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    A novel self-generating liquid MOCVD precursor for Co3O4 thin films
    GULINO, Antonino ; DAPPORTO, Paolo ; et al.
    In: Chemistry of materials, Jg. 15 (2003), Heft 20, S. 3748-3752
    academicJournal
    Wie komme ich dran?
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    Chemical vapor deposition of tantalum oxide from tetraethoxo(β-diketonato)tantalum(V) complexes
    POLLARD, K. D ; PUDDEPHATT, R. J
    In: Chemistry of materials, Jg. 11 (1999), Heft 4, S. 1069-1074
    academicJournal
    Wie komme ich dran?
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    Catalyst-enhanced chemical vapor deposition of yttrium oxide
    YIPING, ZHANG ; PUDDEPHATT, R. J
    In: Chemistry of materials, Jg. 11 (1999), Heft 1, S. 148-153
    academicJournal
    Wie komme ich dran?
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    Feed-rate-limited aerosol-assisted chemical vapor deposition of CdxZn1-xS and ZnS:Mn with composition control
    NYMAN, M ; JENKINS, K ; et al.
    In: Chemistry of materials, Jg. 10 (1998), Heft 3, S. 914-921
    academicJournal
    Wie komme ich dran?
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    MOCVD of titanium nitride from a new precursor, Ti[N(CH3)C2H5]4
    SHIN, H.-K ; SHIN, H.-J ; et al.
    In: Chemistry of materials, Jg. 9 (1997), Heft 1, S. 76-80
    academicJournal
    Wie komme ich dran?
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    Chemical vapor deposition of MoS2 and TiS2 films from the metal-organic precursors Mo(S-t-Bu)4 and Ti(S-t-Bu)4
    CHEON, J ; GOZUM, J. E ; et al.
    In: Chemistry of materials, Jg. 9 (1997), Heft 8, S. 1847-1853
    academicJournal
    Wie komme ich dran?
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    Decomposition pathways for a model TiN chemical vapor deposition precursor
    CUNDARI, T. R ; MORSE, J. M
    In: Chemistry of materials, Jg. 8 (1996), Heft 1, S. 189-196
    academicJournal
    Wie komme ich dran?
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    Precursors for organometallic chemical vapor deposition of tungsten carbide films
    LAI, K. K ; LAMB, H. H
    In: Chemistry of materials, Jg. 7 (1995), Heft 12, S. 2284-2292
    Online academicJournal
    Zugriff:
    Full Text Finder (Volltext)
    Wie komme ich dran?
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    Metal-organic chemical vapor deposition of copper and copper(I) oxide : kinetics and reaction mechanisms in the presence of oxygen
    CONDORELLI, G. G ; MALANDRINO, G ; et al.
    In: Chemistry of materials, Jg. 7 (1995), Heft 11, S. 2096-2103
    Online academicJournal
    Zugriff:
    Full Text Finder (Volltext)
    Wie komme ich dran?
  10. Detailansicht für Treffer 10 öffnen
    Factors influencing the chemical vapor deposition of oriented ZnO films using zinc acetate
    MAR, G. L ; TIMBRELL, P. Y ; et al.
    In: Chemistry of materials, Jg. 7 (1995), Heft 10, S. 1890-1896
    Online academicJournal
    Zugriff:
    Full Text Finder (Volltext)
    Wie komme ich dran?
  11. Detailansicht für Treffer 11 öffnen
    Pyrolysis behavior of titanocene dichloride used as a precursor for the chemical vapor deposition of titanium carbide at atmospheric pressure
    SLIFIRSKI, J ; HUCHET, G ; et al.
    In: Chemistry of materials, Jg. 7 (1995), Heft 4, S. 622-630
    Online academicJournal
    Zugriff:
    Full Text Finder (Volltext)
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  12. Detailansicht für Treffer 12 öffnen
    Mechanistic role of H2O and the ligand in the chemical vapor deposition of Cu, Cu2O, CuO, and Cu3N from bis(1,1,1,5,5,5-hexafluoropentane-2,4-dionato)copper(II)
    JIRI, PINKAS ; HUFFMAN, J. C ; et al.
    In: Chemistry of materials, Jg. 7 (1995), Heft 8, S. 1589-1596
    Online academicJournal
    Zugriff:
    Full Text Finder (Volltext)
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  13. Detailansicht für Treffer 13 öffnen
    Use of tetraneopentylchromium as a precursor for the organometallic chemical vapor deposition of chromium carbide : a reinvestigation
    HEALY, M. D ; SMITH, D. C ; et al.
    In: Chemistry of materials, Jg. 6 (1994), Heft 4, S. 448-453
    Online academicJournal
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  14. Detailansicht für Treffer 14 öffnen
    Metal-organic chemical vapor deposition of copper-containing phases : kinetics and reaction mechanisms
    CONDORELLI, G. G ; MALANDRINO, G ; et al.
    In: Chemistry of materials, Jg. 6 (1994), Heft 10, S. 1861-1866
    Online academicJournal
    Zugriff:
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    Wie komme ich dran?
  15. Detailansicht für Treffer 15 öffnen
    MOCVD route to stable, oxygen-rich, chromium oxide films and their conversion to epitaxial Cr2O3
    BOORSE, R. S ; BURLITCH, J. M
    In: Chemistry of materials, Jg. 6 (1994), Heft 9, S. 1509-1515
    Online academicJournal
    Zugriff:
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  16. Detailansicht für Treffer 16 öffnen
    Intrazeolite topotactic MOCVD. 3-Dimensional structure-controlled synthesis of II-VI semiconductor nanoclusters
    OZIN, G. A ; STEELE, M. R ; et al.
    In: Chemistry of materials, Jg. 6 (1994), Heft 7, S. 999-1010
    Online academicJournal
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  17. Detailansicht für Treffer 17 öffnen
    tert-Butyl (trifluoromethyl)tellurium : a novel organometallic chemical vapor deposition source for ZnTe
    DANEK, M ; PATNAIK, S ; et al.
    In: Chemistry of materials, Jg. 5 (1993), Heft 9, S. 1321-1326
    Online academicJournal
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    Titanium isoproxide as a precursor in atomic layer epitaxy of titanium dioxide thin films
    RITALA, M ; LESKELÄ, M ; et al.
    In: Chemistry of materials, Jg. 5 (1993), Heft 8, S. 1174-1181
    Online academicJournal
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    HNMe2 inhibits the reaction of Ti(NME2)4 with NH3 : implications for the chemical vapor deposition of TiN and related nitrides
    WEILLER, B. H
    In: Chemistry of materials, Jg. 7 (1995), Heft 9, S. 1609-1611
    Online academicJournal
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    Low-temperature chemical vapor deposition of ruthenium dioxide from ruthenium tetroxide : a simple approach to high-purity RuO2 films
    ZHENG, YUAN ; PUDDEPHATT, R. J ; et al.
    In: Chemistry of materials, Jg. 5 (1993), Heft 7, S. 908-910
    Online academicJournal
    Zugriff:
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    Wie komme ich dran?
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