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    A Multi-Output Multi-String High-Efficiency WLED Driver Using 40 nm CMOS Technology.
    Ahmad, Hani H. ; Shahroury, Fadi R. ; et al.
    In: Journal of Low Power Electronics & Applications, Jg. 11 (2021-12-01), Heft 4, S. 47-47
    Online academicJournal
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    A 100 MHz 0.41 fJ/(Bit∙Search) 28 nm CMOS-Bulk Content Addressable Memory for HEP Experiments.
    Fary, Federico ; Baschirotto, Andrea
    In: Journal of Low Power Electronics & Applications, Jg. 10 (2020-12-01), Heft 4, S. 35-35
    Online academicJournal
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    CMOS Leakage and Power Reduction in Transistors and Circuits: Process and Layout Considerations.
    Shauly, Eitan N.
    In: Journal of Low Power Electronics & Applications, Jg. 2 (2012-03-01), Heft 1, S. 1-29
    Online academicJournal
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    LC Tank Oscillator Based on New Negative Resistor in FDSOI Technology.
    Mao, Yuqing ; Charlon, Yoann ; et al.
    In: Journal of Low Power Electronics & Applications, Jg. 14 (2024-03-01), Heft 1, S. 8-24
    Online academicJournal
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    A 0.15-to-0.5 V Body-Driven Dynamic Comparator with Rail-to-Rail ICMR.
    Della Sala, Riccardo ; Spinogatti, Valerio ; et al.
    In: Journal of Low Power Electronics & Applications, Jg. 13 (2023-06-01), Heft 2, S. 35-54
    Online academicJournal
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    0.6-V 1.65-μW Second-Order G m -C Bandpass Filter for Multi-Frequency Bioimpedance Analysis Based on a Bootstrapped Bulk-Driven Voltage Buffer.
    Carrillo, Juan M. ; de la Cruz-Blas, Carlos A.
    In: Journal of Low Power Electronics & Applications, Jg. 12 (2022-12-01), Heft 4, S. 62-78
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    A Low-Power Voltage Reference Cell with a 1.5 V Output.
    Navidi, Mir Mohammad ; Graham, David W.
    In: Journal of Low Power Electronics & Applications, Jg. 8 (2018-06-01), Heft 2, S. 19-19
    Online academicJournal
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    Continuous-Time Programming of Floating-Gate Transistors for Nonvolatile Analog Memory Arrays †.
    Rumberg, Brandon ; Clites, Spencer ; et al.
    In: Journal of Low Power Electronics & Applications, Jg. 11 (2021-03-01), Heft 1, S. 4-4
    Online academicJournal
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    Evidence of Limitations of the Transconductance-to-Drain-Current Method (gm/Id) for Transistor Sizing in 28 nm UTBB FD-SOI Transistors.
    Barboni, Leonardo
    In: Journal of Low Power Electronics & Applications, Jg. 10 (2020-06-01), Heft 2, S. 17-17
    Online academicJournal
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