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    Comparison of nano-scale complementary metal-oxide semiconductor and 3T-4T double gate fin-shaped field-effect transistors for robust and energy-efficient subthreshold logic
    RAMESH, V ; DASGUPTA, S ; et al.
    In: IET circuits, devices & systems (Print), Jg. 4 (2010), Heft 6, S. 548-560
    Online academicJournal
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    Design of energy-efficient circuits and systems using tunnel field effect transistors
    MUKUNDRAJAN, Ravindhiran ; COTTER, Matthew ; et al.
    In: Design Methodologies for Nanoelectronic Digital and Analogue Circuits, Jg. 7 (2013), Heft 5, S. 294-303
    Online academicJournal
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    Full Text Finder (Volltext)
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    Subthreshold DC-gain enhancement by exploiting small size effects of MOSFETs
    MINHAO, YANG ; LIU, Shih-Chii ; et al.
    In: Electronics letters, Jg. 50 (2014), Heft 11, S. 835-837
    Online academicJournal
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  4. Detailansicht für Treffer 4 öffnen
    Using diamond layout style to boost MOSFET frequency response of analogue IC
    GIMENEZ, S. P ; LEONI, R. D ; et al.
    In: Electronics letters, Jg. 50 (2014), Heft 5, S. 398-400
    Online academicJournal
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  5. Detailansicht für Treffer 5 öffnen
    Analogue circuit design methodology using self-cascode structures
    BAEK, K.-J ; GIM, J.-M ; et al.
    In: Electronics letters, Jg. 49 (2013), Heft 9, S. 591-592
    Online academicJournal
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    Low-power high-speed full adder for portable electronic applications
    TUNG, C.-K ; SHIEH, S.-H ; et al.
    In: Electronics letters, Jg. 49 (2013), Heft 17, S. 1063-1064
    Online academicJournal
    Zugriff:
    Full Text Finder (Volltext)
    Wie komme ich dran?
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sm 576 - 768
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