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    Study of total ionizing dose radiation effects on enclosed gate transistors in a commercial CMOS technology.
    Dong, Li ; Zhi, Wang ; et al.
    In: Chinese Physics, Jg. 16 (2007-12-01), Heft 12, S. 3760-3765
    Online academicJournal
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    CMOS compatible SOI nanowire FET with charged dielectric for temperature sensing applications.
    Shimanovich, Klimentiy ; Mutsafi, Zoe ; et al.
    In: Journal of Physics D: Applied Physics, Jg. 53 (2020-02-06), Heft 6, S. 1-1
    academicJournal
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    Comparison of radiation degradation induced by x-ray and 3-MeV protons in 65-nm CMOS transistors.
    Ding, Lili ; Gerardin, Simone ; et al.
    In: Chinese Physics B, Jg. 25 (2016-09-01), Heft 9, S. 1-1
    academicJournal
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    Heterogeneous integration of GaAs pHEMT and Si CMOS on the same chip.
    Wu, Li-Shu ; Zhao, Yan ; et al.
    In: Chinese Physics B, Jg. 25 (2016-06-01), Heft 6, S. 1-1
    academicJournal
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    Improved CMOS Performance via Enhanced Carrier Mobility.
    Mooney, P. M.
    In: Interface, Jg. 14 (2005-03-01), Heft 1, S. 36-37
    Online academicJournal
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    Ultra-energy-efficient analog-to-digital converters based on single-electron transistor/CMOS hybrid technology for biomedical applications.
    Lee, Jieun ; Choi, Changmin ; et al.
    In: Semiconductor Science & Technology, Jg. 24 (2009-11-02), Heft 11, S. 115007-115007
    Online academicJournal
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    Optimization of lateral double-diffused MOS transistors in 0.18 µm bipolar-CMOS-DMOS technology for wide-voltage applications.
    Y O Choi ; S Y Kim
    In: Semiconductor Science & Technology, Jg. 25 (2010-11-01), Heft 11, S. 115002-115002
    Online academicJournal
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    High-performance inverters based on ambipolar organic-inorganic heterojunction thin-film transistors.
    Sun, Sheng ; Li, Yuzhi ; et al.
    In: Chinese Physics B, Jg. 29 (2020-05-01), Heft 5, S. 1-5
    academicJournal
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    Off-state leakage in MOSFET considering source/drain extension regions.
    Hur, Jae ; Jeong, Woo Jin ; et al.
    In: Semiconductor Science & Technology, Jg. 36 (2021-08-01), Heft 8, S. 1-11
    Online academicJournal
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    Graphene bandgap induced by ferroelectric HfO<subscript>2</subscript> doped with Zr (HfZrO).
    Dragoman, Mircea ; Dinescu, Adrian ; et al.
    In: Nanotechnology, Jg. 31 (2020-07-03), Heft 27, S. 1-6
    academicJournal
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    A nanomechanical computer—exploring new avenues of computing.
    Blick, Robert H. ; Qin, Hua ; et al.
    In: New Journal of Physics, Jg. 9 (2007-07-01), Heft 7, S. 1-9
    Online academicJournal
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    Solution-processed high-k dielectrics for improving the performance of flexible intrinsic Ge nanowire transistors: dielectrics screening, interface engineering and electrical properties.
    Lou, Xun ; Zhang, Wenfeng ; et al.
    In: Journal of Physics D: Applied Physics, Jg. 52 (2019-12-11), Heft 50, S. 1-1
    academicJournal
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    Pixel-based biosensor for enhanced control: silicon nanowires monolithically integrated with field-effect transistors in fully depleted silicon on insulator technology.
    Jayakumar, G ; Östling, M
    In: Nanotechnology, Jg. 30 (2019-05-31), Heft 22, S. 1-1
    academicJournal
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    Total ionizing dose effects in multiple-gate field-effect transistor.
    Gaillardin, Marc ; Marcandella, Claude ; et al.
    In: Semiconductor Science & Technology, Jg. 32 (2017-08-01), Heft 8, S. 1-1
    Online academicJournal
    Zugriff:
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  15. Detailansicht für Treffer 15 öffnen
    Silicon and germanium nanowire electronics: physics of conventional and unconventional transistors.
    Walter M Weber ; Mikolajick, Thomas
    In: Reports on Progress in Physics, Jg. 80 (2017-06-01), Heft 6, S. 1-1
    academicJournal
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  16. Detailansicht für Treffer 16 öffnen
    ZnO on nickel RF micromechanical resonators for monolithic wireless communication applications.
    Wei, Mian ; Avila, Adrian ; et al.
    In: Journal of Micromechanics & Microengineering, Jg. 27 (2017-05-01), Heft 5, S. 1-1
    academicJournal
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  17. Detailansicht für Treffer 17 öffnen
    Interface modification of HfO2-based ReRAM via low temperature anneal.
    Beckmann, Karsten ; Suguitan, Nadia ; et al.
    In: Semiconductor Science & Technology, Jg. 34 (2019-10-01), Heft 10, S. 1-1
    Online academicJournal
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  18. Detailansicht für Treffer 18 öffnen
    Fast turnaround fabrication of silicon point-contact quantum-dot transistors using combined thermal scanning probe lithography and laser writing.
    Rawlings, Colin ; Yu Kyoung Ryu ; et al.
    In: Nanotechnology, Jg. 29 (2018-12-14), Heft 50, S. 1-1
    academicJournal
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  19. Detailansicht für Treffer 19 öffnen
    Modelling and extraction procedure for gate insulator and fringing gate capacitance components of an MIS structure.
    J C Tinoco ; A G Martinez-Lopez ; et al.
    In: Semiconductor Science & Technology, Jg. 31 (2016-07-01), Heft 7, S. 1-1
    Online academicJournal
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  20. Detailansicht für Treffer 20 öffnen
    High performance tunnel field-effect transistor by gate and source engineering.
    Huang, Ru ; Huang, Qianqian ; et al.
    In: Nanotechnology, Jg. 25 (2014-12-19), Heft 50, S. 1-1
    academicJournal
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