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    Poly-Si gate CMOS with hafnium silicate gate dielectric
    HOBBS, Christopher ; GRANT, John ; et al.
    In: Advanced short-time thermal processing for Si-based CMOS devices (Paris, 27 April - 2 May 2003), 2003, S. 361-366
    Konferenz
    Wie komme ich dran?
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    Laser thermal processing for ultra-shallow junction formation: Experiment and modelling
    VENTURINI, J ; HERNANDEZ, M ; et al.
    In: Advanced short-time thermal processing for Si-based CMOS devices (Paris, 27 April - 2 May 2003), 2003, S. 131-136
    Konferenz
    Wie komme ich dran?
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    Performance of nitrided Hf-silicate high-K gate dielectrics
    JEON, Joong ; QI, XIANG ; et al.
    In: Advanced short-time thermal processing for Si-based CMOS devices (Paris, 27 April - 2 May 2003), 2003, S. 451-457
    Konferenz
    Wie komme ich dran?
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    MOSFET channel engineering using strained silicon, silicon-germanium, and germanium channels
    FITZGERALD, E. A ; LEE, M. L ; et al.
    In: Advanced short-time thermal processing for Si-based CMOS devices (Paris, 27 April - 2 May 2003), 2003, S. 315-324
    Konferenz
    Wie komme ich dran?
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    Development of 12 Å plasma nitrided gate dielectrics through characterization of process, physical and electrical parameters
    MINER, Gary ; KRAUS, Philip ; et al.
    In: Advanced short-time thermal processing for Si-based CMOS devices (Paris, 27 April - 2 May 2003), 2003, S. 251-264
    Konferenz
    Wie komme ich dran?
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    Charges in HFO2 ALD gate dielectrics
    BERSUKER, G ; ZEITZOFF, P. M ; et al.
    In: Advanced short-time thermal processing for Si-based CMOS devices (Paris, 27 April - 2 May 2003), 2003, S. 417-422
    Konferenz
    Wie komme ich dran?
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    TaN metal gate MOSFETs with aggressively scaled HfO2 gate dielectrics
    LANDER, R. J. P ; SCHRAM, T ; et al.
    In: Advanced short-time thermal processing for Si-based CMOS devices (Paris, 27 April - 2 May 2003), 2003, S. 367-373
    Konferenz
    Wie komme ich dran?
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    Roadblocks and detours for poly-silicon/metal-oxide MOS integration
    GILMER, D. C ; HOBBS, C ; et al.
    In: Advanced short-time thermal processing for Si-based CMOS devices (Paris, 27 April - 2 May 2003), 2003, S. 345-359
    Konferenz
    Wie komme ich dran?
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    Pathways for advanced transistors using hafnium-based oxides by atomic layer deposition
    LONDERGAN, Ana R ; RAMANATHAN, Sasangan ; et al.
    In: Advanced short-time thermal processing for Si-based CMOS devices (Paris, 27 April - 2 May 2003), 2003, S. 243-249
    Konferenz
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    High-k dielectric processing for germanium channel MOSFETs
    MCINTYRE, Paul C ; CHI, David ; et al.
    In: Advanced short-time thermal processing for Si-based CMOS devices (Paris, 27 April - 2 May 2003), 2003, S. 295-304
    Konferenz
    Wie komme ich dran?
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    First principles modelling of the deposition process for high-K dielectric films
    ELLIOTT, Simon D
    In: Advanced short-time thermal processing for Si-based CMOS devices (Paris, 27 April - 2 May 2003), 2003, S. 231-242
    Konferenz
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    Fabrication of SiGe-on-insulator substrates for high-performance strained SOI-MOSFETs by germanium condensation technique
    TEZUKA, Tsutomu ; SUGIYAMA, Naoharu ; et al.
    In: Advanced short-time thermal processing for Si-based CMOS devices (Paris, 27 April - 2 May 2003), 2003, S. 305-314
    Konferenz
    Wie komme ich dran?
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    Electrical characterization of thick localized SOI substrates manufactured by rapid thermal processing for high voltage integrated circuits
    GONNARD, O ; ROUX, S ; et al.
    In: Advanced short-time thermal processing for Si-based CMOS devices (Paris, 27 April - 2 May 2003), 2003, S. 331-336
    Konferenz
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    Cluster ion beam process technology
    YAMADA, Isao ; TOYODA, Noriaki ; et al.
    In: Advanced short-time thermal processing for Si-based CMOS devices (Paris, 27 April - 2 May 2003), 2003, S. 51-60
    Konferenz
    Wie komme ich dran?
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