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    The effective drive current in CMOS inverters
    Na, M.H. ; Nowak, E.J. ; et al.
    In: Digest. International Electron Devices Meeting, 2002, S. 121-124
    Konferenz
    Wie komme ich dran?
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    Investigation of realistic dopant fluctuation induced device characteristics variation for sub-100 nm CMOS by using atomistic 3D process/device simulator
    Ezaki, T. ; Ikezawa, T. ; et al.
    In: Digest. International Electron Devices Meeting, 2002, S. 311-314
    Konferenz
    Wie komme ich dran?
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    Tunable work function molybdenum gate technology for FDSOI-CMOS
    Ranade, P. ; Choi, Yang-Kyu ; et al.
    In: Digest. International Electron Devices Meeting, 2002, S. 363-366
    Konferenz
    Wie komme ich dran?
  4. Detailansicht für Treffer 4 öffnen
    Advanced metal barrier free Cu damascene interconnects with PECVD silicon carbide barriers for 90/65-nm BEOL technology
    Wu, Z.C. ; Lu, Y.C. ; et al.
    In: Digest. International Electron Devices Meeting, 2002, S. 595-598
    Konferenz
    Wie komme ich dran?
  5. Detailansicht für Treffer 5 öffnen
    Power-constrained device and technology design for the end of scaling
    Frank, D.J.
    In: Digest. International Electron Devices Meeting, 2002, S. 643-646
    Konferenz
    Wie komme ich dran?
xs 0 - 576
sm 576 - 768
md 768 - 992
lg 992 - 1200
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