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    Work function tuning of metal nitride electrodes for advanced CMOS devices
    REN, C ; FAIZHAL, B. B ; et al.
    In: Proceedings of the International Conference on Materials for Advanced Technologies (ICMAT 2005) Symposium H: Silicon microelectronics: processing to packaging, Singapore, July 3-8, Jg. 504 (2006), Heft 1-2, S. 174-177
    Konferenz
    Wie komme ich dran?
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    Doubling speed using strained Si/SiGe CMOS technology
    OLSEN, Sarah H ; TEMPLE, Matthew ; et al.
    In: Proceedings of the Fourth International Conference on Silicon Epitaxy and Heterostructures (ICSI-4), Awaji Island, Hyogo, Japan, Jg. 508 (2006), Heft 1-2, S. 338-341
    Konferenz
    Wie komme ich dran?
  3. Detailansicht für Treffer 3 öffnen
    The impact of etch-stop layer for borderless contacts on deep submicron CMOS device performance: a comparative study
    LIAO, H ; LEE, P. S ; et al.
    In: Proceedings of the International Conference on Materials for Advanced Technologies (ICMAT 2003), Symposium L: Advances in Materials for Si Microelectronics-From Processing to Packaging, Jg. 462-63 (2004), S. 29-33
    Konferenz
    Wie komme ich dran?
  4. Detailansicht für Treffer 4 öffnen
    Metal-germanide Schottky Source/Drain transistor on germanium substrate for future CMOS technology
    RUI, LI ; YAO, H. B ; et al.
    In: Proceedings of the International Conference on Materials for Advanced Technologies (ICMAT 2005) Symposium H: Silicon microelectronics: processing to packaging, Singapore, July 3-8, Jg. 504 (2006), Heft 1-2, S. 28-31
    Konferenz
    Wie komme ich dran?
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    Metal-germanide Schottky Source/Drain transistor on Germanium substrate for future CMOS technology
    Li, Rui ; Yao, H.B. ; et al.
    In: Thin Solid Films, Jg. 504 (2006-05-10), Heft 1-2, S. 28-31
    academicJournal
    Wie komme ich dran?
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    Effect of Ti-rich TiN as a Co-salicide capping layer for 0.15 um embedded flash memory devices and beyond
    NAM SUNG, KIM ; MUKHOPADHYAY, M ; et al.
    In: Proceedings of the International Conference on Materials for Advanced Technologies (ICMAT 2005) Symposium H: Silicon microelectronics: processing to packaging, Singapore, July 3-8, Jg. 504 (2006), Heft 1-2, S. 20-24
    Konferenz
    Wie komme ich dran?
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    Formation of low-resistivity poly-Si and SiNx films by Cat-CVD for ULSI application
    MORIMOTO, Rui ; YOKOMORI, Chisato ; et al.
    In: Proceedings of the Second International Conference on Cat-CVD (Hot Wire CVD) Process, Denver, Colorado, USA, September 10-13, 2002, Jg. 430 (2003), Heft 1-2, S. 230-235
    Konferenz
    Wie komme ich dran?
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    Complementary ring oscillator fabricated via direct laser-exposure and solution-processing of a single-layer organic film
    LARSEN, Christian ; JIA, WANG ; et al.
    In: Thin solid films, Jg. 520 (2012), Heft 7, S. 3009-3012
    academicJournal
    Wie komme ich dran?
  9. Detailansicht für Treffer 9 öffnen
    Comparison of Ohmic contact resistances of n- and p-type Ge source/drain and their impact on transport characteristics of Ge metal oxide semiconductor field effect transistors
    OH, Jungwoo ; HUANG, Jeff ; et al.
    In: Thin solid films, Jg. 520 (2011), Heft 1, S. 442-444
    academicJournal
    Wie komme ich dran?
  10. Detailansicht für Treffer 10 öffnen
    Gate oxide metrology and silicon piezooptics
    Zollner, Stefan ; Liu, Ran ; et al.
    In: Thin Solid Films, Jg. 455/456 (2004-05-01), S. 261-265
    academicJournal
    Wie komme ich dran?
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    Dieser Titel kann aus lizenzrechtlichen Gründen nur im Campusnetz oder nach Anmeldung angezeigt werden!
    academicJournal
  12. Detailansicht für Treffer 12 öffnen
    Metal gate technology for nanoscale transistors: material selection and process integration issues
    YEO, Yee-Chia
    In: Proceedings of the International Conference on Materials for Advanced Technologies (ICMAT 2003), Symposium L: Advances in Materials for Si Microelectronics-From Processing to Packaging, Jg. 462-63 (2004), S. 34-41
    Konferenz
    Wie komme ich dran?
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    Challenges to quantitative energy-dispersive X-ray spectrometry and its application to graded embedded silicon―germanium for high-performance complementary metal oxide semiconductor devices
    HÜBNER, R ; ENGELMANN, H.-J ; et al.
    In: Thin solid films, Jg. 519 (2010), Heft 1, S. 203-209
    academicJournal
    Wie komme ich dran?
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    Threshold voltage shift of submicron p-channel MOSFET due to Si surface damage from plasma etching process
    Kim, Gwan-Ha ; Kang, Young-Rog ; et al.
    In: Thin Solid Films, Jg. 515 (2007-04-23), Heft 12, S. 4892-4896
    academicJournal
    Wie komme ich dran?
  15. Detailansicht für Treffer 15 öffnen
    Pulsed laser deposition and characterization of Hf-based high-κ dielectric thin films
    SAHINER, Mehmet Alper ; WOICIK, Joseph C ; et al.
    In: Proceedings of Symposium J on Synthesis Processing and Characterization of Nanoscale Functional Oxide Films - EMRS 2006 Conference, Nice, May 29-June 2, Jg. 515 (2007), Heft 16, S. 6548-6551
    Konferenz
    Wie komme ich dran?
  16. Detailansicht für Treffer 16 öffnen
    Sub-100 nm MOSFET fabrication with low temperature resist trimming process
    MATHEW, Shajan ; NAGARAJAN, Ranganathan ; et al.
    In: Proceedings of the International Conference on Materials for Advanced Technologies (ICMAT 2003), Symposium L: Advances in Materials for Si Microelectronics-From Processing to Packaging, Jg. 462-63 (2004), S. 63-66
    Konferenz
    Wie komme ich dran?
  17. Detailansicht für Treffer 17 öffnen
    Excimer laser thermal processing of ultra-shallow junction: laser pulse duration
    VENTURINI, J ; HERNANDEZ, M ; et al.
    In: Proceedings of Symposium H on Photonic Processing of Surfaces, Thin Films & Devices, Jg. 453-54 (2004), S. 145-149
    Konferenz
    Wie komme ich dran?
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    A FinFET and Tri-gate MOSFET's channel structure patterning and its influence on the device performance
    JAGAR, S ; SINGH, Navab ; et al.
    In: Proceedings of the International Conference on Materials for Advanced Technologies (ICMAT 2003), Symposium L: Advances in Materials for Si Microelectronics-From Processing to Packaging, Jg. 462-63 (2004), S. 1-5
    Konferenz
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    Influence of precursors gases on LPCVD TFT's characteristics
    ROGET, R ; GAUTIER, G ; et al.
    In: Proceedings of Symposium K on Thin Film Materials for Large Area Electronics of the E-MRS 2002 Spring Conference, Strasbourg, France, June 18-21, Jg. 427 (2003), Heft 1-2, S. 108-112
    Konferenz
    Wie komme ich dran?
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    High hole and electron field effect mobilities in nanocrystalline silicon deposited at 150 °C
    CHENG, I-Chun ; WAGNER, Sigurd
    In: Proceedings of Symposium K on Thin Film Materials for Large Area Electronics of the E-MRS 2002 Spring Conference, Strasbourg, France, June 18-21, Jg. 427 (2003), Heft 1-2, S. 56-59
    Konferenz
    Wie komme ich dran?
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