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    A W-Band Power Amplifier With 19.6% PAE in 45-nm SOI CMOS
    Cai, Shutian ; Chen, Zhiming ; et al.
    In: 2024 IEEE 7th Advanced Information Technology, Electronic and Automation Control Conference (IAEAC), Jg. 7 (2024-03-15), S. 1896-1900
    Konferenz
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    A D-Band Power Amplifier With 60-GHz Large-Signal Bandwidth and 7.6% Peak PAE in 28-nm CMOS
    Yan, Z. ; Chen, J. ; et al.
    In: IEEE Microwave and Wireless Technology Letters, Jg. 34 (2024-05-01), Heft 5, S. 540-543
    Online academicJournal
    Zugriff:
    Volltext
    Wie komme ich dran?
  3. Detailansicht für Treffer 3 öffnen
    A 521pW, 0.016%/V Line Sensitivity Self-Biased CMOS Voltage Reference With DIBL Effect Compensation Using Adaptive VGS Control
    Yu, K. ; Yang, S. ; et al.
    In: IEEE Transactions on Circuits and Systems II: Express Briefs, Jg. 71 (2024-04-01), Heft 4, S. 1754-1758
    Online academicJournal
    Zugriff:
    Volltext
    Wie komme ich dran?
  4. Detailansicht für Treffer 4 öffnen
    Design and Implementation of Operational Amplifiers with CMOS 180 nm Technology Node using gm/ID Methodology
    Saravanan, P ; Deepakraj, R ; et al.
    In: 2023 IEEE 20th India Council International Conference (INDICON), 2023-12-14, S. 706-712
    Konferenz
    Wie komme ich dran?
  5. Detailansicht für Treffer 5 öffnen
    A Compact 140-GHz Power Amplifier With 15.4-dBm Psat and 14.25% Peaking PAE in 28-nm Bulk CMOS Process
    Zhang, L. ; Ma, K. ; et al.
    In: IEEE Transactions on Microwave Theory and Techniques, Jg. 72 (2024-05-01), Heft 5, S. 3016-3030
    Online academicJournal
    Zugriff:
    Volltext
    Wie komme ich dran?
  6. Detailansicht für Treffer 6 öffnen
    Characterization of a 28 nm CMOS Technology for Analog Applications in High Energy Physics
    Traversi, G. ; Gaioni, L. ; et al.
    In: IEEE Transactions on Nuclear Science, Jg. 71 (2024-04-01), Heft 4, S. 932-940
    Online academicJournal
    Zugriff:
    Volltext
    Wie komme ich dran?
  7. Detailansicht für Treffer 7 öffnen
    A 28GHz, Switched-Cascode, Class E Amplifier in 22nm CMOS FDSOI Technology
    Elsayed, N. ; Makhsuci, S. ; et al.
    In: IEEE Journal of Microwaves, Jg. 4 (2024-04-01), Heft 2, S. 246-252
    Online academicJournal
    Zugriff:
    Volltext
    Wie komme ich dran?
  8. Detailansicht für Treffer 8 öffnen
    A Memristor Emulation in 180-nm CMOS Process for Spiking Signal Generation and Chaos Application
    Kumar, P. ; Ranjan, R.K. ; et al.
    In: IEEE Transactions on Circuits and Systems I: Regular Papers, Jg. 71 (2024-04-01), Heft 4, S. 1757-1770
    Online academicJournal
    Zugriff:
    Volltext
    Wie komme ich dran?
  9. Detailansicht für Treffer 9 öffnen
    Co-Design of an Auxiliary Self-Bias Module and a CMOS Rectifier for RF Energy Harvesting
    Jiang, H. ; Wu, Z. ; et al.
    In: IEEE Transactions on Circuits and Systems II: Express Briefs, Jg. 71 (2024-03-01), Heft 3, S. 1481-1485
    Online academicJournal
    Zugriff:
    Volltext
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  10. Detailansicht für Treffer 10 öffnen
    CMOS LNA and VGA for 5G NR Using Gain-Linearity-Boosting and Body Floating Techniques
    Chang, Jin-Fa ; Lin, Yo-Sheng
    In: 2024 IEEE 24th Topical Meeting on Silicon Monolithic Integrated Circuits in RF Systems (SiRF), 2024-01-21, S. 56-59
    Konferenz
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  11. Detailansicht für Treffer 11 öffnen
    A compact 27 dBm triple-stack power amplifier for 13 GHz operation in CMOS-SOI
    Alluri, Sravya ; Leung, Vincent ; et al.
    In: 2024 IEEE Topical Conference on RF/Microwave Power Amplifiers for Radio and Wireless Applications (PAWR), 2024-01-21, S. 13-16
    Konferenz
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  12. Detailansicht für Treffer 12 öffnen
    DrGaN: an Integrated CMOS Driver-GaN Power Switch Technology on 300mm GaN-on-Si with E-mode GaN MOSHEMT and 3D Monolithic Si PMOS
    Then, Han Wui ; Radosavljevic, M. ; et al.
    In: 2023 International Electron Devices Meeting (IEDM), 2023-12-09, S. 1-4
    Konferenz
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  13. Detailansicht für Treffer 13 öffnen
    Scalable biosensors using standard CMOS process
    Noyan, Utku ; Lu, Sheung ; et al.
    In: 2023 International Electron Devices Meeting (IEDM), 2023-12-09, S. 1-4
    Konferenz
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  14. Detailansicht für Treffer 14 öffnen
    RTS Noise Reduction in CMOS Image Sensors Using Correlated Extrema Cancellation
    Bhattacharya, A. ; Tanya, T. ; et al.
    In: IEEE Transactions on Electron Devices, Jg. 71 (2024-05-01), Heft 5, S. 3050-3055
    Online academicJournal
    Zugriff:
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  15. Detailansicht für Treffer 15 öffnen
    A 0.1–20.1-GHz Wideband Noise-Canceling gm-Boosted CMOS LNA With Gain-Reuse
    Karami, M.A. ; Lee, M. ; et al.
    In: IEEE Transactions on Microwave Theory and Techniques, Jg. 72 (2024-05-01), Heft 5, S. 2990-3000
    Online academicJournal
    Zugriff:
    Volltext
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  16. Detailansicht für Treffer 16 öffnen
    A Low Ripple and Fast Transient Response Charge Pump in CMOS Image Sensors
    Gao, J. ; Zhao, J. ; et al.
    In: IEEE Sensors Journal, Jg. 24 (2024-03-15), Heft 6, S. 8142-8149
    Online academicJournal
    Zugriff:
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  17. Detailansicht für Treffer 17 öffnen
    Array of 296-GHz CMOS Concurrent Transceiver Pixels With Phase and Amplitude Extraction Circuits for Improving Reflection-Mode Imaging Resolution
    Byreddy, P.R. ; Zhu, Y. ; et al.
    In: IEEE Transactions on Terahertz Science and Technology, Jg. 14 (2024-03-01), Heft 2, S. 216-227
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  18. Detailansicht für Treffer 18 öffnen
    High-Endurance MoS2 FeFET with Operating Voltage Fess Than IV for eNVM in Scaled CMOS Technologies
    Lee, Tsung-En ; Chiang, Hung-Li ; et al.
    In: 2023 International Electron Devices Meeting (IEDM), 2023-12-09, S. 1-4
    Konferenz
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  19. Detailansicht für Treffer 19 öffnen
    Cryogenic-Aware Forward Body Biasing in Bulk CMOS
    Overwater, R.W.J. ; Babaie, M. ; et al.
    In: IEEE Electron Device Letters, Jg. 45 (2024-02-01), Heft 2, S. 152-155
    Online academicJournal
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  20. Detailansicht für Treffer 20 öffnen
    Energy Efficient Logic and Memory Design With Beyond-CMOS Magnetoelectric Spin–Orbit (MESO) Technology Toward Ultralow Supply Voltage
    Rothe, R. ; Li, H. ; et al.
    In: IEEE Journal on Exploratory Solid-State Computational Devices and Circuits, Jg. 9 (2023-12-01), Heft 2, S. 124-133
    Online academicJournal
    Zugriff:
    Volltext
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