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    Modeling of strained CMOS on disposable SiGe dots : Shape impacts on electrical/thermal characteristics
    FRDGONBSE, Sébastien ; YAN, ZHUANG ; et al.
    In: Solid-state electronics, Jg. 52 (2008), Heft 6, S. 919-925
    academicJournal
    Wie komme ich dran?
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    Effects of Substrate Orientation and Channel Stress on Short-Channel Thin SOI MOSFETs
    MAJUMDAR, Amian ; OUYANG, Christine ; et al.
    In: I.E.E.E. transactions on electron devices, Jg. 57 (2010), Heft 9, S. 2067-2072
    Online academicJournal
    Zugriff:
    Volltext
    Wie komme ich dran?
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    Highly manufacturable double-gate FinFET with gate-source/drain underlap
    YANG, Ji-Woon ; ZEITZOFF, Peter M ; et al.
    In: I.E.E.E. transactions on electron devices, Jg. 54 (2007), Heft 6, S. 1464-1470
    Online academicJournal
    Zugriff:
    Volltext
    Wie komme ich dran?
  4. Detailansicht für Treffer 4 öffnen
    Epitaxial Germanium on SOI Substrate and Its Application of Fabricating High ION/IOFF Ratio Ge FinFETs
    CHUNG, Cheng-Ting ; CHEN, Che-Wei ; et al.
    In: I.E.E.E. transactions on electron devices, Jg. 60 (2013), Heft 6, S. 1878-1883
    Online academicJournal
    Zugriff:
    Volltext
    Wie komme ich dran?
  5. Detailansicht für Treffer 5 öffnen
    Scaling of high-κ/metal-gate TriGate SOI nanowire transistors down to 10 nm width
    COQUAND, R ; BARRAUD, S ; et al.
    In: Selected extended papers from ULIS 2012 conference, Jg. 88 (2013), S. 32-36
    academicJournal
    Wie komme ich dran?
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    Asymmetric Schottky Tunneling Source SOI MOSFET Design for Mixed-Mode Applications
    JHAVERI, Ritesh ; NAGAVARAPU, Venkatagirish ; et al.
    In: I.E.E.E. transactions on electron devices, Jg. 56 (2009), Heft 1, S. 93-99
    Online academicJournal
    Zugriff:
    Volltext
    Wie komme ich dran?
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