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    Surface characteristics of MOCVD grown TiO2 films by atomic force microscopy
    PARK, Young-Bae ; AHN, K. H ; et al.
    In: Journal of materials science letters, Jg. 22 (2003), Heft 19, S. 1325-1328
    Online academicJournal
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    Improvement of interface morphology between titanium-silicide and poly-Si thin film using Ar plasma treatment
    CHOI, Jae-Moon ; KIM, Dae-Jung ; et al.
    In: Journal of materials science letters, Jg. 21 (2002), Heft 4, S. 325-328
    Online academicJournal
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    Preparation of ZnO films from Zn2+ aqueous mist using atmospheric pressure glow plasma
    MARUYAMA, K ; TSUMAGARI, I ; et al.
    In: Journal of materials science letters, Jg. 20 (2001), Heft 5, S. 481-484
    Online academicJournal
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    Full Text Finder (Volltext)
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    Thickness dependence of crystalline orientation in YBa2Cu3Ox thin films grown by metalorganic chemical vapour deposition
    KANG, W. N ; KIM, Y. H ; et al.
    In: Journal of materials science letters, Jg. 15 (1996), Heft 21, S. 1898-1901
    Online academicJournal
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    Deposition of ceramic thin films on stainless steel : conversion coatings behaviour as buffer layers
    CAUBEL, Y ; ARIES, L
    In: Journal of materials science letters, Jg. 15 (1996), Heft 17, S. 1498-1501
    Online academicJournal
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    As-grown preparation of Ag-doped Y-Ba-Cu-O superconducting thin films by mist microwave plasma chemical vapour deposition
    TAKAHASHI, N ; KOUKITU, A ; et al.
    In: Journal of materials science letters, Jg. 14 (1995), Heft 24, S. 1757-1760
    Online academicJournal
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    A new metal-organic precursor for the low-temperature atmospheric pressure chemical vapor deposition of zinc oxide films
    SUH, S ; HOFFMAN, D. M ; et al.
    In: Journal of materials science letters, Jg. 18 (1999), Heft 10, S. 789-791
    Online academicJournal
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    Metallo-organic chemical vapor deposition application of metallo-organic calix[4]arene-base barium precursor
    BURTMAN, V
    In: Journal of materials science letters, Jg. 17 (1998), Heft 17, S. 1491-1493
    Online academicJournal
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    Conductive indium-doped zinc oxide films prepared by atmospheric pressure chemical vapour deposition
    NISHINO, J ; KAWARADA, T ; et al.
    In: Journal of materials science letters, Jg. 16 (1997), Heft 8, S. 629-631
    Online academicJournal
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    Preparation of ZnO films on sapphire (0112) substrates by low-pressure organometallic chemical vapour deposition
    KOBAYASHI, K ; MATSUBARA, T ; et al.
    In: Journal of materials science letters, Jg. 15 (1996), Heft 5, S. 457-459
    Online academicJournal
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    Effect of temperature on the formation of surface layers in plasma-assisted chemical vapour deposition processes carried out in an atmosphere containing Ti(OiC3H7)4 vapours
    SOBIECKI, J. R ; WIERZCHON, T ; et al.
    In: Journal of materials science letters, Jg. 15 (1996), Heft 2, S. 159-161
    Online academicJournal
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    Depositition of surface layers by the LPCVD process conducted in a TiCl4-H2-N2 atmosphere : contribution of the carbon contained in the steel substrate and of total pressure of the gaseous atmosphere
    MICHALSKI, J
    In: Journal of materials science letters, Jg. 15 (1996), Heft 13, S. 1169-1171
    Online academicJournal
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    Preparation of (Tl,Bi,Pb)-Sr-Ca-Cu-O superconducting thin films by the mist microwave plasma chemical vapour deposition method
    TAKAHASHI, N ; KOUKITU, A ; et al.
    In: Journal of materials science letters, Jg. 14 (1995), Heft 23, S. 1681-1683
    Online academicJournal
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    Preparation and structural characteristics of ZrTiO4 thin films by plasma enhanced chemical vapor deposition
    WON GYU, LEE ; YANG, O-Bong
    In: Journal of materials science letters, Jg. 22 (2003), Heft 23, S. 1679-1680
    Online academicJournal
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    Volltext (PDF)
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    Low temperature growth of ZnO thin film on Si(100) substrates by metal organic chemical vapor deposition
    HYOUN WOO, KIM ; KWANG SIK, KIM ; et al.
    In: Journal of materials science letters, Jg. 22 (2003), Heft 15, S. 1117-1118
    Online academicJournal
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    Effect of carrier gas in chemical vapor deposition of FeN film using FeCl3
    TODA, Y ; TAKAHASHI, N ; et al.
    In: Journal of materials science letters, Jg. 19 (2000), Heft 15, S. 1303-1304
    Online academicJournal
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    Formation of titanium nitride layers from a gaseous phase with the participation of a chemical reaction : contribution of the temperature deposition
    MICHALSKI, J
    In: Journal of materials science letters, Jg. 19 (2000), Heft 8, S. 639-640
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    Deposition of niobium silicide thin films from hexachlorodisilane and niobium pentachloride
    SCHENG, W. S ; LEE, C. Y
    In: Journal of materials science letters, Jg. 13 (1994), Heft 16, S. 1204-1205
    Online academicJournal
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    Wie komme ich dran?
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