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    A common-gate bootstrapped CMOS rectifier for VHF isolated DC–DC converter
    Zhang, Feng ; Li, Jinliang ; et al.
    In: Journal of Semiconductors, Jg. 38 (2017-06-01), S. 055002-55002
    Online unknown
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    Active Electrostatic Discharge (ESD) Device for On-Chip ESD Protection in Sub-Quarter-Micron Complementary Metal-Oxide Semiconductor (CMOS) Process
    Tang Kui Tseng ; Ker, Ming-Dou
    In: Japanese Journal of Applied Physics, Jg. 43 (2003-12-19), S. L33- (3S.)
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    Process techniques of charge transfer time reduction for high speed CMOS image sensors
    Qi, Qin ; Peng, Feng ; et al.
    In: Journal of Semiconductors, Jg. 35 (2014-11-01), S. 114010-114010
    Online unknown
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    A digital output accelerometer using MEMS-based piezoelectric accelerometers and arrayed CMOS inverters with satellite capacitors
    Okada, H ; Maeda, Ryutaro ; et al.
    In: Smart Materials and Structures, Jg. 20 (2011-05-25), S. 065017-65017
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    Two-dimensional pixel image lag simulation and optimization in a 4-T CMOS image sensor
    Binqiao, Li ; Cun, Mou ; et al.
    In: Journal of Semiconductors, Jg. 31 (2010-09-01), S. 094011-94011
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    Stable Extraction of Threshold Voltage Using Transconductance Change Method for CMOS Modeling, Simulation and Characterization
    Byung Yong Choi ; Park, Byung-Gook ; et al.
    In: Japanese Journal of Applied Physics, Jg. 43 (2004-04-01), S. 1759-1759
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    A 140 mV 0.8 μA CMOS voltage reference based on sub-threshold MOSFETs
    Yifeng, Wang ; Weifeng, Sun ; et al.
    In: Journal of Semiconductors, Jg. 32 (2011-11-01), S. 115011-115011
    Online unknown
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    MoS2/pentacene hybrid complementary inverter based photodetector with amplified voltage–output
    Ji, Dong ; Jiang, Chao ; et al.
    In: Nanotechnology, Jg. 32 (2020-10-19), S. 015203-15203
    Online unknown
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  9. Detailansicht für Treffer 9 öffnen
    CNFET-based voltage rectifier circuit for biomedical implantable applications
    Xia, Yinshui ; Qian, Libo ; et al.
    In: Journal of Semiconductors, Jg. 38 (2017-02-01), S. 025003-25003
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  10. Detailansicht für Treffer 10 öffnen
    An ultra-low-voltage rectifier for PE energy harvesting applications
    Jingmin, Wang ; Zhangming, Zhu ; et al.
    In: Journal of Semiconductors, Jg. 37 (2016-02-01), S. 025004-25004
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  11. Detailansicht für Treffer 11 öffnen
    Scaling trends in energy recovery logic: an analytical approach
    Dasgupta, Sudeb ; Kanungo, Jitendra
    In: Journal of Semiconductors, Jg. 34 (2013-08-01), S. 085001-85001
    Online unknown
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  12. Detailansicht für Treffer 12 öffnen
    Origin of Critical Substrate Bias in Variable Threshold Voltage Complementary MOS (VTCMOS)
    Hiramoto, Toshiro ; Inukai, Takashi ; et al.
    In: Japanese Journal of Applied Physics, Jg. 41 (2002-04-30), S. 2312-2315
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    Simulations of backgate sandwich nanowire MOSFETs with improved device performance
    Zhao, Chao ; Zhao, Hengliang ; et al.
    In: Journal of Semiconductors, Jg. 35 (2014-10-01), S. 104005-104005
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  14. Detailansicht für Treffer 14 öffnen
    Impact of Dynamic Stress on Reliability of Nanoscale n-Channel Metal–Oxide–Semiconductor Field-Effect Transistors with SiON Gate Dielectric Operating in a Complementary Metal–Oxide–Semiconductor Inverter at Elevated Temperature
    Hyung Wook Kim ; Kang, Bongkoo ; et al.
    In: Japanese Journal of Applied Physics, Jg. 51 (2012-02-01), S. 02BC13
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    Nanosized-Metal-Grain-Induced Characteristic Fluctuation in 16 nm Complementary Metal–Oxide–Semiconductor Devices and Digital Circuits
    Cheng, Hui-Wen ; Li, Yiming
    In: Japanese Journal of Applied Physics, Jg. 50 (2011-04-01), S. 04DC22
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  16. Detailansicht für Treffer 16 öffnen
    n-Channel Metal–Oxide–Semiconductor Field-Effect Transistor Modeling in Forward Body Bias Condition for Low Voltage Complementary Metal–Oxide–Semiconductor Circuits Design
    Matsuzawa, Akira ; Aoki, Hitoshi
    In: Japanese Journal of Applied Physics, Jg. 51 (2012-03-21), S. 044301-44301
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  17. Detailansicht für Treffer 17 öffnen
    Design and assessment of a robust voltage amplifier with 2.5 GHz GBW and >100 kGy total dose tolerance
    Leroux, Paul ; Steyaert, Michiel ; et al.
    In: Journal of Instrumentation, Jg. 6 (2011-01-12), S. C01076
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  18. Detailansicht für Treffer 18 öffnen
    A 1.2 V Power Supply, 2.43 Times Power Efficient, Adaptive Charge Pump Circuit with Optimized Threshold Voltage at Each Pump Stage for Ferroelectric-NAND Flash Memories
    Noda, Shinji ; Hatanaka, Teruyoshi ; et al.
    In: Japanese Journal of Applied Physics, Jg. 49 (2010-04-01), S. 04DD10
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  19. Detailansicht für Treffer 19 öffnen
    Investigation and Integration of Polycrystalline Silicon/TiN/SiON Gate Stack in Silicon on Thin Buried Oxide Complementary Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistors
    Sugii, Nobuyuki ; Oda, Hidekazu ; et al.
    In: Japanese Journal of Applied Physics, Jg. 51 (2012-07-01), S. 076504-76504
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    N-Channel MNOS EAROM for TV Electronic Tuning System
    Endo, Norio ; Saito, Shozo ; et al.
    In: Japanese Journal of Applied Physics, Jg. 20 (1981), S. 135-135
    Online unknown
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