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Publikation
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In: IEEE Transactions on Electron Devices, Jg. 69 (2022), Heft 1, S. 31-38Online academicJournalZugriff:
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In: IEEE Transactions on Electron Devices, Jg. 68 (2021-02-01), Heft 2, S. 885-891Online academicJournalZugriff:
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In: IEEE Transactions on Electron Devices, Jg. 57 (2010-10-01), Heft 10, S. 2504-2514Online academicJournalZugriff:
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In: I.E.E.E. transactions on electron devices, Jg. 60 (2013), Heft 4, S. 1485-1489Online academicJournalZugriff:
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In: I.E.E.E. transactions on electron devices, Jg. 60 (2013), Heft 6, S. 2038-2044Online academicJournalZugriff:
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In: I.E.E.E. transactions on electron devices, Jg. 57 (2010), Heft 10, S. 2515-2525Online academicJournalZugriff:
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In: IEEE electron device letters, Jg. 34 (2013), Heft 12, S. 1560-1562Online academicJournalZugriff:
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In: IEEE electron device letters, Jg. 34 (2013), Heft 8, S. 942-944Online academicJournalZugriff:
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In: IEEE electron device letters, Jg. 32 (2011), Heft 11, S. 1507-1509Online academicJournalZugriff:
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In: I.E.E.E. transactions on electron devices, Jg. 58 (2011), Heft 8, S. 2317-2325Online academicJournalZugriff:
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In: IEEE Transactions on Electron Devices, Jg. 65 (2018-11-01), Heft 11, S. 4780-4785Online academicJournalZugriff:
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In: SCI, 2011Online academicJournalZugriff:
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In: Microelectronics Journal, Jg. 84 (2019-02-01), S. 54-58academicJournalZugriff:
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In: Semiconductor Science & Technology, Jg. 36 (2021-05-01), Heft 5, S. 1-10Online academicJournalZugriff:
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