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    Role of Implantation-Induced Defects on the Response Time of Semiconductor Saturable Absorbers
    Tan, Hoe Hark ; Jagadish, Chennupati ; et al.
    In: Applied Physics Letters, 2015
    Online academicJournal
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    Quantitative long-range-order measurement and disordering efficiency estimation in ion-irradiated bulk Ni3Al using cross-sectional conventional transmission electron microscopy
    Döbeli, Max ; Victoria, M. ; et al.
    In: Applied Physics Letters, Jg. 77 (2000-10-23), S. 2680-2682
    Online unknown
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    Mechanism of organization of three-dimensional islands in SiGe/Si multilayers
    Bean, John C. ; Lagally, Max G. ; et al.
    In: Applied Physics Letters, Jg. 71 (1997-12-01), S. 3233-3235
    Online unknown
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    View record in OpenAIRE (Volltext)
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    Strain-induced composition limitation in nitrogen δ-doped (In,Ga)As/GaAs quantum wells.
    Gargallo-Caballero, R. ; Luna, E. ; et al.
    In: Applied Physics Letters, Jg. 100 (2012-04-23), Heft 17, S. 171906-171909
    Online academicJournal
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    Fe–Zr–Nd–Y–B permanent magnet derived from crystallization of bulk amorphous alloy.
    Tan, Xiaohua ; Xu, Hui ; et al.
    In: Applied Physics Letters, Jg. 91 (2007-12-17), Heft 25, S. 252501-252503
    Online academicJournal
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    Strain-induced composition limitation in nitrogen δ-doped (In,Ga)As/GaAs quantum wells
    Ishikawa, Fumitaro ; Gargallo-Caballero, R. ; et al.
    In: Applied Physics Letters, Jg. 100 (2012-04-23), S. 171906-171906
    Online unknown
    Zugriff:
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    Peculiarities of plastic relaxation of (0001) InGaN epilayers and their consequences for pseudo-substrate application.
    Moneta, J. ; Siekacz, M. ; et al.
    In: Applied Physics Letters, Jg. 113 (2018-07-16), Heft 3, S. N.PAG- (4S.)
    Online academicJournal
    Zugriff:
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    Thickness and temperature depending intermixing of SiO<subscript>x</subscript>/SiO<subscript>2</subscript> and SiO<subscript>x</subscript>N<subscript>y</subscript>/SiO<subscript>2</subscript> superlattices: Experimental observation and thermodynamic modeling.
    Zhigunov, D. M. ; Sarikov, A. ; et al.
    In: Applied Physics Letters, Jg. 108 (2016-05-30), Heft 22, S. 223102-1- (4S.)
    Online academicJournal
    Zugriff:
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  9. Detailansicht für Treffer 9 öffnen
    Thickness and temperature depending intermixing of SiOx/SiO2 and SiOxNy/SiO2 superlattices: Experimental observation and thermodynamic modeling.
    Zhigunov, D. M. ; Sarikov, A. ; et al.
    In: Applied Physics Letters, Jg. 108 (2016-05-30), Heft 22, S. 223102-1- (4S.)
    Online academicJournal
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  10. Detailansicht für Treffer 10 öffnen
    Stacking fault domains as sources of a-type threading dislocations in III-nitride heterostructures.
    Smalc-Koziorowska, J. ; Bazioti, C. ; et al.
    In: Applied Physics Letters, Jg. 108 (2016-02-01), Heft 5, S. 1-5
    Online academicJournal
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    Near-infrared emitting In-rich InGaN layers grown directly on Si: Towards the whole composition range.
    Aseev, Pavel ; Rodriguez, Paul E. D. Soto ; et al.
    In: Applied Physics Letters, Jg. 106 (2015-02-16), Heft 8, S. 1-4
    Online academicJournal
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  12. Detailansicht für Treffer 12 öffnen
    Temperature and bias-voltage dependence of atomic-layer-deposited HfO<subscript>2</subscript>-based magnetic tunnel junctions.
    Fabretti, Savio ; Zierold, Robert ; et al.
    In: Applied Physics Letters, Jg. 105 (2014-09-29), Heft 13, S. 1-4
    Online academicJournal
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    Temperature and bias-voltage dependence of atomic-layer-deposited HfO2-based magnetic tunnel junctions.
    Fabretti, Savio ; Zierold, Robert ; et al.
    In: Applied Physics Letters, Jg. 105 (2014-09-29), Heft 13, S. 1-4
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    Dynamics of modification of Ni/n-GaN Schottky barrier diodes irradiated at low temperature by 200MeV Ag<superscript>14+</superscript> ions.
    Kumar, Ashish ; Kumar, Tanuj ; et al.
    In: Applied Physics Letters, Jg. 104 (2014-01-20), Heft 3, S. 33507-1- (4S.)
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  15. Detailansicht für Treffer 15 öffnen
    Dynamics of modification of Ni/n-GaN Schottky barrier diodes irradiated at low temperature by 200MeV Ag14+ ions.
    Kumar, Ashish ; Kumar, Tanuj ; et al.
    In: Applied Physics Letters, Jg. 104 (2014-01-20), Heft 3, S. 33507-1- (4S.)
    Online academicJournal
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    Ultraviolet laser diodes grown on semipolar [formula] GaN substrates by plasma-assisted molecular beam epitaxy.
    Sawicka, M. ; Muziol, G. ; et al.
    In: Applied Physics Letters, Jg. 102 (2013-06-24), Heft 25, S. 251101-251104
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    Silicon nanocrystals prepared by plasma enhanced chemical vapor deposition: Importance of parasitic oxidation for third generation photovoltaic applications.
    Hartel, A. M. ; Gutsch, S. ; et al.
    In: Applied Physics Letters, Jg. 101 (2012-11-05), Heft 19, S. 193103-193106
    Online academicJournal
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  18. Detailansicht für Treffer 18 öffnen
    Growth of wurtzite InN on bulk In<subscript>2</subscript>O<subscript>3</subscript>(111) wafers.
    Sadofev, Sergey ; Cho, YongJin ; et al.
    In: Applied Physics Letters, Jg. 101 (2012-10-22), Heft 17, S. 172102-172105
    Online academicJournal
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    Growth of wurtzite InN on bulk In2O3(111) wafers.
    Sadofev, Sergey ; Cho, YongJin ; et al.
    In: Applied Physics Letters, Jg. 101 (2012-10-22), Heft 17, S. 172102-172105
    Online academicJournal
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  20. Detailansicht für Treffer 20 öffnen
    Liquid phase epitaxy centrifuge for 100 mm diameter Si substrates
    KONUMA, M ; CZECH, E ; et al.
    In: Applied physics letters, Jg. 63 (1993), Heft 2, S. 205-207
    Online academicJournal
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