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    First-ever test and characterization of the AMS standard bulk 0.35 μm CMOS technology at sub-kelvin temperatures
    Rhouni, A ; Reveret, V. ; et al.
    In: Journal of Physics: Conference Series, Jg. 834 (2017-05-02), S. 012005-12005
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    Strain distribution analysis in Si/SiGe line structures for CMOS technology using Raman spectroscopy
    Roelke, M ; Zschech, Ehrenfried ; et al.
    In: Journal of Physics: Conference Series, Jg. 209 (2010-02-01), S. 012008-12008
    Online unknown
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    Low Temperature (≤550°C) Fabrication of CMOS TFT's on Rapid-Thermal CVD Polycrystalline Silicon-Germanium Films
    Ahn, Chang–Geun ; Chung, Wook–Jin ; et al.
    In: Japanese Journal of Applied Physics, Jg. 36 (1997-03-01), S. 1389-1389
    Online unknown
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    Silicon and germanium nanowire electronics: physics of conventional and unconventional transistors
    Weber, Walter M. ; Mikolajick, Thomas
    In: Reports on Progress in Physics, Jg. 80 (2017-04-10), S. 066502-66502
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    Wide-Range Threshold Voltage Controllable Silicon on Thin Buried Oxide Integrated with Bulk Complementary Metal Oxide Semiconductor Featuring Fully Silicided NiSi Gate Electrode
    Morita, Yusuke ; Tsuchiya, Ryuta ; et al.
    In: Japanese Journal of Applied Physics, Jg. 47 (2008-04-25), S. 2585-2588
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    Abnormal Disturbance Mechanism of Sub-100 nm NAND Flash Memory
    Hea Jong Yang ; Hee Gee Lee ; et al.
    In: Japanese Journal of Applied Physics, Jg. 45 (2006-08-04), S. 6210-6215
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    Design and analysis of nanowire p-type MOSFET coaxially having silicon core and germanium peripheral channel
    Cho, Seongjae ; Yu, Eunseon
    In: Japanese Journal of Applied Physics, Jg. 55 (2016-10-07), S. 114001-114001
    Online unknown
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    Stress analysis of ultra-thin silicon chip-on-foil electronic assembly under bending
    Angelopoulos, Evangelos A. ; Richter, Harald ; et al.
    In: Semiconductor Science and Technology, Jg. 29 (2014-08-01), S. 095007-95007
    Online unknown
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    Processing and characterization of a PBT device using self-aligned CoSi2
    Hatzikonstantinidou, Sofia ; Kaplan, W ; et al.
    In: Semiconductor Science and Technology, Jg. 9 (1994-12-01), S. 2272-2277
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    Integration of Complementary Metal–Oxide–Semiconductor 1-Bit Analog Selectors and Single-Electron Transistors Operating at Room Temperature
    Saraya, Takuya ; Suzuki, Ryota ; et al.
    In: Japanese Journal of Applied Physics, Jg. 52 (2013-03-21), S. 04CJ05
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    Multicore Large-Scale Integration Lifetime Extension by Negative Bias Temperature Instability Recovery-Based Self-Healing
    Kobayashi, Kazutoshi ; Makino, Hiroaki ; et al.
    In: Japanese Journal of Applied Physics, Jg. 51 (2012-04-01), S. 04DE02
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    RF Performance of AlGaN/GaN High-Electron-Mobility Transistors Grown on Silicon (110)
    Bolognesi, Colombo R. ; Cordier, Yvon ; et al.
    In: Applied Physics Express, Jg. 4 (2011-06-02), S. 064105-64105
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    Investigation of A 450 V Rating Silicon-On-Insulator Lateral-Double-Diffused-Metal–Oxide– Semiconductor Fabrication by 12/25/5/40 V Bipolar-Complementary Metal–Oxide–Semiconductor Double-Diffused Metal–Oxide–Semiconductor Process on Bulk Silicon Substrate
    Fang Long Chang ; Liaw, Chorng-Wei ; et al.
    In: Japanese Journal of Applied Physics, Jg. 43 (2004-07-01), S. 4119-4119
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    Fabrication and characteristics of magnetic field sensors based on nano-polysilicon thin-film transistors
    Zhiqiang, Wang ; Xiaofeng, Zhao ; et al.
    In: Journal of Semiconductors, Jg. 34 (2013-03-01), S. 036001-36001
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    Improved Retention Characteristic in Polycrystalline Silicon–Oxide–Hafnium Oxide–Oxide–Silicon-Type Nonvolatile Memory with Robust Tunnel Oxynitride
    Chih Ren Hsieh ; Yuan Kai Zheng ; et al.
    In: Japanese Journal of Applied Physics, Jg. 50 (2011-03-01), S. 036503-36503
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    Silicon-Based Dual-Gate Single-Electron Transistors for Logic Applications
    Yang, Hong-Seon ; Sang Hyuk Park ; et al.
    In: Japanese Journal of Applied Physics, Jg. 48 (2009-07-21), S. 071203-71203
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    Evaluation of Threshold-Voltage Variation in Silicon on Thin Buried Oxide Complementary Metal–Oxide–Semiconductor and Its Impact on Decreasing Standby Leakage Current
    Iwamatsu, Toshiaki ; Yoshimoto, Hiroyuki ; et al.
    In: Japanese Journal of Applied Physics, Jg. 48 (2009-04-20), S. 04C043
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    Stacking of Single-Grain Thin-Film Transistors
    Mohammad Reza Tajari Mofrad ; Derakhshandeh, Jaber ; et al.
    In: Japanese Journal of Applied Physics, Jg. 48 (2009-03-23), S. 03B015
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    The Bipolar Field-Effect Transistor: VII. The Unipolar Current Mode for Analog-RF Operation (Two-MOS-Gates on Pure-Base)
    Chih-Tang, Sah ; Binbin, Jie
    In: Journal of Semiconductors, Jg. 30 (2009-03-01), S. 031001-31001
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    Silicon Complementary Metal–Oxide–Semiconductor Field-Effect Transistors with Dual Work Function Gate
    Na, Kee-Yeol ; Kim, Yeong-Seuk
    In: Japanese Journal of Applied Physics, Jg. 45 (2006-12-01), S. 9033-9033
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