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    High-performance transistors based on monolayer CVD MoS<subscript>2</subscript> grown on molten glass.
    Zhang, Zhenfeng ; Xu, Xiaole ; et al.
    In: Applied Physics Letters, Jg. 113 (2018-11-12), Heft 20, S. N.PAG- (4S.)
    Online academicJournal
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    High-performance transistors based on monolayer CVD MoS2 grown on molten glass.
    Zhang, Zhenfeng ; Xu, Xiaole ; et al.
    In: Applied Physics Letters, Jg. 113 (2018-11-12), Heft 20, S. N.PAG- (4S.)
    Online academicJournal
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    Low energy ion implantation and electrochemical separation of diamond films
    MARCHYWKA, M ; PEHRSSON, P. E ; et al.
    In: Applied physics letters, Jg. 63 (1993), Heft 25, S. 3521-3523
    Online academicJournal
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    Rapid thermal low pressure metalorganic chemical vapor deposition of In0.53Ga0.47As films using tertiarylbutylarsine
    KATZ, A ; FEINGOLD, A ; et al.
    In: Applied physics letters, Jg. 63 (1993), Heft 19, S. 2679-2681
    Online academicJournal
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    Ozone-induced rapid low temperature oxidation of silicon
    KAZOR, A ; BOYD, I. W
    In: Applied physics letters, Jg. 63 (1993), Heft 18, S. 2517-2519
    Online academicJournal
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    New low pressure chemical vapor deposition technique for Ge crystalline thin films
    YAMAMOTO, M ; HANNA, J.-I ; et al.
    In: Applied physics letters, Jg. 63 (1993), Heft 18, S. 2508-2510
    Online academicJournal
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    Model for the vaporization of mixed organometallic compounds in the metalorganic chemical vapor deposition of high temperature superconducting films
    GUANGYAO, MENG ; GANG, ZHOU ; et al.
    In: Applied physics letters, Jg. 63 (1993), Heft 14, S. 1981-1983
    Online academicJournal
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    Improved solid phase epitaxial growth of lithium tantalate thin films on sapphire, using a two-step metalorganic chemical-vapor deposition process
    WERNBERG, A. A ; BRAUNSTEIN, G. H ; et al.
    In: Applied physics letters, Jg. 63 (1993), Heft 19, S. 2649-2651
    Online academicJournal
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    Growth of crystalline 3C-SiC on Si at reduced temperatures by chemical vapor deposition from silacyclobutane
    STECKL, A. J ; YUAN, C ; et al.
    In: Applied physics letters, Jg. 63 (1993), Heft 24, S. 3347-3349
    Online academicJournal
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    Growth of InP epitaxial layers by rapid thermal low pressure metalorganic chemical vapor deposition, using tertiarybutylphosphine
    KATZ, A ; FEINGOLD, A ; et al.
    In: Applied physics letters, Jg. 63 (1993), Heft 21, S. 2958-2960
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    Fabrication of GaAs quantum wire (∼10 nm) by metalorganic chemical vapor selective deposition growth
    TSUKAMOTO, S ; NAGAMUNE, Y ; et al.
    In: Applied physics letters, Jg. 63 (1993), Heft 3, S. 355-357
    Online academicJournal
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    Experimental evidence of different crystalline forms in chemical vapor deposited diamond films
    ROSSI, M ; VITALI, G ; et al.
    In: Applied physics letters, Jg. 63 (1993), Heft 20, S. 2765-2767
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    Evidence for step flow growth of Bi-Sr-Ca-Cu-O thin films on vicinal substrates by metalorganic chemical vapor deposition
    SUGIMOTO, T ; KUBOTA, N ; et al.
    In: Applied physics letters, Jg. 63 (1993), Heft 19, S. 2697-2699
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    Epitaxial LiTaO3 thin film by pulsed metalorganic chemical vapor deposition from a single precursor
    HUYANG, XIE ; RISHI, RAJ
    In: Applied physics letters, Jg. 63 (1993), Heft 23, S. 3146-3148
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    Electron cyclotron resonance chemical vapor deposition of silicon oxynitrides using tris(dimethylamino)silane
    BOUDREAU, M ; BOUMERZOUG, M ; et al.
    In: Applied physics letters, Jg. 63 (1993), Heft 22, S. 3014-3016
    Online academicJournal
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    Electrical conductivity studies of diamond films prepared by electron cyclotron resonance microwave plasma
    JIN, S ; MOUSTAKAS, T. D
    In: Applied physics letters, Jg. 63 (1993), Heft 17, S. 2354-2356
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    Dislocation generation mechanisms for GaP on Si grown by metalorganic chemical vapor deposition
    SOGA, T ; JIMBO, T ; et al.
    In: Applied physics letters, Jg. 63 (1993), Heft 18, S. 2543-2545
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    Deposition of TiN using tetrakis(dimethylamido)-titanium in an electron-cyclotron-resonance plasma process
    WEBER, A ; NIKULSKI, R ; et al.
    In: Applied physics letters, Jg. 63 (1993), Heft 3, S. 325-327
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    Crystallized mixed-phase silicon films for thin film transistors on glass substrates
    VOUTSAS, A. T ; HATALIS, M. K
    In: Applied physics letters, Jg. 63 (1993), Heft 11, S. 1546-1548
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    Compositional control of PbTiO3 thin films by plasma enhanced metalorganic chemical vapor deposition
    WON GYU, LEE ; SEONG IHL, WOO ; et al.
    In: Applied physics letters, Jg. 63 (1993), Heft 18, S. 2511-2513
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