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    Single-Event Effects in Pinned Photodiode CMOS Image Sensors: SET and SEL.
    Cai, Yulong ; Wen, Lin ; et al.
    In: IEEE Transactions on Nuclear Science, Jg. 67 (2020-08-01), Heft 8, S. 1861-1868
    Online academicJournal
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    Transient Response in PPD CMOS Image Sensors Irradiated by Gamma Rays: Variation of Dose Rates and Integration Times.
    Wang, Zujun ; Xue, Yuanyuan ; et al.
    In: IEEE Transactions on Nuclear Science, Jg. 66 (2019-06-01), Heft 6, S. 880-885
    Online academicJournal
    Zugriff:
    Volltext
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    ASET and TID Characterization of a Radiation Hardened Bandgap Voltage Reference in a 28-nm Bulk CMOS Technology.
    Chen, Jianjun ; Chi, Yaqing ; et al.
    In: IEEE Transactions on Nuclear Science, Jg. 69 (2022-05-01), Heft 5, S. 1141-1147
    Online academicJournal
    Zugriff:
    Volltext
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    Characterization of Single-Event Transient Pulse Quenching among Dummy Gate Isolated Logic Nodes in 65 nm Twin-Well and Triple-Well CMOS Technologies.
    Jianjun, Chen ; Shuming, Chen ; et al.
    In: IEEE Transactions on Nuclear Science, Jg. 62 (2015-10-15), Heft 5b, S. 2302-2309
    Online academicJournal
    Zugriff:
    Volltext
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    Time-Dependent Single-Event Effects in CMOS $LC$ -Oscillators.
    Prinzie, Jeffrey ; De Smedt, Valentijn
    In: IEEE Transactions on Nuclear Science, Jg. 66 (2019-09-01), Heft 9, S. 2048-2054
    Online academicJournal
    Zugriff:
    Volltext
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    Experimental Investigation of the Joint Influence of Reduced Supply Voltage and Charge Sharing on Single-Event Transient Waveforms in 65-nm Triple-Well CMOS.
    Mitrovic, Mladen ; Hofbauer, Michael ; et al.
    In: IEEE Transactions on Nuclear Science, Jg. 65 (2018-08-01), Heft 8, S. 1908-1913
    Online academicJournal
    Zugriff:
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    Memory State Transient Analysis (MSTA): A New Soft Error Rate Measurement Method for CMOS Memory Elements Based on Stochastic Analysis.
    Bota, Sebastia A. ; Torrens, Gabriel ; et al.
    In: IEEE Transactions on Nuclear Science, Jg. 62 (2015-12-15), Heft 6b, S. 3353-3361
    Online academicJournal
    Zugriff:
    Volltext
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  8. Detailansicht für Treffer 8 öffnen
    Experimental Investigation of Single-Event Transient Waveforms Depending on Transistor Spacing and Charge Sharing in 65-nm CMOS.
    Mitrovic, Mladen ; Hofbauer, Michael ; et al.
    In: IEEE Transactions on Nuclear Science, Jg. 64 (2017-08-01), Heft 8 Part 1, S. 2136-2143
    Online academicJournal
    Zugriff:
    Volltext
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    Single-Event Transient Pulse Propagation in Digital CMOS.
    Massengill, Lloyd W. ; Tuinenga, Paul W.
    In: IEEE Transactions on Nuclear Science, Jg. 55 (2008-12-01), Heft 6, S. 2861-2871
    Online academicJournal
    Zugriff:
    Volltext
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  10. Detailansicht für Treffer 10 öffnen
    Impact of Circuit Placement on Single Event Transients in 65 nm Bulk CMOS Technology.
    Yibai, He ; Shuming, Chen ; et al.
    In: IEEE Transactions on Nuclear Science, Jg. 59 (2012-12-01), Heft 6, S. 2772-2777
    Online academicJournal
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    An Investigation of the SET Response of Devices and Differential Pairs in a 32-nm SOI CMOS Technology.
    Fleetwood, Zachary E. ; Lourenco, Nelson E. ; et al.
    In: IEEE Transactions on Nuclear Science, Jg. 62 (2015-12-01), Heft 6a, S. 2643-2649
    Online academicJournal
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  12. Detailansicht für Treffer 12 öffnen
    Single-Event Latchup Modeling Based on Coupled Physical and Electrical Transient Simulations in CMOS Technology.
    Artola, L. ; Hubert, G. ; et al.
    In: IEEE Transactions on Nuclear Science, Jg. 61 (2014-12-01), Heft 6, S. 3543-3549
    Online academicJournal
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    An Investigation of Single Event Transient Response in 45-nm and 32-nm SOI RF-CMOS Devices and Circuits.
    England, Troy D. ; Arora, Rajan ; et al.
    In: IEEE Transactions on Nuclear Science, Jg. 60 (2013-12-01), Heft 6, S. 4405-4411
    Online academicJournal
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    Independent Measurement of SET Pulse Widths From N-Hits and P-Hits in 65-nm CMOS.
    Jagannathan, Srikanth ; Gadlage, Matthew J. ; et al.
    In: IEEE Transactions on Nuclear Science, Jg. 57 (2010-12-01), Heft 6, S. 3386-3391
    Online academicJournal
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    Single-Event-Hardened CMOS Operational Amplifier Design.
    Blaine, Raymond W. ; Atkinson, Nick M. ; et al.
    In: IEEE Transactions on Nuclear Science, Jg. 59 (2012-04-15), Heft 4, S. 803-810
    Online academicJournal
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  16. Detailansicht für Treffer 16 öffnen
    Scaling Trends in SET Pulse Widths in Sub-100 nm Bulk CMOS Processes.
    Gadlage, Matthew J. ; Ahlbin, Jonathan R. ; et al.
    In: IEEE Transactions on Nuclear Science, Jg. 57 (2010-12-01), Heft 6, S. 3336-3341
    Online academicJournal
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    Evaluating the Influence of Various Body-Contacting Schemes on Single Event Transients in 45-nm SOI CMOS.
    Moen, Kurt A. ; Phillips, Stanley D. ; et al.
    In: IEEE Transactions on Nuclear Science, Jg. 57 (2010-12-01), Heft 6, S. 3366-3372
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  18. Detailansicht für Treffer 18 öffnen
    Alpha-Particle and Focused-Ion-Beam-Induced Single-Event Transient Measurements in a Bulk 65-nm CMOS Technology.
    Gadlage, Matthew J. ; Ahlbin, Jonathan R. ; et al.
    In: IEEE Transactions on Nuclear Science, Jg. 58 (2011-06-02), Heft 3, S. 1093-1097
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    Single-Event Transient Modeling in a 65-nm Bulk CMOS Technology Based on Multi-Physical Approach and Electrical Simulations.
    Hubert, Guillaume ; Artola, Laurent
    In: IEEE Transactions on Nuclear Science, Jg. 60 (2013-12-01), Heft 6, S. 4421-4429
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    Negative Bias Temperature Instability Effect on the Single Event Transient Sensitivity of a 65 nm CMOS Technology.
    Moukhtari, I. El ; Pouget, Vincent ; et al.
    In: IEEE Transactions on Nuclear Science, Jg. 60 (2013-07-10), Heft 4, S. 2635-2639
    Online academicJournal
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