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    Dependence of Temperature and Back-Gate Bias on Single-Event Upset Induced by Heavy Ion in 0.2-μm DSOI CMOS Technology.
    Wang, Yuchong ; Liu, Fanyu ; et al.
    In: IEEE Transactions on Nuclear Science, Jg. 68 (2021-08-01), Heft 8, S. 1660-1667
    Online academicJournal
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    Modeling of Elevated Temperatures Impact on Single Event Transient in Advanced CMOS Logics Beyond the 65-nm Technological Node.
    Artola, L. ; Hubert, G.
    In: IEEE Transactions on Nuclear Science, Jg. 61 (2014-08-01), Heft 4, S. 1611-1617
    Online academicJournal
    Zugriff:
    Volltext
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    Comparison of a 65 nm CMOS Ring- and LC-Oscillator Based PLL in Terms of TID and SEU Sensitivity.
    Prinzie, Jeffrey ; Christiansen, Jorgen ; et al.
    In: IEEE Transactions on Nuclear Science, Jg. 64 (2017), Heft 1, part 1, S. 245-252
    Online academicJournal
    Zugriff:
    Volltext
    Wie komme ich dran?
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    Experimental Investigation of the Joint Influence of Reduced Supply Voltage and Charge Sharing on Single-Event Transient Waveforms in 65-nm Triple-Well CMOS.
    Mitrovic, Mladen ; Hofbauer, Michael ; et al.
    In: IEEE Transactions on Nuclear Science, Jg. 65 (2018-08-01), Heft 8, S. 1908-1913
    Online academicJournal
    Zugriff:
    Volltext
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    SET Tolerance of 65 nm CMOS Majority Voters: A Comparative Study.
    Danilov, Igor A. ; Gorbunov, Maxim S. ; et al.
    In: IEEE Transactions on Nuclear Science, Jg. 61 (2014-08-01), Heft 4, S. 1597-1602
    Online academicJournal
    Zugriff:
    Volltext
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    The Effect of Layout Topology on Single-Event Transient Pulse Quenching in a 65 nm Bulk CMOS Process.
    Ahlbin, J. R. ; Gadlage, M. J. ; et al.
    In: IEEE Transactions on Nuclear Science, Jg. 57 (2010-12-01), Heft 6, S. 3380-3385
    Online academicJournal
    Zugriff:
    Volltext
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    Multiple Bit Upsets and Error Mitigation in Ultra-Deep Submicron SRAMS.
    Mavis, D. G. ; Eaton, P. H. ; et al.
    In: IEEE Transactions on Nuclear Science, Jg. 55 (2008-12-01), Heft 6, S. 3288-3294
    Online academicJournal
    Zugriff:
    Volltext
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    Impact of D-Flip-Flop Architectures and Designs on Single-Event Upset Induced by Heavy Ions.
    Artola, L. ; Hubert, G. ; et al.
    In: IEEE Transactions on Nuclear Science, Jg. 65 (2018-08-01), Heft 8, S. 1776-1782
    Online academicJournal
    Zugriff:
    Volltext
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    Fault-Tolerant SOI Microprocessor for Space Applications.
    Osipenko, Pavel N. ; Antonov, Andrey A. ; et al.
    In: IEEE Transactions on Nuclear Science, Jg. 60 (2013-07-10), Heft 4, S. 2762-2767
    Online academicJournal
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    Volltext
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    Fault-Tolerant SOI Microprocessor for Space Applications.
    Osipenko, Pavel N. ; Antonov, Andrey A. ; et al.
    In: IEEE Transactions on Nuclear Science, Jg. 60 (2013-07-01), Heft 4, S. 2762-2767
    Online academicJournal
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    Investigations on the Geometry Effects and Bias Configuration on the TID Response of nMOS SOI Tri-Gate Nanowire Field-Effect Transistors.
    Riffaud, J. ; Gaillardin, M. ; et al.
    In: IEEE Transactions on Nuclear Science, Jg. 65 (2018), Heft 1, S. 39-45
    Online academicJournal
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  12. Detailansicht für Treffer 12 öffnen
    Evidence of Pulse Quenching in AND and OR Gates by Experimental Probing of Full Single-Event Transient Waveforms.
    Mitrovic, Mladen ; Hofbauer, Michael ; et al.
    In: IEEE Transactions on Nuclear Science, Jg. 65 (2018), Heft 1, S. 382-390
    Online academicJournal
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    Single Event Transients and Pulse Quenching Effects in Bandgap Reference Topologies for Space Applications.
    Andreou, Charalambos M. ; Javanainen, Arto ; et al.
    In: IEEE Transactions on Nuclear Science, Jg. 63 (2016-12-01), Heft 6, S. 2950-2961
    Online academicJournal
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    Single Event Upset Sensitivity of D-Flip Flop: Comparison of PDSOI With Bulk Si at 130 nm Technology Node.
    Zhang, Leqing ; Xu, Jialing ; et al.
    In: IEEE Transactions on Nuclear Science, Jg. 64 (2017-01-15), Heft 1, part 2, S. 683-688
    Online academicJournal
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  15. Detailansicht für Treffer 15 öffnen
    Single-Event Upset Prediction in SRAMs Account for On-Transistor Sensitive Volume.
    Tianqi, Wang ; Xiao, Liyi ; et al.
    In: IEEE Transactions on Nuclear Science, Jg. 62 (2015-12-15), Heft 6b, S. 3207-3215
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    An SEU-Tolerant DICE Latch Design With Feedback Transistors.
    Wang, H. B. ; Li, Y. Q. ; et al.
    In: IEEE Transactions on Nuclear Science, Jg. 62 (2015-04-01), Heft 2, S. 548-554
    Online academicJournal
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  17. Detailansicht für Treffer 17 öffnen
    Single-Event Effect Performance of a Commercial Embedded ReRAM.
    Chen, Dakai ; Kim, Hak ; et al.
    In: IEEE Transactions on Nuclear Science, Jg. 61 (2014-12-01), Heft 6, S. 3088-3094
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    Characterization of Single-Event Transient Pulse Broadening Effect in 65 nm Bulk Inverter Chains Using Heavy Ion Microbeam.
    Chi, Yaqing ; Song, Ruiqiang ; et al.
    In: IEEE Transactions on Nuclear Science, Jg. 64 (2017), Heft 1, part 1, S. 119-124
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