Films, Jg. 517 (2008-12-01), Heft 3, S. 1204-1208
    academicJournal
    Wie komme ich dran?
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