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    Displacement Damage Effects in Backside Illuminated CMOS Image Sensors.
    Liu, Bingkai ; Li, Yudong ; et al.
    In: IEEE Transactions on Electron Devices, Jg. 69 (2022-06-01), Heft 6, S. 2907-2914
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    Mitigation of Parasitic Light Sensitivity in Global Shutter CMOS Image Sensors Through Use of Correction Frame.
    Marcelot, O. ; Pace, F. ; et al.
    In: IEEE Transactions on Electron Devices, Jg. 68 (2021-09-01), Heft 9, S. 4491-4496
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    Staggered Pixel Layout to Reduce Area and Increase Full Well Capacity in CMOS Image Sensors.
    Brunetti, Alessandro Michel ; Musolino, Mattia ; et al.
    In: IEEE Transactions on Electron Devices, Jg. 68 (2021-02-01), Heft 2, S. 572-577
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    4H-SiC CMOS Transimpedance Amplifier of Gamma-Irradiation Resistance Over 1 MGy.
    Masunaga, Masahiro ; Sato, Shintaroh ; et al.
    In: IEEE Transactions on Electron Devices, Jg. 67 (2020), Heft 1, S. 224-229
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    Monolithically Cointegrated Tensile Strained Germanium and In x Ga 1-x As FinFETs for Tunable CMOS Logic.
    Joshi, Rutwik ; Karthikeyan, Sengunthar ; et al.
    In: IEEE Transactions on Electron Devices, Jg. 69 (2022-08-01), Heft 8, S. 4175-4182
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    Fabrication and Analysis of Vertical Thin Poly-Si Channel Transfer Gate Pixels for a 3-D CMOS Image Sensor.
    Park, Sung-Kun ; Song, Il-Ho ; et al.
    In: IEEE Transactions on Electron Devices, Jg. 65 (2018-07-01), Heft 7, S. 2917-2924
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    Novel Design of a Ternary-CMOS With Vertical-Channel Double-Gate Field-Effect Transistors.
    Kim, Jiho ; Kim, Sangwoo ; et al.
    In: IEEE Transactions on Electron Devices, Jg. 69 (2022-08-01), Heft 8, S. 4081-4087
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    Advancing Monolayer 2-D nMOS and pMOS Transistor Integration From Growth to Van Der Waals Interface Engineering for Ultimate CMOS Scaling.
    Dorow, Chelsey ; O'Brien, Kevin ; et al.
    In: IEEE Transactions on Electron Devices, Jg. 68 (2021-12-01), Heft 12, S. 6592-6598
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