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    Annealing Effects on Radiation-Hardened CMOS Image Sensors Exposed to Ultrahigh Total Ionizing Doses.
    Dewitte, H. ; Rizzolo, S. ; et al.
    In: IEEE Transactions on Nuclear Science, Jg. 67 (2020-07-01), Heft 7, S. 1284-1292
    Online academicJournal
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    A Radiation-Hardened CMOS Image Sensor With Pixels Exhibiting a Negligibly Small Dark-Level Increase During Ionizing Radiation.
    Watanabe, Takashi ; Takeuchi, Tomoaki ; et al.
    In: IEEE Transactions on Nuclear Science, Jg. 67 (2020-08-01), Heft 8, S. 1835-1845
    Online academicJournal
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    Proton and Gamma Radiation Effects on a Fully Depleted Pinned Photodiode CMOS Image Sensor.
    Meng, Xiao ; Stefanov, Konstantin D. ; et al.
    In: IEEE Transactions on Nuclear Science, Jg. 67 (2020-06-01), Heft 6, S. 1107-1113
    Online academicJournal
    Zugriff:
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    Wie komme ich dran?
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    Comparison of X-Ray and Electron Radiation Effects on Dark Current Non-Uniformity and Fluctuations in CMOS Image Sensors.
    Le Roch, Alexandre ; Virmontois, Cedric ; et al.
    In: IEEE Transactions on Nuclear Science, Jg. 67 (2020-02-01), Heft 2, S. 268-277
    Online academicJournal
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    Phosphorus Versus Arsenic: Role of the Photodiode Doping Element in CMOS Image Sensor Radiation-Induced Dark Current and Random Telegraph Signal.
    Le Roch, Alexandre ; Virmontois, Cedric ; et al.
    In: IEEE Transactions on Nuclear Science, Jg. 67 (2020-07-01), Heft 7, S. 1241-1250
    Online academicJournal
    Zugriff:
    Volltext
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    ASET and TID Characterization of a Radiation Hardened Bandgap Voltage Reference in a 28-nm Bulk CMOS Technology.
    Chen, Jianjun ; Chi, Yaqing ; et al.
    In: IEEE Transactions on Nuclear Science, Jg. 69 (2022-05-01), Heft 5, S. 1141-1147
    Online academicJournal
    Zugriff:
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    Dose and Single-Event Effects on a Color CMOS Camera for Space Exploration.
    Virmontois, Cedric ; Belloir, Jean-Marc ; et al.
    In: IEEE Transactions on Nuclear Science, Jg. 66 (2019), Heft 1, S. 104-110
    Online academicJournal
    Zugriff:
    Volltext
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    Evaluation of the Radiation Hardness of Photodiodes in 180-nm CMOS Technology for Medical Applications.
    Segmanovic, Filip ; Meinhardt, Gerald ; et al.
    In: IEEE Transactions on Nuclear Science, Jg. 68 (2021-09-01), Heft 9, S. 2367-2374
    Online academicJournal
    Zugriff:
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    Design and Verification of a 6.25 GHz LC -Tank VCO Integrated in 65 nm CMOS Technology Operating up to 1 Grad TID.
    Monda, Danilo ; Ciarpi, Gabriele ; et al.
    In: IEEE Transactions on Nuclear Science, Jg. 68 (2021-10-01), Heft 10, S. 2524-2532
    Online academicJournal
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    Effects of Bias and Temperature on the Dose-Rate Sensitivity of 65-nm CMOS Transistors.
    Borghello, Giulio ; Faccio, Federico ; et al.
    In: IEEE Transactions on Nuclear Science, Jg. 68 (2021-05-01), Heft 5, S. 573-580
    Online academicJournal
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    Radiation Effects in Pinned Photodiode CMOS Image Sensors: Variation of Epitaxial Layer Thickness.
    Virmontois, Cedric ; Durnez, Clementine ; et al.
    In: IEEE Transactions on Nuclear Science, Jg. 64 (2017), Heft 1, part 1, S. 38-44
    Online academicJournal
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    Radiation Hardening of Digital Color CMOS Camera-on-a-Chip Building Blocks for Multi-MGy Total Ionizing Dose Environments.
    Goiffon, Vincent ; Rolando, Sebastien ; et al.
    In: IEEE Transactions on Nuclear Science, Jg. 64 (2017), Heft 1, part 1, S. 45-53
    Online academicJournal
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    TID and Heavy-Ion Performance of an RHBD Multichannel Digitizer in 180-nm CMOS.
    Quilligan, G. ; Aslam, S.
    In: IEEE Transactions on Nuclear Science, Jg. 68 (2021-07-01), Heft 7, S. 1414-1422
    Online academicJournal
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    Impacts of Proton Radiation on Heavy-Ion-Induced Single-Event Transients in 65-nm CMOS Technology.
    Wu, Zhenyu ; Chen, Shuming ; et al.
    In: IEEE Transactions on Nuclear Science, Jg. 66 (2019), Heft 1, S. 177-183
    Online academicJournal
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    Radiation-Induced Leakage Current and Electric Field Enhancement in CMOS Image Sensor Sense Node Floating Diffusions.
    Le Roch, Alexandre ; Rizzolo, Serena ; et al.
    In: IEEE Transactions on Nuclear Science, Jg. 66 (2019-03-01), Heft 3, S. 616-624
    Online academicJournal
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  16. Detailansicht für Treffer 16 öffnen
    Radiation Hardness Comparison of CMOS Image Sensor Technologies at High Total Ionizing Dose Levels.
    Rizzolo, Serena ; Goiffon, Vincent ; et al.
    In: IEEE Transactions on Nuclear Science, Jg. 66 (2019), Heft 1, S. 111-119
    Online academicJournal
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    Fixed Pattern Noise and Temporal Noise Degradation Induced by Radiation Effects in Pinned Photodiode CMOS Image Sensors.
    Wang, Zujun ; Xue, Yuanyuan ; et al.
    In: IEEE Transactions on Nuclear Science, Jg. 65 (2018-06-01), Heft 6, S. 1264-1270
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    Total Ionizing Dose Radiation-Induced Dark Current Random Telegraph Signal in Pinned Photodiode CMOS Image Sensors.
    Durnez, Clementine ; Goiffon, Vincent ; et al.
    In: IEEE Transactions on Nuclear Science, Jg. 65 (2018), Heft 1, S. 92-100
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    Total Ionizing Dose Effects on a Radiation-Hardened CMOS Image Sensor Demonstrator for ITER Remote Handling.
    Goiffon, Vincent ; Rizzolo, Serena ; et al.
    In: IEEE Transactions on Nuclear Science, Jg. 65 (2018), Heft 1, S. 101-110
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    Comparison of a 65 nm CMOS Ring- and LC-Oscillator Based PLL in Terms of TID and SEU Sensitivity.
    Prinzie, Jeffrey ; Christiansen, Jorgen ; et al.
    In: IEEE Transactions on Nuclear Science, Jg. 64 (2017), Heft 1, part 1, S. 245-252
    Online academicJournal
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xs 0 - 576
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