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    Effects of Bias and Temperature on the Dose-Rate Sensitivity of 65-nm CMOS Transistors
    Michelis, Stefano ; Costanzo, Sebastiano ; et al.
    In: IEEE Transactions on Nuclear Science, Jg. 68 (2021-05-01), S. 573-580
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    Ionizing Radiation Effects on the Noise of 65 nm CMOS Transistors for Pixel Sensor Readout at Extreme Total Dose Levels
    Gaioni, Luigi ; Ratti, Lodovico ; et al.
    In: IEEE Transactions on Nuclear Science, Jg. 65 (2018), S. 550-557
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    nMOS Transistor Location Adjustment for N-Hit Single-Event Transient Mitigation in 65-nm CMOS Bulk Technology
    Zhenyu, Wu ; Chen, Shuming
    In: IEEE Transactions on Nuclear Science, Jg. 65 (2018), S. 418-425
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    Temperature-Compensated MOS Dosimeter Fully Integrated in a High-Voltage 0.35 μm CMOS Process
    Lipovetzky, Jose ; Faigon, Adrian ; et al.
    In: IEEE Transactions on Nuclear Science, Jg. 67 (2020-06-01), S. 1118-1124
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    Radiation Tolerance of Devices and Circuits in a 3D Technology Based on the Vertical Integration of Two 130-nm CMOS Layers
    Ratti, Lodovico ; Manazza, Alessia ; et al.
    In: IEEE Transactions on Nuclear Science, Jg. 60 (2013-12-01), S. 4526-4532
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    Field Oxide n-channel MOS Dosimeters Fabricated in CMOS Processes
    Carra, M. J. ; Carbonetto, S. ; et al.
    In: IEEE Transactions on Nuclear Science, Jg. 60 (2013-12-01), S. 4683-4691
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    Single-Event Upsets in Substrate-Etched CMOS SOI SRAMs Using Ultraviolet Optical Pulses With Sub-Micrometer Spot Size
    Larue, C. ; Pouget, Vincent ; et al.
    In: IEEE Transactions on Nuclear Science, Jg. 60 (2013-12-01), S. 4184-4191
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    Analysis of Low Dose Rate Effects on Parasitic Bipolar Structures in CMOS Processes for Mixed-Signal Integrated Circuits
    Prater, J.S. ; Brown, B. ; et al.
    In: IEEE Transactions on Nuclear Science, Jg. 58 (2011-06-01), S. 1023-1031
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    Investigating Degradation Mechanisms in 130 nm and 90 nm Commercial CMOS Technologies Under Extreme Radiation Conditions
    Ratti, Lodovico ; Manghisoni, Massimo ; et al.
    In: IEEE Transactions on Nuclear Science, Jg. 55 (2008-08-01), S. 1992-2000
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    Impact of Circuit Placement on Single Event Transients in 65 nm Bulk CMOS Technology
    Jun-rui, Qin ; Bin, Liang ; et al.
    In: IEEE Transactions on Nuclear Science, Jg. 59 (2012-12-01), S. 2772-2777
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    TID Effects in Deep N-Well CMOS Monolithic Active Pixel Sensors
    Pozzati, E. ; Andreoli, C. ; et al.
    In: IEEE Transactions on Nuclear Science, Jg. 56 (2009-08-01), S. 2124-2131
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    Impact of Well Structure on Single-Event Well Potential Modulation in Bulk CMOS
    Ahlbin, J. R. ; Holman, W.T. ; et al.
    In: IEEE Transactions on Nuclear Science, Jg. 58 (2011-12-01), S. 2614-2620
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    Effect of Transistor Density and Charge Sharing on Single-Event Transients in 90-nm Bulk CMOS
    Atkinson, N. M. ; Massengill, Lloyd W. ; et al.
    In: IEEE Transactions on Nuclear Science, Jg. 58 (2011-12-01), S. 2578-2584
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    Comprehensive Study on the Total Dose Effects in a 180-nm CMOS Technology
    Chen, Ming ; Liu, Zhangli ; et al.
    In: IEEE Transactions on Nuclear Science, Jg. 58 (2011-06-01), S. 1347-1354
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    A JFET-CMOS Fast Preamplifier for Segmented Germanium Detectors
    Pullia, Alberto ; Riboldi, Stefano ; et al.
    In: IEEE Transactions on Nuclear Science, Jg. 55 (2008), S. 591-594
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    Radiation Sensor Compatible With Standard CMOS Technology
    Picos, Rodrigo ; Bota, Sebastia ; et al.
    In: IEEE Transactions on Nuclear Science, Jg. 56 (2009-10-01), S. 2910-2915
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    Temperature Dependency of Charge Sharing and MBU Sensitivity in 130-nm CMOS Technology
    Chen, Shuming ; Liang, Bin ; et al.
    In: IEEE Transactions on Nuclear Science, Jg. 56 (2009-08-01), S. 2473-2479
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    Effects of Moisture on Radiation-Induced Degradation in CMOS SOI Transistors
    Dodd, Paul E. ; Schwank, James R. ; et al.
    In: IEEE Transactions on Nuclear Science, Jg. 57 (2010-08-01), S. 1777-1780
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    Enhanced TID Susceptibility in Sub-100 nm Bulk CMOS I/O Transistors and Circuits
    Michael Lee McLain ; Wert, J. ; et al.
    In: IEEE Transactions on Nuclear Science, Jg. 54 (2007-12-01), S. 2210-2217
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    Total Dose Effects in CMOS Trench Isolation Regions
    Allen, Gregory R. ; Miyahira, T.F. ; et al.
    In: IEEE Transactions on Nuclear Science, Jg. 56 (2009-08-01), S. 1941-1949
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xs 0 - 576
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