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    Multi-microscopy characterization of threading dislocations in CVD-grown diamond films.
    Yan, H. ; Postelnicu, E. ; et al.
    In: Applied Physics Letters, Jg. 124 (2024-03-04), Heft 10, S. 1-7
    Online academicJournal
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    Strain-modulated optical response in 2D MoSe<subscript>2</subscript> made by Na-assisted CVD on glass.
    Rodrigues, João ; Grzonka, Justyna ; et al.
    In: Applied Physics Letters, Jg. 120 (2022-05-23), Heft 21, S. 1-5
    Online academicJournal
    Zugriff:
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    Strain-modulated optical response in 2D MoSe2 made by Na-assisted CVD on glass.
    Rodrigues, João ; Grzonka, Justyna ; et al.
    In: Applied Physics Letters, Jg. 120 (2022-05-23), Heft 21, S. 1-5
    Online academicJournal
    Zugriff:
    Full Text Finder (Volltext)
    Wie komme ich dran?
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    Detrimental influence of catalyst seeding on the device properties of CVD-grown 2D layered materials: A case study on MoSe<subscript>2</subscript>.
    Utama, M. Iqbal Bakti ; Lu, Xin ; et al.
    In: Applied Physics Letters, Jg. 105 (2014-12-22), Heft 25, S. 253102-1- (4S.)
    Online academicJournal
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    Detrimental influence of catalyst seeding on the device properties of CVD-grown 2D layered materials: A case study on MoSe2.
    Utama, M. Iqbal Bakti ; Lu, Xin ; et al.
    In: Applied Physics Letters, Jg. 105 (2014-12-22), Heft 25, S. 253102-1- (4S.)
    Online academicJournal
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    Detrimental influence of catalyst seeding on the device properties of CVD-grown 2D layered materials: A case study on MoSe<subscript>2</subscript>.
    Utama, M. Iqbal Bakti ; Lu, Xin ; et al.
    In: Applied Physics Letters, Jg. 105 (2014-12-22), Heft 25, S. 253102-1- (4S.)
    Online academicJournal
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    Formation of compositionally uniform tungsten silicide films using dichlorosilane in a single-wafer reactor
    TELFORD, S. G ; EIZENBERG, M ; et al.
    In: Applied physics letters, Jg. 62 (1993), Heft 15, S. 1766-1768
    Online academicJournal
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    Heteroepitaxial growth of Ge on (100) Si by ultrahigh vacuum, chemical vapor deposition
    CUNNINGHAM, B ; CHU, J. O ; et al.
    In: Applied physics letters, Jg. 59 (1991), Heft 27, S. 3574-3576
    Online academicJournal
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    Epitaxial silicon deposition at 300°C with remote plasma processing using SiH4/H2 mixtures
    HATTANGADY, S. V ; POSTHILL, J. B ; et al.
    In: Applied physics letters, Jg. 59 (1991), Heft 3, S. 339-341
    Online academicJournal
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    Relaxed GexSi1-x films grown by rapid thermal processing chemical vapor deposition
    JUNG, K. H ; KIM, Y. M ; et al.
    In: Applied physics letters, Jg. 56 (1990), Heft 18, S. 1775-1777
    Online academicJournal
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  11. Detailansicht für Treffer 11 öffnen
    Thick homoepitaxial (110)-oriented phosphorus-doped n-type diamond
    Verbeeck, Jo ; Jomard, François ; et al.
    In: Applied physics letters, 2016
    Online unknown
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    View record in OpenAIRE (Volltext)
    Volltext
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  12. Detailansicht für Treffer 12 öffnen
    Low-temperature epitaxial growth of silicon by low-pressure chemical vapor deposition
    MEAKIN, D ; STOBBS, M ; et al.
    In: Applied physics letters, Jg. 52 (1988), Heft 13, S. 1053-1055
    Online academicJournal
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    Laser-induced homoepitaxy of GaP
    SOLANKI, R ; SUDARSAN, U ; et al.
    In: Applied physics letters, Jg. 52 (1988), Heft 11, S. 919-921
    Online academicJournal
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    Laser-induced homoepitaxial growth of gallium arsenide films
    CHU, S. S ; CHU, T. L ; et al.
    In: Applied physics letters, Jg. 52 (1988), Heft 15, S. 1243-1245
    Online academicJournal
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    Plasma-enhanced deposition of high-quality epitaxial silicon at low temperatures
    COMFORT, J. H ; REIF, R
    In: Applied physics letters, Jg. 51 (1987), Heft 24, S. 2016-2018
    Online academicJournal
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    Low-temperature silicon epitaxy using low pressure chemical vapor deposition with and without plasma enhancement
    DONAHUE, T. J ; BURGER, W. R ; et al.
    In: Applied physics letters, Jg. 44 (1984), Heft 3, S. 346-348
    Online academicJournal
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    Remote plasma assisted growth of graphene films.
    Nandamuri, Gopichand ; Roumimov, Sergei ; et al.
    In: Applied Physics Letters, Jg. 96 (2010-04-12), Heft 15, S. 154101-1- (3S.)
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    Comparison of catalytically grown and arc-discharge carbon nanotube tips.
    Thien-Nga, Le ; Bonard, Jean-Marc ; et al.
    In: Applied Physics Letters, Jg. 80 (2002-02-04), Heft 5, S. 850-852
    Online academicJournal
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    Dependence of crystallographic tilt and defect distribution on mask material in epitaxial lateral overgrown GaN layers.
    Tomiya, S. ; Funato, K. ; et al.
    In: Applied Physics Letters, Jg. 77 (2000-07-31), Heft 5, S. 636-638
    Online academicJournal
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    Toward epitaxially grown two-dimensional crystal hetero-structures: Single and double MoS<subscript>2</subscript>/graphene hetero-structures by chemical vapor depositions.
    Lin, Meng-Yu ; Chang, Chung-En ; et al.
    In: Applied Physics Letters, Jg. 105 (2014-08-18), Heft 7, S. 1-5
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