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    TID Effects in Highly Scaled Gate-All-Around Si Nanowire CMOS Transistors Irradiated to Ultrahigh Doses.
    Bonaldo, Stefano ; Gorchichko, Mariia ; et al.
    In: IEEE Transactions on Nuclear Science, Jg. 69 (2022-07-01), Heft 7, S. 1444-1452
    Online academicJournal
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    Total-Ionizing-Dose Response of Highly Scaled Gate-All-Around Si Nanowire CMOS Transistors.
    Gorchichko, Mariia ; Zhang, En Xia ; et al.
    In: IEEE Transactions on Nuclear Science, Jg. 68 (2021-05-01), Heft 5, S. 687-696
    Online academicJournal
    Zugriff:
    Volltext
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    Radiation-Hardened CMOS Negative Voltage Reference for Aerospace Application.
    Liu, Fan ; Yang, Feng ; et al.
    In: IEEE Transactions on Nuclear Science, Jg. 64 (2017-09-01), Heft 9, S. 2505-2510
    Online academicJournal
    Zugriff:
    Volltext
    Wie komme ich dran?
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    Radiation-Hardening Technique for Voltage Reference Circuit in a Standard 130 nm CMOS Technology.
    Piccin, Y. ; Lapuyade, H. ; et al.
    In: IEEE Transactions on Nuclear Science, Jg. 61 (2014-03-01), Heft 2, S. 967-974
    Online academicJournal
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    Investigation of Low Dose Rate and Bias Conditions on the Total Dose Tolerance of a CMOS Flash-Based FPGA.
    Rezgui, Sana ; Wilcox, Edward P. ; et al.
    In: IEEE Transactions on Nuclear Science, Jg. 59 (2012), Heft 1, S. 134-143
    Online academicJournal
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    Volltext
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    Negative Bias Temperature Instability Effect on the Single Event Transient Sensitivity of a 65 nm CMOS Technology.
    Moukhtari, I. El ; Pouget, Vincent ; et al.
    In: IEEE Transactions on Nuclear Science, Jg. 60 (2013-07-10), Heft 4, S. 2635-2639
    Online academicJournal
    Zugriff:
    Volltext
    Wie komme ich dran?
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    Negative Bias Temperature Instability Effect on the Single Event Transient Sensitivity of a 65 nm CMOS Technology.
    Moukhtari, I. El ; Pouget, Vincent ; et al.
    In: IEEE Transactions on Nuclear Science, Jg. 60 (2013-07-01), Heft 4, S. 2635-2639
    Online academicJournal
    Zugriff:
    Volltext
    Wie komme ich dran?
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    Floating Gate CMOS Dosimeter With Frequency Output.
    Garcia-Moreno, E. ; Isern, E. ; et al.
    In: IEEE Transactions on Nuclear Science, Jg. 59 (2012-02-15), Heft 2, S. 373-378
    Online academicJournal
    Zugriff:
    Volltext
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    Influence of Halo Implantations on the Total Ionizing Dose Response of 28-nm pMOSFETs Irradiated to Ultrahigh Doses.
    Bonaldo, Stefano ; Mattiazzo, Serena ; et al.
    In: IEEE Transactions on Nuclear Science, Jg. 66 (2019), Heft 1, S. 82-90
    Online academicJournal
    Zugriff:
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    Dynamic Compression of the Signal in a Charge Sensitive Amplifier: From Concept to Design.
    Manghisoni, Massimo ; Comotti, Daniele ; et al.
    In: IEEE Transactions on Nuclear Science, Jg. 62 (2015-10-15), Heft 5b, S. 2318-2326
    Online academicJournal
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    Investigations on the Geometry Effects and Bias Configuration on the TID Response of nMOS SOI Tri-Gate Nanowire Field-Effect Transistors.
    Riffaud, J. ; Gaillardin, M. ; et al.
    In: IEEE Transactions on Nuclear Science, Jg. 65 (2018), Heft 1, S. 39-45
    Online academicJournal
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  12. Detailansicht für Treffer 12 öffnen
    Simple Method for Extracting Effective Sheet Charge Density Along STI Sidewalls Due to Radiation.
    Hu, Zhiyuan ; Liu, Zhangli ; et al.
    In: IEEE Transactions on Nuclear Science, Jg. 58 (2011-06-03), Heft 3, S. 1332-1337
    Online academicJournal
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    TID-Induced Degradation in Static and Noise Behavior of Sub-100 nm Multifinger Bulk NMOSFETs.
    Ratti, Lodovico ; Gaioni, Luigi ; et al.
    In: IEEE Transactions on Nuclear Science, Jg. 58 (2011-06-02), Heft 3, S. 776-784
    Online academicJournal
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  14. Detailansicht für Treffer 14 öffnen
    Verilog-A Modeling of Radiation-Induced Mismatch Enhancement.
    Gorbunov, Maxim S. ; Danilov, Igor A. ; et al.
    In: IEEE Transactions on Nuclear Science, Jg. 58 (2011-06-02), Heft 3, S. 785-792
    Online academicJournal
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  15. Detailansicht für Treffer 15 öffnen
    Modeling Switched Bias Irradiations on Floating Gate Devices: Application to Dosimetry.
    Sambuco Salomone, L. ; Garcia-Inza, M. ; et al.
    In: IEEE Transactions on Nuclear Science, Jg. 69 (2022-06-01), Heft 6, S. 1229-1235
    Online academicJournal
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  16. Detailansicht für Treffer 16 öffnen
    Neutron-Induced Pulsewidth Distribution of Logic Gates Characterized Using a Pulse Shrinking Chain-Based Test Structure.
    Pande, Nakul ; Kumar, Saurabh ; et al.
    In: IEEE Transactions on Nuclear Science, Jg. 68 (2021-12-01), Heft 12, S. 2736-2747
    Online academicJournal
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    Total Ionizing Dose Response of Multiple-Gate Nanowire Field Effect Transistors.
    Gaillardin, M. ; Marcandella, C. ; et al.
    In: IEEE Transactions on Nuclear Science, Jg. 64 (2017-08-01), Heft 8 Part 1, S. 2061-2068
    Online academicJournal
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