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    The Impact of LCE and PAMDLE Regarding Different CMOS ICs Nodes and High Temperatures
    Salvador Pinillos Gimenez ; Renaux, Christian ; et al.
    In: IEEE Journal of the Electron Devices Society, Jg. 9 (2021), S. 415-423
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    Analysis of Transfer Gate Doping Profile Influence on Dark Current and FWC in CMOS Image Sensors
    Xu, Jiangtao ; Gao, Zhiyuan ; et al.
    In: IEEE Journal of the Electron Devices Society, Jg. 9 (2021), S. 27-35
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    P-Channel and N-Channel Super-Steep Subthreshold Slope PN-Body Tied SOI-FET for Ultralow Power CMOS
    Mori, Takayuki ; Ida, Jiro
    In: IEEE Journal of the Electron Devices Society, Jg. 6 (2018), S. 1213-1219
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    CMOS-SOI-MEMS Uncooled Infrared Security Sensor With Integrated Readout
    Saraf, Tomer ; Blank, Tanya ; et al.
    In: IEEE Journal of the Electron Devices Society, Jg. 4 (2016), Heft 3, S. 155-162
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    Parasitic Capacitance Analysis of Three-Independent-Gate Field-Effect Transistors
    Gaillardon, Pierre-Emmanuel ; Cadareanu, Patsy ; et al.
    In: IEEE Journal of the Electron Devices Society, Jg. 9 (2021), S. 400-408
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    Energy-Efficient Ferroelectric Field-Effect Transistor-Based Oscillators for Neuromorphic System Design
    Tara Julia Hamilton ; Khandelwal, Sourabh ; et al.
    In: IEEE Journal on Exploratory Solid-State Computational Devices and Circuits, Jg. 6 (2020), Heft 2, S. 122-129
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    BCB Evaluation of High-Performance and Low-Leakage Three-Independent-Gate Field-Effect Transistors
    Romero-Gonzalez, Jorge ; Gaillardon, Pierre-Emmanuel
    In: IEEE Journal on Exploratory Solid-State Computational Devices and Circuits, Jg. 4 (2018), Heft 1, S. 35-43
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    Novel 10-nm Gate Length MoS2 Transistor Fabricated on Si Fin Substrate
    Yin, Huaxiang ; Pan, Yu ; et al.
    In: IEEE Journal of the Electron Devices Society, Jg. 7 (2019), S. 483-488
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    Benchmark of Ferroelectric Transistor-Based Hybrid Precision Synapse for Neural Network Accelerator
    Sun, Xiaoyu ; Peng, Xiaochen ; et al.
    In: IEEE Journal on Exploratory Solid-State Computational Devices and Circuits, Jg. 5 (2019), Heft 2, S. 142-150
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    A Benchmark Study of Complementary-Field Effect Transistor (CFET) Process Integration Options Done by Virtual Fabrication
    Vincent, Benjamin ; Ervin, Joseph ; et al.
    In: IEEE Journal of the Electron Devices Society, Jg. 8 (2020), S. 668-673
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    Experimental Demonstration of a Nonvolatile SRAM With Ferroelectric HfO2 Capacitor for Normally Off Application
    Hiramoto, Toshiro ; Ueyama, Nozomu ; et al.
    In: IEEE Journal of the Electron Devices Society, Jg. 6 (2018), S. 280-285
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    A Perspective on SOI Symmetric Lateral Bipolar Transistors for Ultra-Low-Power Systems
    Ning, Tak H.
    In: IEEE Journal of the Electron Devices Society, Jg. 4 (2016), Heft 5, S. 227-235
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    Random dopant-induced variability in Si-InAs nanowire tunnel FETs: a quantum transport simulation study
    Medina-Bailon, Cristina ; Berrada, Salim ; et al.
    2018
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    Phase Change Pipe for Nonvolatile Routing
    Gokirmak, Ali ; Kan'an, Nadim H. ; et al.
    In: IEEE Journal of the Electron Devices Society, Jg. 4 (2016), Heft 2, S. 72-75
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  15. Detailansicht für Treffer 15 öffnen
    A Low-Power Rail-to-Rail Row/Column Selector Operating at 2V Using a-IGZO TFTs for Flexible Displays
    Santos, Angelo ; Barquinha, Pedro ; et al.
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  16. Detailansicht für Treffer 16 öffnen
    High-Mobility and H2-Anneal Tolerant InGaSiO/InGaZnO/InGaSiO Double Hetero Channel Thin Film Transistor for Si-LSI Compatible Process
    Ikeda, Keiji ; Tezuka, Tsutomu ; et al.
    In: IEEE Journal of the Electron Devices Society, Jg. 6 (2018), S. 500-505
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    Realizing XOR and XNOR Functions Using Tunnel Field-Effect Transistors
    Garg, Shelly ; Saurabh, Sneh
    In: IEEE Journal of the Electron Devices Society, Jg. 8 (2020), S. 1001-1009
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    Minimum-Energy Digital Computing With Steep Subthreshold Swing Tunnel FETs
    Ghosh, Avik W. ; Calhoun, Benton H. ; et al.
    In: IEEE Journal on Exploratory Solid-State Computational Devices and Circuits, Jg. 6 (2020), Heft 2, S. 138-145
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    Complementary Logic Implementation for Antiferromagnet Field-Effect Transistors
    Pan, Chenyun ; Naeemi, Azad
    In: IEEE Journal on Exploratory Solid-State Computational Devices and Circuits, Jg. 4 (2018), Heft 2, S. 69-75
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