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    Characterization of Single-Event Transient Pulse Quenching among Dummy Gate Isolated Logic Nodes in 65 nm Twin-Well and Triple-Well CMOS Technologies.
    Jianjun, Chen ; Shuming, Chen ; et al.
    In: IEEE Transactions on Nuclear Science, Jg. 62 (2015-10-15), Heft 5b, S. 2302-2309
    Online academicJournal
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    Negative Bias Temperature Instability Effect on the Single Event Transient Sensitivity of a 65 nm CMOS Technology.
    Moukhtari, I. El ; Pouget, Vincent ; et al.
    In: IEEE Transactions on Nuclear Science, Jg. 60 (2013-07-10), Heft 4, S. 2635-2639
    Online academicJournal
    Zugriff:
    Volltext
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    Evidence of Pulse Quenching in AND and OR Gates by Experimental Probing of Full Single-Event Transient Waveforms.
    Mitrovic, Mladen ; Hofbauer, Michael ; et al.
    In: IEEE Transactions on Nuclear Science, Jg. 65 (2018), Heft 1, S. 382-390
    Online academicJournal
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    Volltext
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    Influence of N-Well Contact Area on the Pulse Width of Single-Event Transients.
    Ahlbin, J. R. ; Atkinson, N. M. ; et al.
    In: IEEE Transactions on Nuclear Science, Jg. 58 (2011-12-01), Heft 6, S. 2585-2590
    Online academicJournal
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    Neutron-Induced Pulsewidth Distribution of Logic Gates Characterized Using a Pulse Shrinking Chain-Based Test Structure.
    Pande, Nakul ; Kumar, Saurabh ; et al.
    In: IEEE Transactions on Nuclear Science, Jg. 68 (2021-12-01), Heft 12, S. 2736-2747
    Online academicJournal
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    Modeling and Simulation of PGSPAD-Based Silicon Photomultipliers.
    Shawkat, Mst Shamim Ara ; Hasan, Md. Sakib ; et al.
    In: IEEE Transactions on Nuclear Science, Jg. 68 (2021-03-01), Heft 3, S. 279-291
    Online academicJournal
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    Single-Event Double Transients in Inverter Chains Designed With Different Transistor Widths.
    Zhao, Wen ; He, Chaohui ; et al.
    In: IEEE Transactions on Nuclear Science, Jg. 66 (2019-07-01), Heft 7, S. 1491-1499
    Online academicJournal
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    Experimental Estimation of the Window of Vulnerability for Logic Circuits.
    Mahatme, N. N. ; Gaspard, N. J. ; et al.
    In: IEEE Transactions on Nuclear Science, Jg. 60 (2013-07-10), Heft 4, S. 2691-2696
    Online academicJournal
    Zugriff:
    Volltext
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    Experimental Estimation of the Window of Vulnerability for Logic Circuits.
    Mahatme, N. N. ; Gaspard, N. J. ; et al.
    In: IEEE Transactions on Nuclear Science, Jg. 60 (2013-07-01), Heft 4, S. 2691-2696
    Online academicJournal
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    Floating Gate PMOS Dosimeters Under Bias Controlled Cycled Measurement.
    Inza, M. García ; Lipovetzky, José ; et al.
    In: IEEE Transactions on Nuclear Science, Jg. 58 (2011-06-02), Heft 3, S. 808-812
    Online academicJournal
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    Total Ionizing Dose Effects on FinFET-Based Capacitor-Less 1T-DRAMs.
    Zhang, En Xia ; Fleetwood, Daniel M. ; et al.
    In: IEEE Transactions on Nuclear Science, Jg. 57 (2010-12-01), Heft 6, S. 3298-3304
    Online academicJournal
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    Volltext
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