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    Growth of high-quality In-rich InGaN alloys by RF-MBE for the fabrication of InN-based quantum well structures
    NAOI, Hiroyuki ; KUROUCHI, Masahito ; et al.
    In: Proceedings of the Second ONR International Indium Nitride Workshop, 9-13 January 2005, Kailua-Kona, Hawaii, Jg. 288 (2006), Heft 2, S. 283-288
    Konferenz
    Wie komme ich dran?
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    CdO epitaxial layers grown on (001) GaAs surfaces by metalorganic molecular-beam epitaxy
    ASHRAFI, A. B. M. A ; KUMANO, H ; et al.
    In: ICCG-13/ICVGE-11: Proceedings of the thirteen International Conference on Crystal Growth in conjuction with the eleventh International Conference on Vapor Growth and Epitaxy, Kyoto, Japan, 30 July-4 August 2001. Part 1, Jg. 237-39 (2002), S. 518-522
    Konferenz
    Wie komme ich dran?
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    Growth evolution and microstructural characterization of semipolar (1122) GaN selectively grown on etched r-plane sapphire
    BENJAMIN, LEUNG ; QIAN, SUN ; et al.
    In: Journal of crystal growth, Jg. 341 (2012), Heft 1, S. 27-33
    academicJournal
    Wie komme ich dran?
  4. Detailansicht für Treffer 4 öffnen
    Effects of low temperature ZnO and MgO buffer thicknesses on properties of ZnO films grown on (0001) Al2O3 substrates by plasma-assisted molecular beam epitaxy
    JAE GOO, KIM ; SEOK KYU, HAN ; et al.
    In: Thin solid films, Jg. 519 (2010), Heft 1, S. 223-227
    academicJournal
    Wie komme ich dran?
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    Development of m-plane GaN anisotropic film properties during MOVPE growth on LiAlO2 substrates
    MAUDER, C ; REUTERS, B ; et al.
    In: Journal of crystal growth, Jg. 312 (2010), Heft 11, S. 1823-1827
    academicJournal
    Wie komme ich dran?
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    Investigation of growth mode in ZnO thin films prepared at different temperature by plasma-molecular beam epitaxy
    LIANG, H. W ; LU, Y. M ; et al.
    In: MBE XIII, 2004: 13th International Conference on Molecular Beam Epitaxy, Edinburgh, UK, 22-27 August 2004, Jg. 278 (2005), Heft 1-4, S. 305-310
    Konferenz
    Wie komme ich dran?
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    Temperature dependence of the optical properties on GaInNP
    HSU, S. H ; SU, Y. K ; et al.
    In: 12th International Conference on Metalorganic Vapor Phase Epitaxy, Jg. 272 (2004), Heft 1-4, S. 765-771
    Konferenz
    Wie komme ich dran?
  8. Detailansicht für Treffer 8 öffnen
    VI/II ratio-dependent growth and photoluminescence of cubic CdSe epilayers by molecular beam epitaxy
    JIE, ZHAO ; YIPING, ZENG ; et al.
    In: Journal of crystal growth, Jg. 329 (2011), Heft 1, S. 1-5
    academicJournal
    Wie komme ich dran?
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    Growth temperature induced effects in non-polar a-plane GaN on r-plane sapphire substrate by RF-MBE
    RAJPALKE, Mohana K ; BHAT, Thirumaleshwara N ; et al.
    In: Journal of crystal growth, Jg. 314 (2011), Heft 1, S. 5-8
    academicJournal
    Wie komme ich dran?
  10. Detailansicht für Treffer 10 öffnen
    Molecular beam epitaxy growth of Be-chalcogenides and fabrication of ZnSe/ZnMgBeSe laser structures
    CHO, M. W ; CHANG, J. H ; et al.
    In: Molecular beam epitaxy 1998, Jg. 201202 (1999), S. 957-960
    Konferenz
    Wie komme ich dran?
  11. Detailansicht für Treffer 11 öffnen
    Growth of epitaxial ZnO films on Si (1 1 1) substrates with Cr compound buffer layer by plasma-assisted molecular beam epitaxy
    KIM, Jung-Hyun ; SEOK KYU, HAN ; et al.
    In: Journal of crystal growth, Jg. 312 (2010), Heft 15, S. 2190-2195
    academicJournal
    Wie komme ich dran?
  12. Detailansicht für Treffer 12 öffnen
    Comparative Study on MOCVD Growth of a-Plane GaN Films on r-Plane Sapphire Substrates Using GaN, AlGaN, and AIN Buffer Layers
    DAI, J. N ; WU, Z. H ; et al.
    In: Journal of electronic materials, Jg. 38 (2009), Heft 9, S. 1938-1943
    Online academicJournal
    Zugriff:
    Volltext (PDF)
    Wie komme ich dran?
  13. Detailansicht für Treffer 13 öffnen
    Influence of off-cut angle of r-plane sapphire on the crystal quality of nonpolar a-plane AlN by LP-HVPE
    WU, Jie-Jun ; OKUURA, Kazukeru ; et al.
    In: Journal of crystal growth, Jg. 311 (2009), Heft 20, S. 4473-4477
    academicJournal
    Wie komme ich dran?
  14. Detailansicht für Treffer 14 öffnen
    Effects of sapphire substrates surface treatment on the ZnO thin films grown by magnetron sputtering
    YINZHEN, WANG ; BENLI, CHU
    In: Physica. B, Condensed matter, Jg. 403 (2008), Heft 12, S. 1979-1982
    academicJournal
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  15. Detailansicht für Treffer 15 öffnen
    Improved surface morphology of flow-modulated MOVPE grown AIN on sapphire using thin medium-temperature AIN buffer layer
    LI, Da-Bing ; AOKI, Masakazu ; et al.
    In: Applied surface science, Jg. 253 (2007), Heft 24, S. 9395-9399
    academicJournal
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    Surface characterization of NdF3 layers on Si(1 1 1) substrates grown by molecular beam epitaxy
    KO, J. M ; INABA, K ; et al.
    In: Journal of crystal growth, Jg. 212 (2000), Heft 1-2, S. 155-160
    academicJournal
    Wie komme ich dran?
  17. Detailansicht für Treffer 17 öffnen
    Heteroepitaxial growth of metastable ErF3 on CaF2(1 1 1) by molecular beam epitaxy : a novel material for optical upconversion
    INABA, K ; ADACHI, K ; et al.
    In: Journal of crystal growth, Jg. 179 (1997), Heft 3-4, S. 488-494
    academicJournal
    Wie komme ich dran?
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