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    Bias temperature instability model using dynamic defect potential for predicting CMOS aging
    Ivan Sanchez Esqueda ; Barnaby, Hugh J. ; et al.
    In: Journal of Applied Physics, Jg. 123 (2018-06-14), S. 225701-225701
    Online unknown
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    Nanoscale metal-InGaAs contacts with ultra-low specific contact resistivity: Improved interfacial quality and extraction methodology
    Kumar, Annie ; Masudy-Panah, Saeid ; et al.
    In: Journal of Applied Physics, Jg. 123 (2018-01-14), S. 024508-24508
    Online unknown
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    Integrate-and-fire neuron circuit using positive feedback field effect transistor for low power operation
    Hwang, Sungmin ; Park, Kyungchul ; et al.
    In: Journal of Applied Physics, Jg. 124 (2018-10-21), S. 152107-152107
    Online unknown
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    High density submicron magnetoresistive random access memory (invited)
    Tehrani, Saied N. ; Eugene Youjun Chen ; et al.
    In: Journal of Applied Physics, Jg. 85 (1999-04-15), S. 5822-5827
    Online unknown
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    Hole mobility enhancements and alloy scattering-limited mobility in tensile strained Si/SiGe surface channel metal–oxide–semiconductor field-effect transistors
    Antoniadis, Dimitri A. ; Lee, Minjoo L. ; et al.
    In: Journal of Applied Physics, Jg. 92 (2002-10-01), S. 3745-3751
    Online unknown
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    Design and fabrication of a perpendicular magnetic tunnel junction based nonvolatile programmable switch achieving 40% less area using shared-control transistor structure
    Mochizuki, Akira ; Natsui, Masanori ; et al.
    In: Journal of applied physics, Jg. 115 (2013-09-23), Heft 17
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    A hybrid magnetic/complementary metal oxide semiconductor three-context memory bit cell for non-volatile circuit design
    Jovanovic, Bojan ; Raphael Martins Brum ; et al.
    In: Journal of Applied Physics, Jg. 115 (2014-04-07), S. 134316-134316
    Online unknown
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    Lateral profiling of impurity surface concentration in submicron metal–oxide–silicon transistors
    Sah, Chih-Tang ; Wang, Yih
    In: Journal of Applied Physics, Jg. 90 (2001-10-01), S. 3539-3550
    Online unknown
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    All-magnetic magnetoresistive random access memory based on four terminal mCell device
    Sumbul Huseyin Ekin ; Bromberg, David M. ; et al.
    In: Journal of Applied Physics, Jg. 117 (2015-05-07), S. 17B510
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    Study of direct tunneling through ultrathin gate oxide of field effect transistors using Monte Carlo simulation
    Cassan, Eric ; Hesto, P. ; et al.
    In: Journal of Applied Physics, Jg. 86 (1999-10-01), S. 3804-3811
    Online unknown
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    Design of a 270ps-access 7-transistor/2-magnetic-tunnel-junction cell circuit for a high-speed-search nonvolatile ternary content-addressable memory
    Ohno, Hideo ; Endoh, Tetsuo ; et al.
    In: Journal of Applied Physics, Jg. 111 (2012-04-01), S. 07E336
    Online unknown
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    Nano-textured high sensitivity ion sensitive field effect transistors
    Mohajerzadeh, Shams ; Shahsafi, Alireza ; et al.
    In: Journal of Applied Physics, Jg. 119 (2016-02-07), S. 054303-54303
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    The demonstration of the Si nano-tube device with the promising short channel control
    Liao, Ming-Han ; Chen, Peilin
    In: Journal of Applied Physics, Jg. 118 (2015-10-07), S. 135705-135705
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    Gate length and temperature dependence of negative differential transconductance in silicon quantum well metal-oxide-semiconductor field-effect transistors
    Lee, Mark ; Naquin, Clint ; et al.
    In: Journal of Applied Physics, Jg. 118 (2015-09-28), S. 124505-124505
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    Multi-frequency magnonic logic circuits for parallel data processing
    Khitun, Alexander
    In: Journal of Applied Physics, Jg. 111 (2012-03-01), S. 054307-54307
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    Scalability of spin field programmable gate array: A reconfigurable architecture based on spin metal-oxide-semiconductor field effect transistor
    Saito, Yoshiaki ; Ikegami, Kazutaka ; et al.
    In: Journal of Applied Physics, Jg. 109 (2011-04-01), S. 07C312
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    DNA detection using a complementary metal-oxide semiconductor ring oscillator circuit
    Kocanda, Martin ; Abdel-Motaleb, Ibrahim
    In: Journal of Applied Physics, Jg. 108 (2010-10-01), S. 076103-76103
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    High frequency and noise model of gate-all-around metal-oxide-semiconductor field-effect transistors
    Iniguez, Benjamin ; Antonio Manuel Lazaro ; et al.
    In: Journal of Applied Physics, Jg. 105 (2009-04-01), S. 074505-74505
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  19. Detailansicht für Treffer 19 öffnen
    Alpha particle mitigation strategies to reduce chip soft error upsets
    Rodbell, Kenneth P. ; Gordon, M. S. ; et al.
    In: Journal of Applied Physics, Jg. 101 (2007), S. 014902-14902
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    Symmetrical threshold voltage in complementary metal-oxide-semiconductor field-effect transistors with HfAlOx(N) achieved by adjusting Hf∕Al compositional ratio
    Nabatame, Toshihide ; Ogawa, Arito ; et al.
    In: Journal of Applied Physics, Jg. 99 (2006-03-01), S. 054506-54506
    Online unknown
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