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    Benefits of XPS nanocharacterization for process development and industrial control of thin SiGe channel layers in advanced CMOS technologies.
    Fauquier, L. ; Pelissier, B. ; et al.
    In: Materials Science in Semiconductor Processing, Jg. 70 (2017-11-01), S. 105-110
    academicJournal
    Wie komme ich dran?
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    Temperature scaling for 35nm gate length high-performance CMOS
    Feudel, Th. ; Horstmann, M. ; et al.
    In: Materials Science in Semiconductor Processing, Jg. 7 (2004-08-01), Heft 4-6, S. 369-374
    academicJournal
    Wie komme ich dran?
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    The Ge condensation technique: A solution for planar SOI/GeOI co-integration for advanced CMOS technologies?
    Vincent, B. ; Damlencourt, J.F. ; et al.
    In: Materials Science in Semiconductor Processing, Jg. 11 (2008-10-01), Heft 5, S. 205-213
    academicJournal
    Wie komme ich dran?
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    Performance improvement of CMOS device utilizing poly-Si/HfSiON gate stack and its reliability concern for 65nm technology and beyond
    Kimizuka, N. ; Yasuda, Y. ; et al.
    In: Materials Science in Semiconductor Processing, Jg. 9 (2006-12-01), Heft 6, S. 860-869
    academicJournal
    Wie komme ich dran?
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    In0.3Ga0.7As heterojunction bipolar transistor grown on GeSi substrate for high-frequency application.
    Loke, Wan Khai ; Wang, Yue ; et al.
    In: Materials Science in Semiconductor Processing, Jg. 146 (2022-08-01), S. N.PAG
    academicJournal
    Wie komme ich dran?
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    Novel approach for implementing ternary value logic devices showing negative differential transconductance characteristics by Fowler–Nordheim tunneling.
    Kim, Jieun ; Lim, Jung Wook
    In: Materials Science in Semiconductor Processing, Jg. 164 (2023-09-01), S. N.PAG
    academicJournal
    Wie komme ich dran?
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    A review of recent advances in transparent p-type Cu2O-based thin film transistors.
    Al-Jawhari, H.A.
    In: Materials Science in Semiconductor Processing, Jg. 40 (2015-12-01), S. 241-252
    academicJournal
    Wie komme ich dran?
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    Metallic Schottky barrier source/drain nanowire transistors using low-temperature microwave annealed nickel, ytterbium, and titanium silicidation.
    Shih, Chun-Hsing ; Huang, Ming-Kun ; et al.
    In: Materials Science in Semiconductor Processing, Jg. 70 (2017-11-01), S. 272-278
    academicJournal
    Wie komme ich dran?
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    Simulation of thermo-mechanical effect in bulk-silicon FinFETs.
    Burenkov, Alex ; Lorenz, Juergen
    In: Materials Science in Semiconductor Processing, Jg. 42 (2016-02-02), S. 242-246
    academicJournal
    Wie komme ich dran?
  10. Detailansicht für Treffer 10 öffnen
    Polysilicon thin-film transistors on polymer substrates
    Fortunato, Guglielmo ; Pecora, Alessandro ; et al.
    In: Materials Science in Semiconductor Processing, Jg. 15 (2012-12-01), Heft 6, S. 627-641
    academicJournal
    Wie komme ich dran?
  11. Detailansicht für Treffer 11 öffnen
    Very low leakage InGaAs/InAlAs pHEMTs for broadband (300MHz to 2GHz) low-noise applications
    Bouloukou, A. ; Boudjelida, B. ; et al.
    In: Materials Science in Semiconductor Processing, Jg. 11 (2008-10-01), Heft 5, S. 390-393
    academicJournal
    Wie komme ich dran?
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    A DC–10GHz amplifier with digital offset correction
    Gustat, Hans
    In: Materials Science in Semiconductor Processing, Jg. 8 (2005-02-01), Heft 1-3, S. 439-443
    academicJournal
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