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    MBE Growth and Device Applications of Ga2 O3
    Higashiwaki, Masataka
    2019
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    GaN-Based Submicrometer HEMTs With Lattice-Matched InAlGaN Barrier Grown by MBE
    Maier, Thomas ; Lozar, Roger ; et al.
    In: IEEE Electron Device Letters, Jg. 31 (2010-07-01), S. 671-673
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    RF Performance of 130 nm Al0.75Ga0.25N/Al0.6Ga0.4N HFETs with MBE-Regrown Contacts
    Khan, Asif ; Hussian, Kamal ; et al.
    In: 2019 Device Research Conference (DRC), 2019-06-01
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    Low temperature AlN growth by MBE and its application in HEMTs
    Jena, Debdeep ; Hu, Zongyang ; et al.
    In: Journal of Crystal Growth, Jg. 425 (2015-09-01), S. 133-137
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    PSPICE simulation of transient characteristics of GaN based MSM structure UV detector grown by MBE
    Ruifeng, Liu ; Hongxia, Ran ; et al.
    In: 8th International Symposium on Advanced Optical Manufacturing and Testing Technologies: Optoelectronic Materials and Devices, 2016-10-25
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    MBE grown Ga2O3 and its power device applications
    Higashiwaki, Masataka ; Kuramata, Akito ; et al.
    In: Journal of Crystal Growth, Jg. 378 (2013-09-01), S. 591-595
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    Monolithic Integration of Enhancement- and Depletion-Mode AlN/GaN/AlGaN DHFETs by Selective MBE Regrowth
    Hashimoto, Paul ; Williams, Adam J. ; et al.
    In: IEEE Transactions on Electron Devices, Jg. 58 (2011-04-01), S. 1063-1067
    Online unknown
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    The influence of MBE and device structure on the electrical properties of GaAs HEMT biosensors
    Zhang, Yang ; Luo, Jiaming ; et al.
    In: Journal of Semiconductors, Jg. 39 (2018-12-01), S. 124007-124007
    Online unknown
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    AlGaN/GaN HEMTs on Si by MBE with regrown contacts and f T = 153 GHz
    Zhu, Mingda ; Jena, Debdeep ; et al.
    In: physica status solidi c, Jg. 11 (2014-02-01), S. 887-889
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    Height-selective etching for regrowth of self-aligned contacts using MBE
    Nelson, A. ; Thibeault, Brian ; et al.
    In: Journal of Crystal Growth, Jg. 311 (2009-03-01), S. 1984-1987
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    Study of current collapse by quiescent-bias-stresses in rf-plasma assisted MBE grown AlGaN/GaN high-electron-mobility transistors
    Arulkumaran, Subramaniam ; Liu, Zhihong ; et al.
    In: Solid-State Electronics, Jg. 54 (2010-11-01), S. 1430-1433
    Online unknown
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  12. Detailansicht für Treffer 12 öffnen
    MBE-Grown <font>AlGaN/GaN</font> HEMTs on <font>SiC</font>
    Speck, James S. ; Poblenz, Christiane ; et al.
    In: International Journal of High Speed Electronics and Systems, Jg. 14 (2004-09-01), S. 732-737
    Online unknown
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    Uniformity of dc and rf performance of MBE-grown AlGaN/GaN HEMTS on HVPE-grown buffers
    Osinsky, Andrei ; Moser, Neil ; et al.
    In: Solid-State Electronics, Jg. 47 (2003-10-01), S. 1859-1862
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    Selective MBE growth of nonalloyed ohmic contacts to 2D electron gas in high-electron-mobility transistors based on GaN/AlGaN heterojunctions
    Maiboroda, I. O. ; Perminov, P. A. ; et al.
    In: Technical Physics Letters, Jg. 40 (2014-06-01), S. 488-490
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  15. Detailansicht für Treffer 15 öffnen
    CAVET on Bulk GaN Substrates Achieved With MBE-Regrown AlGaN/GaN Layers to Suppress Dispersion
    Chowdhury, Srabanti ; Swenson, Brian L. ; et al.
    In: IEEE Electron Device Letters, Jg. 33 (2012), S. 41-43
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    Multilayer AIN/AlGaN/GaN/AlGaN heterostructures with quantum wells for high-power field-effect transistors grown by ammonia MBE
    Aleksandrov, S. B. ; Stepanov, M. V. ; et al.
    In: Technical Physics Letters, Jg. 32 (2006-11-01), S. 960-963
    Online unknown
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    Monolithic integration of InP-based transistors on Si substrates using MBE
    Fastenau, Joel M. ; Bulsara, Mayank T. ; et al.
    In: Journal of Crystal Growth, Jg. 311 (2009-03-01), S. 1979-1983
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    Field‐effect transistors based on AlGaN/GaN/AlGaN double‐heterostructures grown by MBE
    Podolskaya, N. I. ; Chaly, V. P. ; et al.
    In: physica status solidi (c), Jg. 2 (2005-04-11), S. 2688-2691
    Online unknown
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    Formation of device-oriented InGaAs coupled quantum structures by selective MBE growth on patterned InP substrates
    Muranaka, Tsutomu ; Fujikura, Hajime ; et al.
    In: Physica E: Low-dimensional Systems and Nanostructures, Jg. 7 (2000-05-01), S. 864-869
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    Solid C 60 layer growth on AlN (0001) surface for C 60 FET structure by MBE
    Yamamoto, A. ; Hashimoto, A. ; et al.
    In: physica status solidi (c), 2003-11-24, S. 2404-2407
    Online unknown
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