Zum Hauptinhalt springen
UB Hagen

Suchergebnisse

UB Katalog

Artikel & mehr
63 Treffer

Suchmaske

Suchtipp für den Bereich Artikel & mehr: Wörter werden automatisch mit UND verknüpft. Eine ODER-Verknüpfung erreicht man mit dem Zeichen "|", eine NICHT-Verknüpfung mit einem "-" (Minus) vor einem Wort. Anführungszeichen ermöglichen eine Phrasensuche.
Beispiele: (burg | schloss) -mittelalter, "berufliche bildung"

Das folgende Suchfeld wird hier nicht unterstützt: "Signatur / Strichcode".

Suchergebnisse einschränken oder erweitern

Aktive Suchfilter

Erscheinungszeitraum

Mehr Treffer

Weniger Treffer

Gefunden in

Art der Quelle

Schlagwort

Publikation

Sprache

63 Treffer

Sortierung: 
  1. Detailansicht für Treffer 1 öffnen
    Effect of charge imbalance and edge structure on the reverse recovery waveform in superjunction body diode
    Arai, Daisuke ; Yamaji, Mizue ; et al.
    In: 2018 IEEE 30th International Symposium on Power Semiconductor Devices and ICs (ISPSD), 2018-05-01, S. 180-183
    Konferenz
    Wie komme ich dran?
  2. Detailansicht für Treffer 2 öffnen
    Hours-Long Transient Leakage Current in MOS Structures Induced by High Total-Ionizing-Dose
    Dewitte, H. ; Paillet, P. ; et al.
    In: IEEE Transactions on Nuclear Science, Jg. 69 (2022-07-01), Heft 7, S. 1428-1436
    Online academicJournal
    Zugriff:
    Volltext
    Wie komme ich dran?
  3. Detailansicht für Treffer 3 öffnen
    Analysis of Nanowire Field-Effect Transistors SET Response: Geometrical Considerations
    Gaillardin, M. ; Raine, M. ; et al.
    In: IEEE Transactions on Nuclear Science, Jg. 66 (2019-07-01), Heft 7, S. 1410-1417
    Online academicJournal
    Zugriff:
    Volltext
    Wie komme ich dran?
  4. Detailansicht für Treffer 4 öffnen
    SET Sensitivity of Trigate Silicon Nanowire Field-Effect Transistors
    Raine, M. ; Gaillardin, M. ; et al.
    In: IEEE Transactions on Nuclear Science, Jg. 66 (2019), Heft 1, S. 352-358
    Online academicJournal
    Zugriff:
    Volltext
    Wie komme ich dran?
  5. Detailansicht für Treffer 5 öffnen
    Ion-induced charge-collection transients in p-channel AlGaSb/InGaSb field-effect transistors
    Warner, Jeffrey H. ; McMorrow, Dale P. ; et al.
    In: 2013 14th European Conference on Radiation and Its Effects on Components and Systems (RADECS), 2013-09-01, S. 1-7
    Konferenz
    Wie komme ich dran?
  6. Detailansicht für Treffer 6 öffnen
    Impact of mechanical strain on the charge collection mechanisms of nanometer scaled SOI devices under heavy ion and pulsed laser irradiation
    Gaillardin, M. ; Raine, M. ; et al.
    In: 2013 14th European Conference on Radiation and Its Effects on Components and Systems (RADECS), 2013-09-01, S. 1-7
    Konferenz
    Wie komme ich dran?
  7. Detailansicht für Treffer 7 öffnen
    Ion-Induced Charge-Collection Transients in p-Channel AlGaSb/InGaSb Heterojunction Field-Effect Transistors
    Warner, J. H. ; McMorrow, D. ; et al.
    In: IEEE Transactions on Nuclear Science, Jg. 61 (2014-08-01), Heft 4, S. 1510-1515
    Online academicJournal
    Zugriff:
    Volltext
    Wie komme ich dran?
  8. Detailansicht für Treffer 8 öffnen
    Comparative Analysis of Mechanical Strain and Silicon Film Thickness on Charge Collection Mechanisms of Nanometer Scaled SOI Devices Under Heavy Ion and Pulsed Laser Irradiation
    Gaillardin, M. ; Raine, M. ; et al.
    In: IEEE Transactions on Nuclear Science, Jg. 61 (2014-08-01), Heft 4, S. 1628-1634
    Online academicJournal
    Zugriff:
    Volltext
    Wie komme ich dran?
  9. Detailansicht für Treffer 9 öffnen
    Integration of optical fibers in radiative environments: Advantages and limitations
    Girard, S. ; Ouerdane, Y. ; et al.
    In: 2011 2nd International Conference on Advancements in Nuclear Instrumentation, Measurement Methods and their Applications, 2011-06-01, S. 1-6
    Konferenz
    Wie komme ich dran?
  10. Detailansicht für Treffer 10 öffnen
    A new technique for SET pulse width measurement in chains of inverters using pulsed laser irradiation
    Ferlet-Cavrois, V. ; McMorrow, D. ; et al.
    In: 2008 European Conference on Radiation and Its Effects on Components and Systems, 2008-09-01, S. 169-174
    Online Konferenz
    Zugriff:
    Full Text Finder (Volltext)
    Wie komme ich dran?
  11. Detailansicht für Treffer 11 öffnen
    Modeling Approach for the Prediction of Transient and Permanent Degradations of Image Sensors in Complex Radiation Environments
    Raine, M. ; Goiffon, V. ; et al.
    In: IEEE Transactions on Nuclear Science, Jg. 60 (2013-12-01), Heft 6, S. 4297-4304
    Online academicJournal
    Zugriff:
    Volltext
    Wie komme ich dran?
  12. Detailansicht für Treffer 12 öffnen
    Proton-Induced Transient Charge Collection in GaAs and InAlSb/InAs-Based FETs
    Warner, J. H. ; McMorrow, D. ; et al.
    In: IEEE Transactions on Nuclear Science, Jg. 60 (2013-08-01), Heft 4, S. 2651-2659
    Online academicJournal
    Zugriff:
    Volltext
    Wie komme ich dran?
  13. Detailansicht für Treffer 13 öffnen
    Transient Radiation Responses of Optical Fibers: Influence of MCVD Process Parameters
    Girard, S. ; Marcandella, C. ; et al.
    In: IEEE Transactions on Nuclear Science, Jg. 59 (2012-12-01), Heft 6, S. 2894-2901
    Online academicJournal
    Zugriff:
    Volltext
    Wie komme ich dran?
  14. Detailansicht für Treffer 14 öffnen
    Integration of Optical Fibers in Megajoule Class Laser Environments: Advantages and Limitations
    Girard, S. ; Ouerdane, Y. ; et al.
    In: IEEE Transactions on Nuclear Science, Jg. 59 (2012-08-01), Heft 4, S. 1317-1322
    Online academicJournal
    Zugriff:
    Volltext
    Wie komme ich dran?
  15. Detailansicht für Treffer 15 öffnen
    SEU Prediction From SET Modeling Using Multi-Node Collection in Bulk Transistors and SRAMs Down to the 65 nm Technology Node
    Artola, L. ; Hubert, G. ; et al.
    In: IEEE Transactions on Nuclear Science, Jg. 58 (2011-06-01), Heft 3, S. 1338-1346
    Online academicJournal
    Zugriff:
    Volltext
    Wie komme ich dran?
  16. Detailansicht für Treffer 16 öffnen
    Angular Dependence of SOI Transistor Response to Heavy Ion Irradiation
    Raine, M. ; Gaillardin, M. ; et al.
    In: IEEE Transactions on Nuclear Science, Jg. 57 (2010-12-01), Heft 6, S. 3219-3227
    Online academicJournal
    Zugriff:
    Volltext
    Wie komme ich dran?
  17. Detailansicht für Treffer 17 öffnen
    Statistical Analysis of the Charge Collected in SOI and Bulk Devices Under Heavy lon and Proton Irradiation—Implications for Digital SETs
    Ferlet-Cavrois, V. ; Paillet, P. ; et al.
    In: IEEE Transactions on Nuclear Science, Jg. 53 (2006-12-01), Heft 6, S. 3242-3252
    Online academicJournal
    Zugriff:
    Volltext
    Wie komme ich dran?
  18. Detailansicht für Treffer 18 öffnen
    Analysis of the Transient Response of High Performance 50-nm Partially Depleted SOI Transistors Using a Laser Probing Technique
    Ferlet-Cavrois, V. ; Paillet, P. ; et al.
    In: IEEE Transactions on Nuclear Science, Jg. 53 (2006-08-01), Heft 4, S. 1825-1833
    Online academicJournal
    Zugriff:
    Volltext
    Wie komme ich dran?
  19. Detailansicht für Treffer 19 öffnen
    Radiation effects in advanced SOI devices: New insights into Total Ionizing Dose and Single-Event Effects
    Gaillardin, M. ; Raine, M. ; et al.
    In: 2013 IEEE SOI-3D-Subthreshold Microelectronics Technology Unified Conference (S3S), 2013-10-01, S. 1-2
    Konferenz
    Wie komme ich dran?
  20. Detailansicht für Treffer 20 öffnen
    Single-Event Measurement and Analysis of Antimony-Based p-Channel Quantum-Well MOSFETs With High- $\kappa $ Dielectric
    Barth, M. ; Kumar, A. ; et al.
    In: IEEE Transactions on Nuclear Science, Jg. 64 (2017), Heft 1, S. 434-434
    Online academicJournal
    Zugriff:
    Volltext
    Wie komme ich dran?
xs 0 - 576
sm 576 - 768
md 768 - 992
lg 992 - 1200
xl 1200 - 1366
xxl 1366 -